【产品】新型C3M™ 1200V SiC MOSFET，超高效率的电动汽车功率转换系统

时间： 2018-07-07 来源：Bodos功率系统

技术问答

2018年6月4日，科锐（Nasdaq: CREE）旗下WOLFSPEED于宣布推出最新第三代1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。

这一开关器件能够实现高电压功率转换，进一步巩固Wolfspeed在电动汽车生态系统解决方案领域的领先地位。该项技术发展将提高电动汽车动力传动系统的效率，同时降低系统成本，为更长距离行驶铺平道路，并为消费者提供更好的综合性能。

科锐首席执行官Gregg Lowe表示：“全球对于电动汽车的需求日益增长，几乎所有汽车生产商都宣布在其产品家族中推出新型电动汽车平台。科锐在推动汽车产业实现这一巨大变革方面走在最前沿，通过采用新型技术，例如Wolfspeed新型SiC MOSFET产品组合，帮助加快电动汽车的采用。”

这同时也树立了Wolfspeed 30多年在宽禁带功率转换技术（包括电动汽车应用）创新历程中新的里程碑。Wolfspeed于2015年推出业界首款900V SiC MOSFET系列，通过提供更小尺寸、更高效率、成本比肩硅基方案的新一代功率转换系统，打破了SiC在非车载充电机和车载充电机采用的成本壁垒，促进了电动汽车市场变革。今天，最新1200V SiC MOSFET系列把Wolfspeed技术扩展至动力传动系统，将实现目前全球最高效率的电动汽车功率转换系统。

Wolfspeed总经理Cengiz Balkas表示：“Wolfspeed扩展的SiC产品组合，将使得汽车供应商和生产商开发面向未来的电动汽车生态系统成为可能。我们的器件能够实现尺寸更小、重量更轻的系统，从而提高每次充电后的行驶里程。这将帮助我们减少电动汽车和汽油车在成本和性能方面的差距。”

突破性动力传动技术：

Wolfspeed新型C3M™ 1200V SiC MOSFET技术实现目前全球最高效率的电动汽车功率转换系统。它能承受大电流，并能在1200V电压条件下实现目前业界最低的漏源电阻RDS(on)，同时实现最低的开关损耗，从而提供目前市面上最高的品质因数。这将使得消费者在单次充电之后，能够行驶更远的距离。

电动汽车充电应用的持续创新：

除了1200V SiC MOSFET之外，Wolfspeed还通过采用针对非车载充电机和车载充电机的增强型SiC产品，继续为电动汽车提供更高的充电效率：

E系列二极管：业界首款同时符合汽车和高湿度 / 高电压 / 高温度要求的1200V SiC二极管。
20kW电平AFE和20Kw直流转换器：展现Wolfspeed C3M SiC MOSFET如何减少功率损耗，并简化系统设计。
6.6kW双向车载充电机：为高功率密度车载充电机应用提供最优效率。

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全部评论（209）

微笑刺客 Lv6 高级专家 2018-11-12

Wolfspeed第三代Sic MOS 是用Trench 结构的吗？
- Honglei_世强回复：不是Trench （沟槽）结构设计，为平面结构设计，可参考如下图示。
  查看全部1条回复
plhust Lv7. 资深专家 2020-09-18

学习
辛巴 Lv8. 研究员 2019-09-12

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我的名字 Lv7. 资深专家 2019-07-18

支持
螳螂猫 Lv7. 资深专家 2019-07-18

支持

WallE Lv7. 资深专家 2019-06-20

功率转换是干啥的
伍伍 Lv7. 资深专家 2019-06-17

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乔峰 Lv7. 资深专家 2019-05-19

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ysyws Lv7. 资深专家 2019-05-15

不错
KoFaCh Lv8. 研究员 2019-05-07

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【产品】1700V SiC MOSFET栅极驱动板，为第三代碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体量身定做

Wolfspeed将最先进的SiC MOSFET技术引入新型低电感离散封装中，从而扩大了在SiC技术领域的领先地位。其推出的CGD15SG00D2系列产品是第三代SiC MOSFET栅极驱动板,重9g，为第三代(C3M)碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)量身定做。具有短路保护功能，其电源供电采用隔离电源设计，输入到输出隔离电压的典型值为±1700V。

新产品发布时间 : 2018-06-16

【产品】隔离电压达1700V的SiC MOSFET隔离驱动板

CRD-001可以使系统有极高的开关频率与超低的开关损耗，及更小的体积与重量，从而提高整个系统的能效。

新产品发布时间 : 2017-07-19

【产品】6通道SiC MOSFET驱动器，具有多重电路保护功能

WolfSpeed SiC MOSFET驱动器 CGD15FB45P1开关频率达250kHz，输出输入电压变化率达到50000 V/μs，专用于驱动SiC MOSFET功率模块。

新产品发布时间 : 2017-06-12

【方案】30~80kW组串式光伏逆变器优选器件方案

描述- 该方案针对30~80kW的组串式光伏逆变器，采用多路BOOST升压电路，减少光伏电池组件最佳工作点与逆变器不匹配的情况，最大程度增加发电量。逆变侧采用T型三电平拓扑，开关频率支持16kHz（最佳频率点），效率最高可达98.54%。辅助电源采用1700V耐压SiC MOSFET，单端反激电源可直接应用在1000V母线系统。同时，在BOOST升压电路和逆变电路中均采用IGBT模块设计，集成度更高。

型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

优选器件方案 - WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,WIMA,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO - V2.1 PDF 中文下载

中电国基南方SiC MOSFET选型表

中电国基南方提供SiC MOSFET的以下参数选型，VDSS(V):650V~1700V，RDS(on):11mΩ~1000mΩ，ID:5~150A，有TO-247-3、TO-247-4等多种封装形式。

产品型号	品类	VDSS(V)	RDS(on)(mΩ)	GEN	Drain Current(A) TC=25℃	VGS(th)(V) (Typ.)	Gate Charge Total(Qg)(nc)	Total Power Dissipation(PTOT)(W)	Junction Temperature(TJ)(MAX)(℃ )	Package	质量等级
WM2V020065K	SiC MOSFET	650V	20mΩ	G2	92A	2.6V	187nc	312W	175℃	TO-247-3	车规级

选型表 - 中电国基南方立即选型

【元件】瑶芯新一代1200V G4.5碳化硅MOSFET，持续赋能新能源产业高速发展

瑶芯微电子科技推出了1200V G4.5 SiC MOSFET系列，提升了导通电阻和动态性能，适用于高压应用如OBC。新一代G5产品即将推出，预计进一步降低导通电阻。1200V G4.5平台在多个性能指标上优于前代，提高了效率和性能。公司还提供MEMS传感器和信号链IC，服务于多个应用领域。

产品发布时间 : 2024-09-19

蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。

应用方案发布时间 : 2024-07-17

【方案】125kW（1500VDC系统）光伏逆变器优选器件方案

描述- 本方案基于 1500VDC 系统，提出了在 BOOST 电路采用高集成度对称式 BOOST 模块，内置全 SiC MOS 和二极管，以提高开关频率和减小升压电感体积。在逆变电路采用 NPC 拓扑结构，耐压高达 2400V，在满足1500V 系统耐压需求的基础上，采用了低耐压的 IGBT，实现了较高的开关频率，有利于光伏逆变器实现更高的效率和更小的体积。

型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K

优选器件方案 - WEIDMUELLER,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,CREE,RENESAS,VINCOTECH,STANDEX-MEDER,II-VI MARLOW,EPSON,PI,ROGERS,MELEXIS - V1.1 PDF 中文下载

爱仕特D21系列三相桥碳化硅模块，具有高效能、高功率密度和优秀的散热性能，引领车载空调压缩机发展

在2024年上海慕尼黑电子展上，爱仕特隆重推出了创新力作D21系列模块——1200V三相全桥碳化硅模块。这款模块采用紧凑型顶部散热塑封结构，以其高效能、高功率密度和优秀的散热性能，展现了碳化硅材料在高压、高频、低损耗方面的优势，为电动汽车空调压缩机、车载充电机及工业驱动系统等提供了创新解决方案，推动行业向更高效、更环保的方向迈进。

产品发布时间 : 2024-08-27

蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核

为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。

应用方案发布时间 : 2024-07-20

【视频】虹美车规SiC二极管/GaN FET/IGBT，提供DC-DC/光伏逆变/快充等新能源、工业解决方案

型号- HM01N100PR,HMS11N70Q,HMS7N80,HMS5N80,HMS5N90R,HM4N65R,HMS5N70R2,HMS20N80,HM3N150,HM8N100F,HMG20N65F,HMS5N70R,HMG20N65D,HMS10N80,HMS13N65Q,HMS15N80D,HM40N120AT,HMS11N65Q,HMG40N65AT,HMS5N65R,HM3N100,HM1N60R,HMS5N90R2,HM0565MR,HMN9N65D,HMS5N65R2,HMN11N65D,HM3N120,HM2N65R,HM40N120FT,HMG40N65FT,HM4N60R

商品及供应商介绍 - 虹美功率半导体 PPTX 中文下载

【元件】瞻芯电子再推3款车规级第二代650V SiC MOSFET产品，具备业界较低的损耗水平

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET芯片，具备业界较低的损耗水平，且驱动电压为15V~18V，兼容性更好。

产品发布时间 : 2024-03-13

世强可为30~80kW组串式光伏逆变器供应功率转换单元和辅助电源模块

针对光伏发电系统逆变器，世强元件电商推荐Vincotech的IGBT模块、Renesas的IGBT单管、Wolfspeed的MOSFET、Wolfspeed的SiC二极管、Littelfuse的Sic MOSFET、PI或Silicon Labs的驱动IC、Renesas的驱动光耦、WIMA的滤波电容、Melexis的电流传感器等产品。

器件选型发布时间 : 2018-06-02

【应用】1200V SiC MOSFET ASC60N1200MT4用于车载充电机，有效提高电源系统转换效率

国产爱仕特碳化硅（SiC）MOSFET ASC60N1200MT4用于车载充电机，有效提高电源系统转换效率降低电能损耗，易实现小型化、耐高温高压，在充电桩、公交大巴、电机控制器、车载充电机上有大量成功应用案例，采用SiC MOS 4/ 6英寸晶圆。

应用方案发布时间 : 2022-05-18

2024 Introduction to SiC components

型号- FMOSCPW90N120,SCSB4A650A,FMOSCPW19N120,FMOSCPW36N120,SCSB10A650A,SCSB6A650A,SCSB8A650J,SCSB10A650E,SCSB10A650D,SCSB6A650E,SCSB2A650E,SCSB3A650A,SCSB6A650F,SCSB9A650F,SCSB501200WT,SCSB10A650J,FMOSCPW05N170,FMOSCPW60N120A,FMOSCPW32N120,SCSB8A650A,FMOSCPW37N65A,SCSB3A650E,SCSB6A650J,SCSB3A650J,SCSB8A650E,SCSB8A650F,FMOSCPW36N90,FMOSCPW11P5N90,FMOSCPW72N170A,SCSB4A650J,SCSB4A650E,SCSB8A650,SCSB4A650F

商品及供应商介绍 - 美丽微半导体 - 2024/1/23 PDF 中文下载