【产品】采用自对准平面工艺和改进端子技术的N沟道增强型MOSFET RMP12N60，漏源电压可高达600V
丽正国际推出的RMP12N60是N沟道增强型MOSFET，采用自对准平面工艺和改进的端子技术，可减少传导损耗，提高雪崩能量。在TC=25°C时，RMP12N60漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±30V，漏极连续电流最大额定值为12A，工作时结温和储存温度范围为-55 ~ +150℃，结到环境的热阻为62.5℃/W。RMP12N60封装如图1所示。
图1 RMP12N60封装
RMP12N60产品特性
•VDS =600V,ID =12A ，RDS(ON) =0.7Ω ，Crss=35pF
•低Crss
•低栅极电荷
•高速开关
•改进的ESD能力
•改进的dv / dt功能
•100％雪崩能量测试
RMP12N60应用领域
•高效开关电源
•电子灯镇流器
•UPS
RMP12N60订购信息
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