【产品】1200V/6mΩ全碳化硅半桥模块KC006F12W2M1,高工作频率,散热要求低可降低系统成本
森国科推出的全碳化硅半桥模块KC006F12W2M1,漏源电压为1200V,工作温度范围为40℃~150℃,最大脉冲电流为400A。该产品具有超低损耗、高工作频率以及零关断拖尾电流等特性。应用广泛,适用于充电桩、光伏、高效转换器/逆变器以及电机驱动等领域。
特点
●超低损耗
●高工作频率
●零关断拖尾电流
●常闭,工作安全
优势
●系统更紧凑、重量更轻
●开关损耗和导通损耗低,系统效率高
●散热要求低,降低系统成本
应用领域
●充电桩
●光伏
●高效转换器/逆变器
●电机驱动
●智能电网/并网分布式发电
图 1
最大额定值
表 1
电气参数
表 2
热敏电阻特性
表 3
封装尺寸
图 2
型号信息
表 4
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自森国科,原文标题为:1200V,6mΩ全碳化硅半桥模块KC006F12W2M1,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【元件】基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块——革新您的电源体验
基本半导体Pcore™2 E2B工业级碳化硅半桥模块不仅在材料选择上具有领先优势,其内置的高性能器件也确保了其在高效能电源转换领域的领先地位。无论是对于设计者还是终端用户而言,PcoreTM2 E2B模块都是提升系统性能、可靠性和经济性的优选方案。
【元件】解决“里程焦虑”和“充电焦虑”,SiC加速上车
车用功率模块已从硅基IGBT为主的时代,开始逐步进入以碳化硅MOSFET为核心的发展阶段。森国科目前已有多款全SiC模块产品满足上车需求。
光伏电站监控利器——有人数据采集棒,适配20大逆变器品牌
有人面向光伏系统集成商运维商、逆变器原厂推出的光伏行业新产品:光伏数据采集棒S100系列,即插即用、适配主流逆变器采集,可传输逆变器的工作状态和发电情况,对光伏发电系统进行长期而有效的监控。
基本半导体(BASIC)碳化硅功率器件选型指南
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业,专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳,在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队,核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
显著提升充电桩充电效率,基本半导体应用于高压快充的E2B碳化硅功率模块方案解析
基本半导体PcoreTM2 E2B全碳化硅半桥MOSFET模块BMF240R120E2G3基于高性能晶圆平台设计,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、可靠性等方面表现出色。在高压快充的大背景下,以基本半导体为代表的碳化硅功率器件企业将不断加大研发力度,确保先进技术能紧跟行业趋势和市场需求,为充电桩设备制造企业提供更高性能的碳化硅功率器件。
【产品】车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1,专为新能源汽车主逆变器应用设计
BMB200120P1是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用推出的车规级全碳化硅功率模块。该模块采用业内主流的单面水冷散热形式,为高效电机控制器设计提供便利。单模块采用半桥拓扑形式,内部集成两单元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管。单模块200A的输出电流能力可有效减少逆变器中功率器件数量,降低系统设计难度,同时提升系统可靠性。
森国科全碳化硅半桥模块KC006F12W2M1系统设计紧凑,广泛用于智能电网的能源转换和控制
森国科全碳化硅半桥模块(KC006F12W2M1)的系统设计紧凑,Easy 2B封装在重量上也具备一定的优势,在电网设备中可有效降低开关损耗和导通损耗,相比传统器件可大幅提升系统效率。同时具备更优的散热要求,有利于进一步降低系统成本。
KC006F12W2M1 1200V,6 MΩ全碳化硅半桥模块
描述- 这是一份关于1200V, 6mΩ全碳化硅半桥模块的技术资料,详细介绍了该模块的特点、优势、应用领域以及电气参数。该模块具有超低损耗、高工作频率、零关断拖尾电流等特点,适用于充电桩、光伏、高效转换器、电机驱动和智能电网等领域。
型号- KC006F12W2M1,KM006F12W2M1
森国科携新品超结MOS、IGBT系列亮相2023国产半导体应用技术大会,积极探寻高效、绿色节能的国产半导体发展之路
森国科SJMOS采用多次外延的工艺,具有传导损耗低、电流驱动能力大、栅极电荷低、开启电压低、出色的非钳位感性开关能力、百分之百的雪崩能量击穿测试等优点,在高压应用中优势较为突出,可全面助力电脑、服务器电源、适配器、照明(HID灯,工业照明,道路照明等)、消费类电子产品(液晶电视,等离子电视等)等行业客户对高效率、节能环保、小型化、高性价比等方面的要求。
森国科功率器件及模块产品介绍
描述- 深圳市森国科科技股份有限公司介绍其功率器件及模块产品,涵盖SiC功率器件、IGBT、SJMOS等,并涉及功率模块、驱动IC、无刷电机驱动IC等。公司强调新材料和特色工艺,提供650V至2000V不同电压等级的SiC二极管、MOSFET和模块,以及SJMOS和IGBT产品。应用领域包括新能源汽车、泛新能源、工业能源、消费电子等。
型号- KS08065-T,KS20065-A2,KS30065-A2,KS10065-E,KS40065-A2,KS10065-T,KM500170-R,KS10065-N,KS08120-A,KS06065-D,KS16065-A2,K3J380065-T,KS06065-E,KS06065-F,KS08120-B,KS08120-C,KS06065-A,K3J180065-T,KS06065-B,KG075Z12P1M1,KS10120-B,KS10120-A,KS02120-B1,KS10120-C,KS20065-R2,KC006F12W2M1,KS40065-R2,KS20065-R1,KC017Z12J1M1,KS15120-C,KS04065-A,KS30065-C2,KS04065-D,K3J1200065-T,KS04065-B,KS04065-I,KS15120-A,KS20065-A,KS20065-C,KS06065-T,KS02120-I,KS06065-Q,KS10120-E1,KS06120-A,KS06065-N,KS06120-B,KS20120-E1,K3M080120-R,K3J045065-R,KS40120-R2,KC011F12W1M1,KS30065-R2,K3M080120-J,KS10065-B,KS10065-A,KS10065-D,KS12120-R2,KS40120-C2,KS10065-E1,KS50120-C2,K3J193060F-T,KS20065-E2,KS20120-A,KS04120-B,KS20120-C,KG050Z12P2M1,KS02065-I,KS04120-A,KS04065-B1,KS15065-C,KS100120-C,KS15065-A,KS16120-R2,KS50065-C,KS30120-C2,KS06120-T,KM040120-R,KS30120-AI,KS06120-N,KM040120-J,KS02120-A,KS30120-R2,KS02120-B,K3J193060F-A,KS04065-Q,KG100Z12J1M1,KS04065-T,KC100D12J1M1,KS06065-AI,K3J100065-C,KG050Z12P1M1,KS20065-C2,KS06065-B1,KS10120-E,KS16065-R2,KS12065-A,KS08065-E1,K3J280065-T,KS20120-R2,KG150Z12J1M1,KG075Z12P2M1,KS02065-A,KS08065-D,KS08065-B,KS02065-B,KS08065-A,KS20120-R,KS40065-C,KS20120-E,KS10065-AI
罗姆的全碳化硅模块BSM600D12P3G001用在什么应用上面?
全碳化硅模块为半桥拓扑,包含SiC MOSFET 和SiC 肖特基二极管,同时内部集成热敏电阻。可以用于工业电源、变频器、光伏、风力发电、感应加热、电动汽车电驱等应用中。具有低浪涌和低开关损耗特性,可以进行高速开关,并且对温度依赖性降低。资料见链接: BSM600D12P3G001
森国科 SiC 模块选型表
描述- 森国科SiC模块产品选型表展示了不同型号SiC模块的详细参数,包括产品编号、名称、标记、封装形式、反向耐压、导通电阻和工作结温。表格中列出了1200V电压等级下的多个型号,涵盖了Easy 2B、Easy 1B和SOT-227封装形式,正向电流从6A到100A不等。
型号- KC006F12W2M1,KC011F12W1M1,KC100D12J1M1,KC017Z12J1M1
斩获双项大奖!森国科亮相第十四届亚洲电源技术发展论坛
2023年12月23日,由世纪电源网主办的“第十四届亚洲电源技术发展论坛深圳峰会“圆满落幕,在配套颁奖晚宴上,森国科凭借其在功率器件碳化硅和国产模拟IC领域的突出表现,赢得了业界的高度认可,一举斩获双项荣誉大奖:功率器件-SiC行业优秀奖和国产模拟IC卓越奖-入围奖。
国产SiC MOS又添新军,森国科多项性能媲美国际大厂
近日,森国科亮相“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”,重点介绍了新一代1200V SiC MOSFET与模块新品。据了解,这些SiC MOSFET新产品在Rds(on)等多项参数上,均优于多家国际大厂,并且采用15V栅极驱动,易用性大幅提升,目前这些产品已经通过了多家下游厂商的测试,并批量出货中。
森国科携功率器件产品亮相第十六届SNEC光伏展,为光伏、储能、新能源汽车等产业提供绿色芯动力
第十六届国际太阳能光伏与智慧能源大会暨展览会(SNEC)圆满落幕。作为国内领先的功率半导体设计公司,森国科致力于为光伏、储能、新能源汽车等产业提供绿色芯动力,此次参展,带来了全系列碳化硅产品及光伏、储能领域的应用方案。
电子商城
服务
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
提交需求>
提供蓝牙BLE芯片协议、蓝牙模块、蓝牙成品测试认证服务;测试内容分Host主机层,Controller控制器层,Profile应用层测试。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论