【应用】国产SIC MOS用于5KW逆变器，具有高达72A的过流能力，导通内阻低至40mΩ

1200V SIC MOS导通电阻低至50毫欧，低寄生电容，开关速度高达上百kHZ，助力设备高效小型化设计 | 功率器件专场 世强硬创新产品研讨会

这份资料主要探讨了功率半导体材料性能及其优缺点，对比了硅、砷化镓、氮化镓、碳化硅和金刚石等材料的禁带宽度、本征载流子浓度、介电常数、电子迁移率、击穿场强、电子饱和速率、热传导系数和Baliga优质系数等关键参数。同时，资料还对比了碳化硅和硅基MOSFET的寄生电容、开关损耗、导通损耗和反向恢复特性，并展示了瞻芯电子的1200V碳化硅MOSFET产品及其在高效小型化设计中的应用。

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IV2Q12017BD – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片

该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV2Q12017BD型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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瞻芯电子1700V SiC MOS系列产品变更通知（20221123001）

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IV2Q12017BA – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片

该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片的技术规格和应用信息。芯片具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

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IV1Q12080T3–1200V 80mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12080T3型号1200V 80mΩ SiC MOSFET的特性及应用。产品具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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IV1Q12050D7Z– 1200V 50mΩ 车规级 SiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050D7Z型号车规级SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。产品具有高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、车载充电器、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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IV1Q12080T3Z–1200V 80mΩ汽车用SiC MOSFET

本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV1Q12080T3Z型1200V 80mΩ汽车级碳化硅MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力等特点，适用于车载充电器、汽车压缩机逆变器、汽车DC/DC转换器和太阳能逆变器等领域。

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IV1Q12050D7Z–1200V 50mΩ汽车用SiC MOSFET

本资料介绍了某款功率器件的特性、电气参数和应用领域。该器件具有低阻抗封装、高阻断电压、高速切换能力等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器和高压直流/直流转换器等领域。

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IV1Q12050BD – 1200V 50mΩ SiC MOSFET 芯片

本文档介绍了InventChip公司的IV1Q12050BD型号的1200V 50mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动和开关电源等领域。

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IV1Q12080BD – 1200V 80mΩ SiC MOSFET 芯片

本文档介绍了InventChip公司的IV1Q12080BD型号1200V 80mΩ SiC MOSFET芯片的技术规格和应用信息。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。

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