力特碳化硅和氮化镓功率器件和模块助力电动汽车充电站应用设计，助力电动汽车发展

时间： 2019-12-06 来源：Littelfuse

技术问答

目前，电动汽车(EVs)和插电式混合动力汽车(HEVs)的数量低于内燃机汽车。然而，汽车向混合动力和电动的转变正在加速。预计到2020年，汽车销量将增长40%左右，从2017年的420万辆增至3030万辆。报告中的数据各不相同，但所有报告都预测，在未来几年，我们将看到混合动力汽车和电动汽车以惊人的速度增长。汽车转变为电动车，就像是今天的一条安静的乡间小路转变成明天的六车道高速公路。

图1 直流充电系统采用多种电路保护和功率半导体技术

这种转变的速度取决于许多因素，目前存在两个最大的限制，一个是缺乏车辆充电的基础设施，另外一个是充电需要消耗一定的时间。所以搭建一个直流快速充电站的网络是非常重要的。

出人意料的是，直流快速充电站的增长是平稳的，因为混合电动汽车不使用直流充电，并且不是所有的电动汽车都能使用快速充电。专家预测到2023年将会有2000个直流快速充电站，其中充电功率超过50千瓦的真正快速的充电站很少。

然而，这些充电站将对电子行业产生巨大的影响。直流快速充电站的功率半导体数量非常大，即使单元数量很少，到2030年功率半导体器件的总市场也可能超过1.2亿个。充电系统的增长速度预计将在2030年左右达到爆炸式增长，因此功率半导体器件和相关组件的市场预计将呈指数级增长。

随着美国、中国和欧洲领导人推动汽车向混合动力汽车和电动汽车的转变，以实现减少二氧化碳排放和提高燃料效率标准的目标，政府监管和立法正在推动这一增长。

单次充电的有限续航里程一直是消费者面临的一个挑战。但电池技术在过去几年里一直在改进。在电池成本下降的同时，电池充电容量和功率密度在增加。随着电池重量更轻、电力更强，我们将看到新型电动汽车的行驶里程达到300英里甚至更远，非常接近内燃机汽车的行驶里程。这些都提高了消费者的接受度。

另一项技术是碳化硅和氮化镓功率半导体器件和模块的出现。50千瓦及以上的电动汽车充电站需要高效的功率转换。功率损耗的每一个百分比都给如何处理散热带来了工程上的挑战。

图2 LITTELFUSE的碳化硅(SiC) MOSFET和肖特基(Schottky)二极管，

为电动汽车充电应用而设计，可以提供低功率开关损耗

想象一下，一个消费者想要在一个能够提供超过50千瓦的功率的直流快速充电站为汽车充电。这涉及到高电流，因此充电电缆的损耗会使其过热。这意味着设计将需要冷却电缆，这是一个老一代的充电站不需要考虑的复杂的问题。

物理学正在推动行业寻找在功率转换期间提供更高功率效率的新技术。设计工程师们接纳宽带隙(WBG)功率半导体器件，因为这些技术降低了功率损耗，尤其是碳化硅器件已经变得非常可靠且更便宜，这有助于实现向电动汽车的转换。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 201
| 转发至：

本文由黎慕翻译自Littelfuse，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（201）

这条线飞了 Lv5. 技术专家 2019-12-12

新能源汽车充电桩还是比以前好用多了
散装特仑苏 Lv5. 技术专家 2020-02-10

学习
用户74533240 Lv6. 高级专家 2020-02-03

支持，赞一个
破帽遮颜 Lv4. 资深工程师 2020-02-01

学习
游来游去 Lv8. 研究员 2020-01-27

学习

飞哥哥 Lv7. 资深专家 2020-01-27

学习
风一样的男子 Lv6. 高级专家 2020-01-25

不错
otsuka Lv9. 科学家 2020-01-25

学习了！
豆芽 Lv8. 研究员 2020-01-25

了解
Chandler Lv8. 研究员 2020-01-23

支持

展开更多评论

Littelfuse为电动和混合动力汽车提供功率半导体解决方案

Littelfuse参与了开发电动汽车技术，不仅从功率半导体的角度来看，而且从电路保护和传感的角度来看也是如此。其中一个最好的例子是车载充电器，我们正致力于成为客户需要的系统中几乎所有元件的一站式服务。Littelfuse在那里有大量的功率半导体器件，并且在电动汽车或混合动力汽车中还有其他应用示例，例如主开关或辅助系统。

行业资讯发布时间 : 2019-12-19

电动汽车充电站的市场趋势、技术趋势面向未来，RENESAS先进的半导体技术支持相关应用不断创新

瑞萨电子（RENESAS）为可再生能源、微型电网和电力电子市场（如电动汽车）提供广泛的半导体产品。此外，瑞萨电子提供的成功产品组合解决方案，将半导体产品（功率半导体+微控制器+模拟产品）组合在一起，并为每个单元以及半导体产品提供硬件参考设计和软件设计信息。通过利用电动汽车直流快速充电站，可以省略每个产品的设备选择和原型设计，从而有助于缩短开发周期并降低客户的研发成本。

行业资讯发布时间 : 2023-08-04

CALY Technologies为直流电动汽车充电解决方案推出1700V/25A SiC肖特基二极管KE17DJ25

2019年11月21日，应用于电气保护和功率转换应用的碳化硅（SiC）半导体器件的专业制造商CALY Technologies非常高兴地宣布推出25A，1700V SiC肖特基二极管KE17DJ25，该器件非常适合高效能电源转换的应用领域，例如电动汽车（EV）充电设备，工业电源和可再生能源转换器。

行业资讯发布时间 : 2019-12-05

Littelfuse（力特）IXYS功率半导体选型指南

目录- Introduction of Littelfuse Index Symbols and Terms/Nomenclature New Pressfit Pin packages ISOPLUS™ family IGBT Discretes IGBT Modules Power MOSFETs Diodes Thyristors Rectifier Bridges Protection Devices Gate Drivers/Power Relays Diode & Thyristor（IXYS Chippenham） Power Semiconductor Chips/Direct Copper Bonded Ceramic Substrates Application Notes Highlights Outline Drawings

型号- R1280NC25M,MCD 26-16IO1B,N2055HE420,IXTT 30N50L2,R1280NC25K,R1280NC25L,MCD 56-18IO8B,IXBOD 2-52R,R1280NC25J,IXTQ 52N30P,MCK 200-18IO1,IXYR 100N120C3,LSIC2SD120C05,MDC600-22IO1W,IXYH 16N250CV1HV,LSIC2SD120C08,M0863LC360,IXTP 100N15X4,VBO 125-08NO7,DPG 15I200PA,F1600NC080,IXTH 1N450HV,T0600TB45A,LSIC2SD065E40CCA,DSEP 2X91-03A,IXBOD 2-51R,IXTX 4N300P3HV,IXTA 36N30P,VBO 72-18NO7,M4305TJ240,IXFR 64N60P,N6405EA240,IXYR 50N120C3D1,MCD580-28IO7,VUO 25-14NO8,0440 007.WRA,IXFY 36N20X3,VBO 25-12NO2,IXTT 120N15P,M1010NC400,IXBH 6N170,MCC 56-14IO1,VBE 26-06NO7,MCD160-30IO3,SXB4869G,IXTJ 3N150,DHG 10I1200PM,IXTH 120P065T,VTO 39-08HO7,IXFN 32N80P,IXTL 2N450,DMA 30P1600HR,IXBOD 2-54R,MDK950-18N1W,CS 20-25MOT1,IXBOD 2-55R,IXTK 140N20P,IXTR 48P20P,DH 20-18A,W2115MC560,IXTP 05N100P,IXFT 18N90P,QJ8030LH4TP,N4340TJ180,DMA 30P1600HB,W3841VC340,MKH 17RP650DCGLB 11,,SXB4649HEXT,IXBOD 2-17RD,DSEP 40-03AS,IXFH 42N50P2,Q8025K6TP,IXFH 22N50P,DPG 30C200HB,DSI 30-12AS,MCMA 240UI1600ED,IXBOD 2-53R,M0367WC220,VUM 25-05E,CPC1786J,IXYT 80N90C3,T0840NC17E,CLA 100E1200HB,N3533ZD180,R0717LC16H,IXTR 140P10T,R0717LC16G,IXFT 60N50P3,VUM 33-06PH,IXFA 22N65X2,VUO 84-16NO7,MIXA 60W1200TED,MDD275-30N3,IXA 70I1200NA,IXYH 80N90C3,IXTQ 86N25T,IXFN 80N60P3,MDMA 65P1600TG,IXTL 2N470,IXTT 88N30P,XAA170,MCR500-30IO7,N6405EA280,DSA 30I100PA,IXGX 55N120A3H1,E0770HF65F,IXFR 40N90P,W7045MC030,IXTQ 44N50P,XK2000SA114M,IX4351NE 130,MDNA 660U2200PTEH,MIXG 180W1200TEH,LOC210,IXFK 120N25P,LOC211,IXGH 20N120A3,DSB 15IM30UC,IXTQ 26N50P,IXTP 450P2,IXFH 86N30T,IXFK 120N65X2,N2086NC060,IXTP 60N20T,MDD 142-12N1,IXXH 30N60B3D1,XSK4400DA116M076,CPC1788J,IXFB 40N110P,N2055HE450,IXBOD 2-56R,DHG 10I1200PA,M4305TJ280,DSA 60C60HB,IXFK 240N25X3,MCD720-18IO7,F1300NC45P,R0717LC14H,W121CEC180,W4205TE520,R0717LC14G,XW180GC34B,MMIX 1G75N250,XW180GC34A,IXBOD 1-30R,IXTY 1R4N100P,MDO 500-18N1,XSK3400DA076038,VBO 25-16AO2,VBO 50-16NO7,K1947ZC400,IXFQ 26N50P3,DSEP 2X91-06A,MEO 450-12DA,S0500YC25Y,IXYQ 30N65B3D1,W3842MC240,S6004DS2RP,G4000EF250,CLA 100E1200KB,IXTT 1N450HV,VUB 116-16NOXT,H0700KC140,VW 2X60-12IO1,MCMA 265P1600KA,DPG 10I200PA,IXFT 46N30T,IXYP 10N65C3D1,IXTH 440N055T2,N3533ZD140,DPG 10I200PM,Q8015LTP,DSA 70C200HB,DPG 30I300HA,DSA 50C100QB,IXTH 30N50L2,R3047TC28M,R3047TC28N,MCC 44-14IO8B,R3047TC28K,MCNA 180PD2200YB,MCD 255-16IO1,N2172ZD450,MCO 500-16IO1,DCG 20C1200HR,MCD 162-18IO1,VVZB-16IOXT,DSSK 40-006B,IXGH 10N170A,VUO 62-14NO7,M0710LC600,Ø IXTP 130N15X4,N4472HK180,IXBOD 1-32RD,DHH 55-36N1F,DSSK 18-0025BS,MCD 56-18IO1B,IXFK 220N20X3,Ø IXG 70IF1200NA,F0900VF520,IXBOD 2-35RD,IXTA 90N075T2,R2475ZD28R,VUB 120-16NOX,IXYP 20N120C4,R2475ZD28N,M0367WC280,IXYP 20N120C3,M1609NC260,R2475ZD28M,IXXH 40N65B4,MDD 26-14N1B,VUO 98-16NO7,MDD 310-18N1,MCD 26-16IO8B,MITA 300RF1700PTED,H0700KC14Y,MDC500-22IO1,VBO 52-08NO7,XAA117,DSEP 2X61-12B,DSEP 2X61-12A,IXFX 180N15P,S8055RTP,VUO 68-08NO7,MCNA 120PD2200TB-NI,MIXA 41W1200ED,IXTH 06N220P3HV,IXTP 10P50P,MCD500-18IO1,MMO 140-12IO7,IXYP 20N120B4,MCC500-22IO1,IXFH 50N85X,W3842MC280,DSSK 40-008B,DSSK 60-02A,IXFR 102N30P,N4472HK160,IXFH 12N120P,H0700KC17Y,MCC320-36IO2,M1494NK250,XSL300C2WS,DSEP 2X25-12C,IXFH 100N25P,IXTK 200N10L2,DSEP 12-12B,MMIX 1B20N300C,DSEP 12-12A,IXTH 50N25T,IXFN 140N30P,H0700KC17D,W3842MC28A,DSEI 60-06A,MCD 225-12IO1,LSIC2SD065D06A,M0451YC120,DSEI 2X161-12P,DHG 50X650NA,MCMA 35PD1200TB,MDC550-12IO1,DSI 2X55-12A,IXTY 8N65X2,MCC 255-16IO1,IXYP 20N120A4,IXTH 460P2,LCA220,MDD 56-18N1B,MDC580-28IO7,W9830TJ150MBR,R1280NC21J,CLA 100E1200TZ,IXTP 230N04T4,R1280NC21M,VBE 17-06NO7,R1280NC21K,R1280NC21L,M1609NC200,IXGX 120N60A3,MMO 175-16IO7,IXGK 82N120A3,DSSK 48-0025B,CS 19-08HO1S,DSEC 30-12A,MCD501-16IO2,MIXG 240W1200PTEH,LSIC2SD120E30CC,SJ6012DRP,VUO 105-18NO7,R1280NC22J,MCD 72-18IO1B,VUO 160-18NO7,IX4310T,R1280NC22K,R1280NC22L,R1280NC22M,F0900VC450,MEO 500-06DA,SXB2167FB,IXTQ 60N10T,IXFN 30N120P,VUO 30-08NO3,M0334RJ200,DSA 60C60PB,MDD 255-16N1,IXFH 18N65X2,MCC 225-12IO1,R2620ZC22L,MDA 810-18N2,R2620ZC22K,IXBH 10N170,R2620ZC22J,MDMA 140P1200TG,MDA950-18N1W,NANOASMDC016F-2,IXFN 40N110P,IXFX 250N10P,MCD320-30IO2,IXTY 10P15T,IXBOD 2-50R,DPG 30I300PA,IXFN 50N120SK,CPC3902,N2172ZD420,IXTT 16N20D2,MDD 710-26N2,W3841VC300,N4340TJ180MBR,IXTP 12N65X2,N3175HE160,SV6020R2TP,DSEI 60-02A,DPG 60C400QB,CPC3909,W2115MC520,DSEC 60-06B,DSEC 60-06A,MCMA 450UH1600TEH,DSSK 30-018A,IXYP 10N65C3,IXBH 22N300HV,IXTA 62N15P,CNE 60E2200TZ,DSI 2X55-16A,IXFR 180N15P,F1500NC200,LSIC2SD120C10,IXFP 220N06T3,MCD600-22IO1W,IXTA 36P15P,MIXG 360PF1200PSTED,F1500NC250,IXFH 80N65X2-4,MDD 175-28N1,IXBT 32N300HV,DSA 35-12A,IXTX 60N50L2,M0710LC560,R5145FA42V,IXTH 30N50P,R5145FA42W,DHG 100X650NA,IXGT 10N170A,IXFA 10N80P,MMIX 1T132N50P3,FMM 22-06PF,DMA 30P1200HB,DSA 75-16B,W5130MK280,IXTH 2R4N120P,LSIC1MO120T0080,IXTX 80N30L2,IXYN 75N65C3D1,MDD630-36N2,DSEI 2X161-06P,W5838ZD220,DSEI 60-12A,IXYH 40N65C3H1,W5282ZC240,IXTR 210P10T,MDMA 425P1600PTSF,IXXK 300N60C3,P0848YC06B,P0848YC06C,DHG 60C600HB,DPG 30P300PJ,LSIC1MO120E0040,S0700KC14Y,IXFK 220N15P,MCC 26-16IO1B,IXGK 55N120A3H1,DSA 1

选型指南 - LITTELFUSE - 2021/06/01 PDF 英文下载

【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行

现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。

器件选型发布时间 : 2020-12-29

ISOPLUS – SMPD: An Advanced Isolated Packaging to Fully Exploit the Advantages of SiC MOSFETs White Paper

白皮书 - LITTELFUSE - Rev 24.03c - 2024/3/20 PDF 英文下载

储能光伏直流高压隔离器的电源前端保护选用肖特基二极管MBRF20200CT，整体工作效率提高8%

推荐客户使用LITTELFUSE的肖特基二极管MBRF20200CT来保护储能光伏直流高压隔离器的电源前端，适应户外等相对恶劣的环境，保证客户储能光伏直流高压隔离器在85℃的高温下仍能正常工作，与客户之前使用单颗的肖特基二极管相比，整体工作效率提高8%，且还可以通过高达20A的电流。

应用方案发布时间 : 2023-05-31

【应用】Littelfuse SiC MOSFET LSIC1MO120E0160助力有源电力滤波器大幅提升开关频率

传统的有源滤波器通常只能滤除25次及以下次谐波，通常采用IGBT作为主功率器件，开关频率低，滤波效果差。Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160可将开关频率由20kHz提高至100kHz，实现滤波高达50次谐波的有源滤波器设计。

应用方案发布时间 : 2021-01-12

解析肖特基二极管在现代社会的应用场景

肖特基二极管是一种重要的电子器件，广泛应用于现代社会的各个领域，为人们的生活和工作提供了便利。本文中钜兴来给大家介绍肖特基二极管在现代社会的应用场景，希望对各位工程师有所帮助。

技术探讨发布时间 : 2024-07-24

【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC20N3300MT4，最高结温为150℃，符合ROHS标准

ASC20N3300MT4是爱仕特推出的一款N沟道SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。

产品发布时间 : 2022-03-11

【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT4，漏源电压VDS达到1700V

深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V，TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A，耗散功率PD=420W。

新产品发布时间 : 2022-03-10

ADS070N12MT8 SiC MOSFET分立器件(ADS070N12MT8 SiC MOSFET discrete)

型号- ADS070N12MT8

数据手册 - 阿基米德半导体 - Rev. A 1 - Mar, 2024 PDF 中英文下载

【应用】Littelfuse DST系列肖特基二极管，为汽车发动机冷却系统提供可靠的保护方案

本文主要介绍Littelfuse的DST系列肖特基二极管在汽车发动机冷却系统上的应用，该系列肖特基二极管具有高结温能力、高电流处理能力、超低正向压降和低反向漏电流，能为汽车应用提供稳定可靠的保护，并使其具有更高的系统效率。

应用方案发布时间 : 2019-01-25

【应用】1200V/160mΩ的SiC MOSFET助力双向OBC小型化设计，可实现300KHz开关频率

本文推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160，耐压1200V，导通电阻160mΩ，助力双向OBC设计。可实现300KHz的开关频率，设计时可减小变压器体积，实现OBC小型化需求，此外产品本身具有高可靠性。

应用方案发布时间 : 2021-01-14

配备DIF120SIC053的直流快速充电站，是电动汽车在最短时间内实现最大续航里程的理想解决方案

德欧泰克的 SiC MOSFET DIF120SIC053功率MOSFET脱颖而出，使这一切成为可能。该MOSFET具1200V VDS和52A连续ID， TO-247-4L封装，并配备开尔文源触点，便于散热器安装，RDS(ON) ＜53mΩ。设计用于高速供电和传输系统，如电动汽车充电桩和DC/DC转换器。

应用方案发布时间 : 2024-07-22