力特碳化硅和氮化镓功率器件和模块助力电动汽车充电站应用设计，助力电动汽车发展
目前，电动汽车(EVs)和插电式混合动力汽车(HEVs)的数量低于内燃机汽车。然而，汽车向混合动力和电动的转变正在加速。预计到2020年，汽车销量将增长40%左右，从2017年的420万辆增至3030万辆。报告中的数据各不相同，但所有报告都预测，在未来几年，我们将看到混合动力汽车和电动汽车以惊人的速度增长。汽车转变为电动车，就像是今天的一条安静的乡间小路转变成明天的六车道高速公路。
图1 直流充电系统采用多种电路保护和功率半导体技术
这种转变的速度取决于许多因素，目前存在两个最大的限制，一个是缺乏车辆充电的基础设施，另外一个是充电需要消耗一定的时间。所以搭建一个直流快速充电站的网络是非常重要的。
出人意料的是，直流快速充电站的增长是平稳的，因为混合电动汽车不使用直流充电，并且不是所有的电动汽车都能使用快速充电。专家预测到2023年将会有2000个直流快速充电站，其中充电功率超过50千瓦的真正快速的充电站很少。
然而，这些充电站将对电子行业产生巨大的影响。直流快速充电站的功率半导体数量非常大，即使单元数量很少，到2030年功率半导体器件的总市场也可能超过1.2亿个。充电系统的增长速度预计将在2030年左右达到爆炸式增长，因此功率半导体器件和相关组件的市场预计将呈指数级增长。
随着美国、中国和欧洲领导人推动汽车向混合动力汽车和电动汽车的转变，以实现减少二氧化碳排放和提高燃料效率标准的目标，政府监管和立法正在推动这一增长。
单次充电的有限续航里程一直是消费者面临的一个挑战。但电池技术在过去几年里一直在改进。在电池成本下降的同时，电池充电容量和功率密度在增加。随着电池重量更轻、电力更强，我们将看到新型电动汽车的行驶里程达到300英里甚至更远，非常接近内燃机汽车的行驶里程。这些都提高了消费者的接受度。
另一项技术是碳化硅和氮化镓功率半导体器件和模块的出现。50千瓦及以上的电动汽车充电站需要高效的功率转换。功率损耗的每一个百分比都给如何处理散热带来了工程上的挑战。
图2 LITTELFUSE的碳化硅(SiC) MOSFET和肖特基(Schottky)二极管，
为电动汽车充电应用而设计，可以提供低功率开关损耗
想象一下，一个消费者想要在一个能够提供超过50千瓦的功率的直流快速充电站为汽车充电。这涉及到高电流，因此充电电缆的损耗会使其过热。这意味着设计将需要冷却电缆，这是一个老一代的充电站不需要考虑的复杂的问题。
物理学正在推动行业寻找在功率转换期间提供更高功率效率的新技术。设计工程师们接纳宽带隙(WBG)功率半导体器件，因为这些技术降低了功率损耗，尤其是碳化硅器件已经变得非常可靠且更便宜，这有助于实现向电动汽车的转换。
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这条线飞了 Lv5. 技术专家 2019-12-12新能源汽车充电桩还是比以前好用多了 -
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散装特仑苏 Lv5. 技术专家 2020-02-10学习 -
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用户74533240 Lv6. 高级专家 2020-02-03支持，赞一个 -
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游来游去 Lv8. 研究员 2020-01-27学习 -
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型号- R1280NC25M,MCD 26-16IO1B,N2055HE420,IXTT 30N50L2,R1280NC25K,R1280NC25L,MCD 56-18IO8B,IXBOD 2-52R,R1280NC25J,IXTQ 52N30P,MCK 200-18IO1,IXYR 100N120C3,LSIC2SD120C05,MDC600-22IO1W,IXYH 16N250CV1HV,LSIC2SD120C08,M0863LC360,IXTP 100N15X4,VBO 125-08NO7,DPG 15I200PA,F1600NC080,IXTH 1N450HV,T0600TB45A,LSIC2SD065E40CCA,DSEP 2X91-03A,IXBOD 2-51R,IXTX 4N300P3HV,IXTA 36N30P,VBO 72-18NO7,M4305TJ240,IXFR 64N60P,N6405EA240,IXYR 50N120C3D1,MCD580-28IO7,VUO 25-14NO8,0440 007.WRA,IXFY 36N20X3,VBO 25-12NO2,IXTT 120N15P,M1010NC400,IXBH 6N170,MCC 56-14IO1,VBE 26-06NO7,MCD160-30IO3,SXB4869G,IXTJ 3N150,DHG 10I1200PM,IXTH 120P065T,VTO 39-08HO7,IXFN 32N80P,IXTL 2N450,DMA 30P1600HR,IXBOD 2-54R,MDK950-18N1W,CS 20-25MOT1,IXBOD 2-55R,IXTK 140N20P,IXTR 48P20P,DH 20-18A,W2115MC560,IXTP 05N100P,IXFT 18N90P,QJ8030LH4TP,N4340TJ180,DMA 30P1600HB,W3841VC340,MKH 17RP650DCGLB 11,,SXB4649HEXT,IXBOD 2-17RD,DSEP 40-03AS,IXFH 42N50P2,Q8025K6TP,IXFH 22N50P,DPG 30C200HB,DSI 30-12AS,MCMA 240UI1600ED,IXBOD 2-53R,M0367WC220,VUM 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基本半导体（BASIC）碳化硅功率器件选型指南
描述- 深圳基本半导体有限公司是中国第三代半导体行业创新企业，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。公司总部位于深圳，在北京、上海、无锡、香港以及日本名古屋设有研发中心和制造基地。公司拥有一支国际化的研发团队，核心成员包括二十余位来自清华大学、中国科学院、英国剑桥大学、德国亚琛工业大学、瑞士联邦理工学院等国内外知名高校及研究机构的博士。
型号- B2D05120E1,B2M1000170Z,B2M1000170R,BTD5350SBPR,BTL27523R,B2M080120Z,BMS600R12HLWC4_B01,B3D40120HC,B2D40065H1,BGH75N65HS1,BD2M040A120S1,B2M080120R,BGH75N65ZF1,B2D,B2D60120H1,BMS800R12HWC4_B02,BMS950R08HLWC4_B02,BTL27523B,B2M080120H,B2D16120HC1,B3D03120E,BGH40N120HS1,B2DM060065N1,BTD5350E,BTD5350SBWR,BTD5350EBPR,B3D系列,BTD21520M,BTL27524R,B2D30120H1,BTD21520E,BTD5350MBPR,BD2D20A120S1,BD2D40A120S1,B3D,BTL27524BR,BTL27524B,B2D02120K1,BTD21520S,BMF800R12FC4,BTL2752X,AB2M040120Z,BD2D10A065S1,B2M040120H,BTD25350MMCWR,BTD21520系列,BTD3011R,BTD21520MBWR,B2D10120E1,AB2M040120R,BTD5350SCPR,BMF240R12E2G3,BMF600R12FC4,BMS700R08HWC4_B01,BTD21520EBWR,B2D08065K1,B2M032120Y,BTD25350MECWR,BTD5350EBWR,B2D30120HC1,B2D40120HC1,BD2D04A065S1,B2D10065F1,B2M040120Z,B2M009120Y,BD2M065A120S1,BD2D02A120S1,BMF700R08FC4,B2D系列,B1D06065KS,B2D40120H1,B2M040120R,BMS950R08HWC4_B02,BGH50N65HS1,BGH50N65ZF1,B2D10065KF1,B2D04065E1,BTD5350,BTD5350SCWR,B3D40200H,BTD5350ECPR,BTD5350M,BTD5350MBWR,BTD21520MBPR,BTD5350S,B2D08065KS,BD2D30A120S1,BTD5350MCPR,B2D20065F1,BD2D08A120S1,B2M1000170H,BTL27523BR,BMS800R12HLWC4_B02,BD2D15A065S1,BD2D20A065S1,B2D20120H1,B2M160120Z,BTD25350MMBWR,B2D10120K1,BTD21520MAWR,B2D20065HC1,B2D30065HC1,BTD25350,B2M160120R,BTD21520EAWR,B2D40065HC1,BMS700R08HLWC4_B01,BTD5350ECWR,BTD25350MEBWR,B2D04065KF1,BGH75N65HF1,B2D10065KS,BTD21520EBPR,BMZ200R12TC4,BTD21520SBWR,B2D04065K1,B3D20120H,BMS600R12HWC4_B01,B2M160120H,BGH75N120HF1,B2M030120R,BD2D08A065S1,BTD25350系列,B2M011120HK,BTD21520SBPR,BTD3011R系列,BTD21520MAPR,B2M030120Z,B2M009120N,BTD5350MCWR,B2D06065K1,BTD5350系列,BMZ250R08TC4,B2M012120N,B3D50120H2,BTD25350MSCWR,BTL2752X系列,B2D20065H1,B2D10065E1,B2M030120H,BD2D30A065S1,B2D06065KF1,B2D05120K1,B2D02120E1,B2D06065E1,BMF950R08FC4,BD2D05A120S1,BGH50N65HF1,B2D20120F1,BD2D15A120S1,B2D20120HC1,B2D10120HC1,BTD21520EAPR,BTD25350ME,BTD21520SAWR,BTD21520,B2D20065K1,B2M018120Z,BTD25350MM,BTD25350MS,B2D16065HC1,AB2M080120R,B2D10120H1,B2M018120N,BD2D06A065S1,B2D30065H1,B2M065120Z,BTD21520SAPR,AB2M080120H,B2M065120R,B2M018120H,B2M065120H,BD2D10A120S1,BTL27523,B2D10065K1,AB2M080120Z,BTD25350MSBWR,B2M020120Y,BTL27524,B3D05120E,B2DM100120N1,BD2D40A065S1
氮化镓（GaN）材料的发展潜力有多大？
氮化镓是一种宽能隙材料，它能够提供与碳化硅（SiC）相似的性能优势，但降低成本的可能性却更大。业界认为，在未来数年间，氮化镓功率器件的成本可望压低到和硅MOSFET、IGBT及整流器同等价格。你怎么看？本文中就让金誉半导体带大家了解一下，再判定不迟。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-01
【产品】国产N沟道SiC MOSFET ASC100N1700MT4，漏源电压VDS达到1700V
深圳爱仕特科技有限公司能自主设计研发碳化硅（SiC）MOSFET。而ASC100N1700MT4是其推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。ASC100N1700MT4的漏源电压VDS为1700V，TC=25℃ 时连续漏极电流ID为100A，耗散功率PD=420W。
新产品 发布时间 : 2022-03-10
解析肖特基二极管在现代社会的应用场景
肖特基二极管是一种重要的电子器件，广泛应用于现代社会的各个领域，为人们的生活和工作提供了便利。本文中钜兴来给大家介绍肖特基二极管在现代社会的应用场景，希望对各位工程师有所帮助。
技术探讨 发布时间 : 2024-07-24
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可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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