【产品】隔离电压达1700V的SiC MOSFET隔离驱动板
全球领先的化合物半导体材料、功率器件产品的供应商WOLFSPEED公司（原Cree Power）推出了基于C2M系列SiC MOSFET的隔离驱动板CRD-001，其最大隔离电压可达1700V，输出电压为35V，输出峰值电流为9A，输出电阻为0.8Ω，可以确保系统有极高的开关频率与超低的开关损耗，从而提高整个系统的能效。CRD-001采用33.5mm×37.6mm的6管脚封装规格，集成了具有隔离工艺的电源。
通过与Wolfspeed公司的SiC功率MOSFET和肖特基二极管配合使用，设计者可以获得同等级Si基功率器件所无法达到的更高能量效率以及更小的体积与重量。CRD-001可广泛应用于逆变电源、不间断电源以及LED驱动电源等领域。
与其他同类产品相比，CRD-001增大了其PCB电路板的面积，加入了功率为1-2W的DC/DC转换器，从而可被用于工作频率更高或隔离电压更高的SiC MOSFET。另外，CRD-001为光电隔离器加入了一个独立的调节器，可以将DC/DC转换器在非隔离状态下进行旁路，并使得其瞬态共模抗干扰度Dv/Dt达到了30kV/μs。CRD-001对输出阻抗网络进行了调制，加入了一个额外的二极管，从而允许设计者对其开启与关断的转变过程进行各自独立的优化。
CRD-001的产品特性：
• 支持900V、1200V和1700V的SiC MOSFET
• 集成了具有隔离工艺的电源
• 高爬电距离/电气间隙
• 在光电隔离器中加入了一个独立调节器，允许非隔离操作
• 对输出阻抗网络进行了调制，允许设计者对其开启与关断的转变过程进行各自独立的优化
• 可提供完整的设计参考文件
CRD-001的应用范围：
• 逆变电源
• 不间断电源
• LED驱动电源
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用户18396822 Lv8 2018-05-20厉害了 -
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EV Lv6. 高级专家 2017-12-22收藏 -
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zdr69909057 Lv8. 研究员 2017-12-14很不错 -
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小旋风 Lv7. 资深专家 2017-12-12新技术，先收藏 -
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wk23642 Lv4. 资深工程师 2017-10-06好东西收藏先
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目前使用的是FGH40T120SMD这种单管并联使用，如果一个分立器件失效，则直接替换器件，而模块多器件失效，则需更换整个模块，那模块的优势在哪里呢？
模块的可靠性更高，可以降低整体的失效率，它更容易做更高的防护等级。并且模块不需要太多并联，如果结构好，模块的散热也会更好，而且模块在功率扩容时也更容易。所以分立器件是在失效发生后替换器件，而模块可以直接从源头降低失效率。
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