【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET，集成高速二极管
P5F50HP2F是新电元推出的一款N沟道功率MOSFET，其漏极-源极额定电压500V，漏极持续电流（DC）最大5A，源极持续电流（DC）最大5A，可满足大功率电路的设计需求。该款MOSFET具有高开关速度，其导通延时时间典型值为9ns，上升时间典型值为11ns，关断延时典型值为35ns，可以很好地满足高频开关电路设计需求。
N沟道功率MOSFET P5F50HP2F的零栅极电压漏电流最大为100uA，栅极-源极漏电流最大为±10uA，有效确保器件在运行过程中具有低损耗。同时P5F50HP2F具有低导通电阻，其漏极-源极动态导通阻抗典型值为1.38Ω，可使MOSFET在电路中自身损耗更低。此外，P5F50HP2F的总栅极电荷典型值为10.5nC，不仅可使器件更好满足高速电路设计，同时具有更低损耗。
P5F50HP2F内部集成高速源极-漏极二极管，反向恢复时间典型值为70ns，内部集成二极管可承受重复雪崩电流达5A，可承受di/dt能力达350A/us，可为MOSFET提供最佳保护。
P5F50HP2F的总功率耗散最大52.5W，沟道温度最高150℃，结壳热阻最大2.38℃/W，确保该款MOSFET可以承受大功率应用的自身发热，使系统更加可靠、稳定。
P5F50HP2F的特点：
• 漏极-源极额定电压500V
• 漏极持续电流（DC）最大5A，源极持续电流（DC）最大5A
• 零栅极电压漏电流最大100uA（VDS=500V，VGS=0V）
• 栅极-源极漏电流最大±10uA（VGS=±25V，VDS=0V）
• 漏极-源极动态导通阻抗典型值1.38Ω（ID=2.5A，VGS=10V）
• 总栅极电荷典型值10.5nC（VDD=400V，VGS=10V，ID=5A）
• 集成高速源极-漏极二极管，反向恢复时间典型值70ns（IF=5A，di/dt=100A/us）
• 源极-漏极二极管可承受di/dt能力达350A/us（IS=5A，TC=25℃）
• 可承受重复雪崩电流达5A（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
• 导通延时时间典型值9ns，上升时间典型值11ns，关断延时典型值35ns（ID=2.5A，RL=60Ω，VDD=150V，Rg=50Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 总功率耗散最大52.5W
• 沟道温度最高150℃，结壳热阻最大2.38℃/W
P5F50HP2F的应用：
• AC-DC转换器
• 功率因数校正（PFC）
• 逆变器
• 电机驱动器
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