【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET，集成高速二极管
P5F50HP2F是新电元推出的一款N沟道功率MOSFET，其漏极-源极额定电压500V，漏极持续电流（DC）最大5A，源极持续电流（DC）最大5A，可满足大功率电路的设计需求。该款MOSFET具有高开关速度，其导通延时时间典型值为9ns，上升时间典型值为11ns，关断延时典型值为35ns，可以很好地满足高频开关电路设计需求。
N沟道功率MOSFET P5F50HP2F的零栅极电压漏电流最大为100uA，栅极-源极漏电流最大为±10uA，有效确保器件在运行过程中具有低损耗。同时P5F50HP2F具有低导通电阻，其漏极-源极动态导通阻抗典型值为1.38Ω，可使MOSFET在电路中自身损耗更低。此外，P5F50HP2F的总栅极电荷典型值为10.5nC，不仅可使器件更好满足高速电路设计，同时具有更低损耗。
P5F50HP2F内部集成高速源极-漏极二极管，反向恢复时间典型值为70ns，内部集成二极管可承受重复雪崩电流达5A，可承受di/dt能力达350A/us，可为MOSFET提供最佳保护。
P5F50HP2F的总功率耗散最大52.5W，沟道温度最高150℃，结壳热阻最大2.38℃/W，确保该款MOSFET可以承受大功率应用的自身发热，使系统更加可靠、稳定。
P5F50HP2F的特点：
• 漏极-源极额定电压500V
• 漏极持续电流（DC）最大5A，源极持续电流（DC）最大5A
• 零栅极电压漏电流最大100uA（VDS=500V，VGS=0V）
• 栅极-源极漏电流最大±10uA（VGS=±25V，VDS=0V）
• 漏极-源极动态导通阻抗典型值1.38Ω（ID=2.5A，VGS=10V）
• 总栅极电荷典型值10.5nC（VDD=400V，VGS=10V，ID=5A）
• 集成高速源极-漏极二极管，反向恢复时间典型值70ns（IF=5A，di/dt=100A/us）
• 源极-漏极二极管可承受di/dt能力达350A/us（IS=5A，TC=25℃）
• 可承受重复雪崩电流达5A（起始Tch=25℃，Tch≤150℃）
• 导通延时时间典型值9ns，上升时间典型值11ns，关断延时典型值35ns（ID=2.5A，RL=60Ω，VDD=150V，Rg=50Ω，VGS（+）=10V，VGS（-）=0V）
• 总功率耗散最大52.5W
• 沟道温度最高150℃，结壳热阻最大2.38℃/W
P5F50HP2F的应用：
• AC-DC转换器
• 功率因数校正（PFC）
• 逆变器
• 电机驱动器
相关技术文档：
SHINDENGEN P5F50HP2F 功率MOSFET数据手册 详情>>>
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本网站所有内容禁止转载，否则追究法律责任！
相关推荐
【产品】50V，80A的N沟道功率MOSFET，导通电阻典型值仅为3mΩ
新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET，它拥有结壳热阻小，静态漏源导通电阻低，开关速度快以及电容低等优势，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
【产品】 GaN高频增强型大功率场效应管,栅极输入电容仅210pF
EPC2031氮化镓增强型功率晶体管有极低的栅极输入电容，实现了低开关延迟。
【产品】400V，9A的高压N沟道功率MOSFET，大功率电路设计首选
新电元的P9B40HP2是一款SMD封装的N沟道功率MOSFET，兼具小尺寸、低噪音等优点，其结壳热阻θjc最大值仅为3.12℃/W，可用于开关电路、驱动器、逆变器等电子电路中。
Shindengen（新电元） 功率模块MG020201数据手册
MG020201 7101
SHINDENGEN - 电源模块,电力电子功率器件,POWER MODULE,电力电子功率模块,MG020201 7101,MG020201-7101,MG020201,室内照明,INVERTER,逆变器,工业电子,智能家居,个人代步工具,SERVO AMPLIFIER,小家电,大家电,汽车电子,伺服放大器
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET，总损耗功率最大值仅为35W
新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET，它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长，主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。
【产品】栅极电荷总量仅15nC的3A大电流MOSFET管,工作电压可达100V
Central的CZDM1003NMOSFET管额定电压为栅极电荷总量为15nC，可有低的开关损耗,是继电器和电机控制电路首选。
【产品】120V/100A功率 MOSFET，全功率损耗为238W
新电元的功率MOSFET P100FP12SNK，单脉冲雪崩能量达373mJ，采用10V栅极驱动，可满足大功率驱动应用需求。
【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET，高频开关电路首选
新电元的P20B12SN是一款120V，20A的N沟道功率MOSFET，其静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为33mΩ,器件具有高电压、高能效、低R（DS）ON和低电荷等优势，专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。
【产品】600V/15A功率 MOSFET，漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs
新电元推出的低电容功率 MOSFET P15FH60HP2，全功率损耗为175W，单脉冲雪崩能量为65mJ，可满足一般电源系统的设计要求，适用于电源故障检测器、电池备用电路等应用。
【产品】40V，60A的N沟道功率MOSFET，零门极电压漏电流最大仅1uA
新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET，其导通延迟时间td（on)典型值为10ns，静态漏源导通电阻R（DS）ON典型值仅为4.6mΩ（ID＝30A,VGS＝4.5V），主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。
【产品】导通电阻仅0.29Ω的N沟道高耐压MOSFET，大功率电源及充电器设计首选
新电元的P20FH50HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，适合大功率电源以及充电器设计等应用。器件功耗最大值为175W，可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
【产品】50V抗雪崩N沟道MOSFET，单脉冲雪崩能量达245mJ
新电元的P70F5EN是一款采用FTO-220AG三引脚绝缘封装的N沟道MOSFET，其主要优势在于拥有低静态漏源导通电阻以及极高的单脉冲雪崩能量，主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
【产品】高耐压低噪声的600V/0.5A的MOSFET
新电元的P0R5B60HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET，总门极电荷Qg典型值仅为4.3nC，有着较好的开关性能。可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。
【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET
新电元（Shindengen）公司推出的功率 MOSFET P86F6SN，采用绝缘封装，使用10V栅极驱动，具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ，可满足大功率驱动应用需求。
电子商城
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
根据用户的蓝牙模块，使用Bluetooth 蓝牙测试装置MT8852B，测试蓝牙1.0至5.1，包括传输速率、功率、频率、调制和接收机灵敏度，生成测试报告。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论