【产品】40V/120A N沟道高级功率MOSFET RU40120M，采用超高密度单元设计

时间： 2022-04-10 来源：锐骏半导体

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锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道高级功率MOSFET RU40120M，漏源电压V_DS为40V，T_C=25℃ 时漏极连续电流I_D为120A（V_GS=10V）。

产品外观和示意图

特点：

40V，120A，R_DS(ON)=2.7mΩ(Typ)@V_GS=10V

超高密度单元设计

超低导通电阻

快速开关速度

100%雪崩测试

无铅和器件绿色环保（符合RoHS）

应用：

DC-DC转换器

电源

最大额定参数：

电气特性(T_C=25℃，除非特别说明)：

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产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3

选型表 - 锐骏半导体立即选型

RU8049R N沟道高级功率MOSFET

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型号- RU8049R

APR.,2012 - 锐骏半导体 - 数据手册 - Rev.A 代理服务技术支持批量订货

锐骏半导体N-MOSFET选型表

锐骏半导体提供以下参数的N-MOSFET：Channel(沟道)：N/Dual-N/N+P; ESD(静电泄放):N/Y; VDSS(零栅压最大漏源电压):20~85V; VTH(阈值电压)：0.5~5V; IDS:0.2~200A; 封装外形有：SOT23-3、DFN3333、DFN3030、SOT23、SOT23-6等多种封装外形

产品型号	品类	Channel	ESD Diode (Y/N)	VDSS(V)	VTH(V)	IDS(A)@TA=25℃ (A)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-4.5V (mΩ)	RDS(ON)(mΩ)Typ.at VGS=-2.5V (mΩ)	Package
RU207C	MOSFET	N	N	20	0.5-1.1	6	10	15	SOT23-3