【产品】40V/120A N沟道高级功率MOSFET RU40120M，采用超高密度单元设计
锐骏半导体推出采用PDFN5060封装的N沟道高级功率MOSFET RU40120M，漏源电压VDS为40V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为120A（VGS=10V）。
产品外观和示意图
特点：
40V，120A，RDS(ON)=2.7mΩ(Typ)@VGS=10V
超高密度单元设计
超低导通电阻
快速开关速度
100%雪崩测试
无铅和器件绿色环保（符合RoHS）
应用：
DC-DC转换器
电源
最大额定参数：
电气特性(TC=25℃，除非特别说明)：
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