美浦森携N沟道MOSFET和碳化硅MOSFET新品参加2020年广州亚太电源展
2020年8月16至18日,美浦森半导体在广州进出口商品交易会展馆参加了由广东省对外经济合作企业协会、广东省粤港澳经贸合作促进会、广东鸿威国际会展集团有限公司联合主办的2020亚太国际电源产品及技术展并圆满落幕。
作为全球电源产业链的重要展览平台,2020亚太国际电源产品及技术展,覆盖了电源适配器、开关电源、LED电源、UPS电源、移动电源(便携式电源)、逆变电源、通信电源、模块电源、电脑电源、可编程电源等展品,为专业采购商、观众打造了一站式采购交流平台。吸引了200多家企业前来参会。美浦森半导体紧跟我国电源行业的发展趋势,为期三天的展会现场精彩不断,美浦森亮出优势的产品、先进技术,引得专业采购商、观众驻足参观交流,人流不断。
产品介绍
N沟道MOSFET SLF65R170E7,采用第三代多层外延工艺,将RSP做到行业领先水平,令产品在更小面积内获得更佳的电参数。
碳化硅MOSFET MSK060065M1,采用碳化硅最新MPS工艺,相同电压下做到更低的VF值,低漏电,高电压,让客户获取更安全的产品。
美浦森半导体成立于2008年,总部位于深圳市南山区,在韩国富川,深圳均设有研发中心。公司成立10多年来,公司自主品牌MAPLESEMI系列产品广泛应用于各类开关电源、工业电源、新能源、消费类电子、小家电、BLDC、BMS、数码类及其周边产品,工业控制等各领域,深受国内外客户的一直好评。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由seven转载自美浦森,原文标题为:美浦森半导体参加2020年广州亚太电源展,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表
目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET
型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G
国基南方加速碳化硅MOSFET技术攻关,建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线
国基南方持续推进碳化硅MOSFET关键核心技术攻关和产业化应用,经过集智攻坚,团队建立国内第一条6英寸碳化硅功率产品生产线,在国内率先突破6英寸碳化硅MOSFET批产技术,形成了成套具有自主知识产权的碳化硅功率产品技术体系。
原厂动态 发布时间 : 2024-03-04
N沟道MOSFET SKG111N15-T广泛应用于电源供应器、电源管理系统等领域
在电源器件领域,N沟道MOSFET SKG111N15-T作为一款性能卓越的产品,其广泛的应用场景和光明的市场前景使得它成为工程师们青睐的选择。
器件选型 发布时间 : 2024-04-10
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
【选型】美浦森(Maplesemi)高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南
目录- 高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)
型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12N70C,MS2H32120GI,MSNP06065G1,SIF11N50S,SLF12N70C,SIF8N60C,SLF80R380SJ,SLD5N50S2,SLF10N65C,SLF80R240SJ,SIF13N50C,SLF18N50S,SLF12N65S,SLD2N65UZ,SLF60R100S2,SLF10N65S,SIF13N50U,SLF60RW0S2,SLF730C,SLF60R380S2,SLH60R080SS,MSP10O65O1,SLF18N50C,SLF12N65C,SLD65R700S2,MSP10065V1,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLH60R042SS,SLF16N50S,SLD2N65U2,MS2H20120G1,MSD05120G1,MSF10065G1,SIF16N50S,SLF5N60S,SLF70R900S2,SIF18N50S,SLF60R160S2,SLF70R420S2,SLF16N50C,SL080R600SJ,MSP08065G1,SL060R1K3SJ,MSH20120G1,SLF5N60C,SIF18N50C,SLF50R240SJ,MSP06065V1,SLFS0R140SJ,SLF60R190S2,SLF740C,MS2H32120G1,SLD80R500SJ,SLF60R280S2,MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,SLD65R420S2,MSD10120G1,MSP160Q5V1,MSF10120G1,S4.F5N60S,MSNP0606SG1,SIF8N65C,SLF20N50S,STF5N65C,MSP20065G1,SLF65R190S2D,SIF840C,SLD80R380SJ,SLF60R190S2D,SLF60R190SJ,SLF20N50C,SLD80R240SJ,SLF70R&O0S2,SLF8N65C,MSH040120M1,SI.F20N50S,SLF65R950S2,MS010120G1,SIF730C,SLF8N65S,SLF1DN60S,MS2H40065G1,SLF40N26C,MSP10120G1,MSP06065G1,SLF70R600S2,SIF8N65S,SLD840UZ,SLH50R060SJ,SLF7N70C,MSH160120M1,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF12N60S,MS2H32065G1,SLF65R300S2,MSP10065G1,SL080R500SJ,MS2H32065O1,STD5N50S,MS0MCMJ5G1,SLH50R100SJ,SIF60R190S20,MSP16065G1,SLF10N60S,MSP04065V1,SLF12N60C,SLF840C,SLF60R650S2,MSNP10065G1,MSNP0606501,MSM20120G1,SLFS0R240SJ,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF60R850S2,S10640UZ,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF50R140SJ,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50U,$LDE5R420$2,SLF7N80C,SLF65R240S2
【元件】工程师解决电源开发中效率和散热难题的首选:时科N沟道MOSFET SKG111N15-T
时科推出的SKG111N15-T是一款在电源类产品中广泛应用的N沟道MOSFET。该产品以其卓越的性能特点而备受关注,成为工程师们解决电源开发中效率和散热难题的首选。
产品 发布时间 : 2024-04-03
【产品】采用平面条纹DMOS技术的N沟道MOSFET SLP10N65S/SLF10N65S,漏源电压650V
美浦森推出的SLP10N65S/SLF10N65S是两款漏源电压高达650V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
产品 发布时间 : 2022-10-09
【产品】碳化硅MOSFET FF06320,符合RoHS和无卤素标准,适用于开关电源等领域
FF06320是即思创意推出的碳化硅MOSFET,符合RoHS和无卤素标准。在Tj=25℃的条件下,漏源电压为650V (VGS=0V, ID=100μA),漏源通态电阻为320mΩ (VGS=18V, ID=2A)。可适用于开关电源,功率因数校正,便携式适配器,通信电源,可再生能源,D类放大器领域。
新产品 发布时间 : 2022-09-01
SMC整流桥、碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等多种规格产品可用在可编程电源架构上
SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造,并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件,可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。本文介绍SMC产品在可编程电源架构上的应用。
应用方案 发布时间 : 2024-03-09
【产品】漏源电压600V的N沟道MOSFET SLP8N60C/F8N60C,栅极电荷典型值29nC
美浦森SLP8N60C/SLF8N60C是漏源电压高达600V的N沟道MOSFET;采用平面条纹DMOS技术,为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计;非常适合高效开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
产品 发布时间 : 2022-11-04
N沟道MOSFET HKTD90N03可用于电源、电机驱动和适配器等,栅源电压20V,连续漏极电流90A
合科泰生产的N沟道MOSFET HKTD90N03具有非常优秀的电学特性,作为一款低压MOS产品,它的漏源电压30V,栅源电压20V,连续漏极电流90A,漏源导通电阻0.0052Ω,最小栅极阈值电压1.2V,最大栅极阈值电压2.5V,耗散功率90mW。
产品 发布时间 : 2024-01-23
【产品】650V/20A/170mΩ的N沟道MOSFET SLP/F65R170E7
美浦森的650V/20A N沟道MOSFET SLP65R170E7、 SLF65R170E7,采用先进的沟槽技术,这种先进技术适合于最小化导通电阻,提供优越的开关性能,并使MOSFET可以承受雪崩和换流模式下的高能量脉冲。产品外观和内部电路如图1所示。
新产品 发布时间 : 2020-08-05
【产品】低栅极电荷的N沟道MOSFET SLP840C/SLF840C,器件漏源电压高达500V
美浦森推出的SLP840C/SLF840C是两款漏源电压为500V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森(Maplesemi)先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。
产品 发布时间 : 2022-12-07
蓉矽半导体携碳化硅MOSFET、碳化硅二极管等产品和应用场景亮相第十四届亚洲电源技术发展论坛
作为专注碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业,蓉矽半导体将将携碳化硅MOSFET、碳化硅二极管EJBSTM及理想硅基二极管MCR®和直流充电桩、光伏逆变器、便携式储能电源等应用场景参加,并借助这一优质平台与企业代表、各位嘉宾探讨行业发展,进一步推动产业发展。
原厂动态 发布时间 : 2023-12-27
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论