【经验】芯洲高频半桥栅极驱动器SCT52A40设计经验分享

时间： 2022-12-16 来源：世强

技术问答

芯洲SCT52A40是一款高频半桥栅极驱动器，工作电压范围8-24V，具有高达4A的拉电流或者灌电流能力，其最小脉冲宽度为40nS，可适用于高频功率转换器应用。SCT52A40内置了高边驱动器和低边驱动器，可用于半桥、全桥或降压转换器，以驱动分立N-MOSFET。

SCT52A40有多种封装可选，DFN-9L（3mmx3mm）、DFN-8L（4mmx4mm）、ESOP-8L和SOP-8L，工作温度范围-40℃至125℃。如下为其典型应用电路：

如下为该器件应用设计经验：
1、为了获得最佳的高速电路性能，建议在VDD端并联两个旁路电容器，以防止电源VDD上的噪声问题。在VDD到GND引脚处，应尽可能靠近0.1μF的表面贴装陶瓷电容器。此外，还需并联一个ESR相对较低的更大的电容器(如1μF或10μF)，以帮助避免意外的VDD供电故障。电容器的并联组合应用为电路中预期电流水平和开关频率提供了低阻抗特性。

2、半桥驱动器，如上下管同时导通，相当于电源短路，会导致烧机故障。电路设计时，上下管的驱动信号需留足够的死区时间，以避免上下管同时导通。如图为其上升和跌落时序延时波形，可供参考。

3、驱动器输出环路设计不合理时，di/dt过高会导致驱动器输出异常振铃。严重的振铃，器件可能会出现故障和EMI噪声问题。为了提高开关特性和设计效率，应遵循以下布局规则：
1）将VDD和VHB电容尽可能靠近驱动器，以减少电源纹波；
2）LO和HO采用较宽的走线，以减小寄生电感对开关振铃的影响；
3）如果驱动输出需要跨层，则使用至少两个或多个通孔；
4）避免LI和HI走线靠近HS节点或任何其他高dv/dt信号，减少噪声干扰；
5）对于输出并联应用，驱动输入环路必须严格对称，以保证输入传播延迟相同。

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DC/DC MOSFET驱动器 IGBT驱动器电源管理IC 栅极驱动器

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