【产品】采用沟槽技术的P沟道增强型功率MOSFET AM3415A，操作栅极电压低至1.8V

时间： 2021-12-18 来源：AiT

技术问答

AIT推出的AM3415A是一款P沟道增强型功率MOSFET，采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)，低栅极电荷，操作栅极电压低至1.8V。该设备适用于负载开关或PWM应用，具有ESD保护。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM3415A的绝对最大额定参数为：漏源电压-20V、栅源电压±10V、连续漏极电流-4A、脉冲漏极电流-30A、最大耗散功率1.4W、工作结温与存储温度均为-55℃~150℃。

AM3415A采用SOT-23封装，引脚分布如下：

产品特性：

VDS=-20V，ID=-4A
RDS(ON) < 60mΩ @ VGS=-2.5V
RDS(ON) < 47mΩ @ VGS=-4.5V
ESD保护 : 2500V HBM

高功率和电流处理能力

产品无铅

表面贴装封装

采用SOT-23封装

产品应用：

PWM应用

负载开关

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