【应用】美浦森MOSFET广泛用于各个功率段的PC电源，提供多种封装和电流等级

时间： 2021-05-27 来源：美浦森

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PC电源是专门为机箱内部配件供电的设备，如主板、CPU、显卡、硬盘等。PC电源大都是开关型电源。是电脑各部件供电枢纽，是电脑的重要组成部分。把220V交流电转换成直流电，分别输送到各个元件。

电脑工作中很难发现的问题之一就是电源功率不足，症状可能是主板“不能用”，软件导致经常的系统崩溃，这些症状可能由主板、CPU或内存的异常表现出来，甚至有时看起来好像是硬盘的问题。这是因为PC系统里的每个部件的电源都有同一个来源--电源。电源必须为所有的设备不间断的提供稳定的，连续的电流。如果电流断量或不足，所连接的设备就有可能不能正常运作，看起来像是坏了一样。比如，内存不能刷新，造成数据丢失（导致软件错误）；而CPU可能死锁，或随机地重启动；硬盘可能不转，或更奇怪--转是转，可不能正常处理控制信号。这一切都是因为电源功率不够或者工作不正常导致大。提到PC电源功率，这个和电源里面选用的核心元件有关。

PC电源里面有个最为核心的功率输出元件--场效应管，英文称MOSFET，简称为MOS管。

其构造原理由于比较抽象，本文只简单的讲它的使用。由于根据使用的场合要求不同，做出来的种类繁多，特性也都不尽相同。常用的MOS管一般是作为电源供电的开关使用，工作在开关状态。需要通过电路比较大，所以是使用的比较特殊的一种造作方法做出来了增强型的场效应管（MOS）。

美浦森半导体成立于2014年，是一家集研发、设计、生产、销售和服务为一体的完整型产业链公司，国家级高新技术企业、主营POWER MOSFET（功率MOS）、Trench MOSFET（中低压MOS）、SUPER JUNCTION MOSFET（超结MOS）、SiC MOSFET（碳化硅MOS）、SiC DIODE（碳化硅二极管）等系列产品。

PC电源的常规拓扑结构中，往往采用双管正激+PFC的方案。美浦森半导体推出高压MOS产品，广泛应用在各个功率段的PC电源上，可以同时应用在双管输出和PFC补偿线路中。选型型号如下：

2014年在深圳建立半导体功率器件测试应用实验室，主要负责产品的设计验证，参数测试，可靠性验证，系统分析，失效分析等，承担美浦森产品的研发质量验证。目前，美浦森VDMOSFET和碳化硅产品获得60多项国家技术专利。成立10多年来，公司拥有自主品牌MAPLESEMI系列产品广泛应用于各类开关电源、新能源、消费类电子、小家电、BLDC、BMS、数码类及其周边产品，工业控制等各领域，深受国内外客户的一致好评。

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美浦森半导体超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表

目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET

型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G

2021 - 美浦森 - 选型指南 - REV.01 代理服务技术支持采购服务

美浦森(Maplesemi)成立于2008年，2009年在韩国成立FABOWN工厂，致力于POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产。目前8 英寸月产能12000片，6寸产能10000片，是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线，技术骨干均来自SAMSUNG（三星）和FAIRCHILD（仙童），2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。

VD-MOSFET 超级JMO MOSFET SiC二极管

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AW0D5N90S N沟道增强型MOSFET

描述- 本资料介绍了AW0D5N90S型N通道增强模式MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、快速开关速度、超快体二极管和高抗冲击能力等特点，适用于DC-AC逆变器、PC电源、电信/服务器和太阳能逆变器等领域。

型号- AW0D5N90S

2024/03/08 - 安邦 - 数据手册 - Revision B 代理服务技术支持采购服务

【经验】解析Mosfet被烧毁的原因及选择标准

本文美浦森将解析Mosfet被烧毁的原因及选择标准。Mosfet主要损耗也对应这几个状态，开关损耗，导通损耗，截止损耗，还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mosfet承受规格之内，mosfet即会正常工作，超出承受范围，即发生损坏。

2021-10-14 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】解析MOSFET在开关电源中的损耗及EMI特性

本文美浦森将介绍MOSFET在开关电源中的损耗及EMI特性。MOSFET作为主要的开关功率器件之一，被大量应用于开关电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析，有利于优化MOSFET应用，提高开关电源的功率。

2021-10-16 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

SW9N90P N沟道增强型TO-220F/TO-3P MOSFET

描述- 本资料介绍了Semipower Technology Co., Ltd.生产的SW9N90P N沟道增强型MOSFET。该器件采用SAMWIN先进技术制造，具有高速切换时间、低导通电阻、低栅极电荷和优异的雪崩特性。资料提供了详细的电气特性和热特性参数，适用于LED、充电器和PC电源等领域。

型号- SW9N90P

Sep. 2023 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.5 代理服务技术支持采购服务

CS9N90AKRD-G硅N沟道功率MOSFET

描述- 本资料介绍了Silicon N-Channel Power MOSFET CS9N90 AKRD-G的特性。该器件采用自对准平面技术制造，具有低导通损耗、高开关性能和增强雪崩能量，适用于各种功率转换电路，以实现系统小型化和高效能。主要特性包括快速切换、低导通电阻、低栅极电荷、低反向转移电容、100%单脉冲雪崩能量测试和无卤素。

型号- CS9N90AKRD-G

2020 - 华润微电子 - 数据手册 - V01 代理服务技术支持采购服务

MOSFET选择列表

描述- 这份资料提供了一份MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的选型列表，包括不同型号的MOSFET的详细参数和应用领域。列表中包含了多种封装类型、电压、电流、功率、开关速度等关键参数，以及它们在电源、电机驱动、负载开关、LED驱动等领域的应用。此外，还标注了部分型号的更新日期。

型号- MTR009N10CTF,MTR9R5N10P8,MTR4R6N08SD,MTR12RN02S3L,MPR8N90CT,MTR5R0N06SD,MTR1R2N04CTG,MTR2R2N10TL,MPR13N50CTF,MTR4R9N08CT,MTR7R5N06P8,MPR10N65CTF,MTR005N08CTB,MTR3R8N08TL,MTR3R5N08CT,MTR5R3N10CTB,MSR020X03D4,MTR7R7N10SD,MCR60F030PT,MTR1R6N08TL,MTR3R7N10CTG,MTR10R5N10CT,MTR005N04D33,MTR1R3N04SD,MTR4R5N10PT,MSR4R5N03D,MTR3R4N08CTB,MTR7R1N10SD,MTR009N10P8,MTR7R8N10D,MTR1R8N10TL,MTR9R2N10D,MTR5R8N06SD,MSR2R5N04CT,MPR7N65CTF,MTR9R5N10SD,MTR5R5N10CT,MTR005N10SD,MTR9R2N10SD,MTR5R2N10SD,MSR4R8N03D33,MSR8R5N04D33,MTR013N12SD,MSR007N07D,MTR6R7N08SD,MSR4R6N03SD,MCR65B360CTF,MTR3R5N10CTB,MTR7R5N06D,MTR002N08TL,MTR2R7N10CTB,MTR6R8N06CT,MTR006N10CT,MPR3N90CT,MSR2R2N04SD,MTR4R5N10SD,MSR011P03D33,MTR10R5N15CT,MTR4R1N08CT,MTR7R5N06SD,MTR015N06P8,MSR012N13CT,MTR16R5N06P8,MSR015M06SD2,MSR8R5P03SD,MTR2R8N06SD,MSR013X03D4,MSR2R4N03SD,MPR5N50D,MCR65B260CTF,MSR3R8N03D,MTR4R5N10CT,MSR3R6N03SD,MTR10R5N15SD,MTR7R5N06CT,MCR60B115CTF,MCR65B380CTF,MTR8R2N10D,MTR7R2N10CTB,MTR3R7N10TL,MSR007N07CT,MTR1R2N04TL,MSR016P03D33,MSR009N03P8,MTR6R5N08CT,MTR003N06SD,MSR4R6N03D,MSR2R3N04CTB,MTR7R5N15CTB,MTR003N10CT,MTR1R3N06SD,MTR4R6N08TL,MSR1R2N04TL,MTR7R5N15CT,MTR130N10D,MSR8R5N03D33,MPR6N70CTF,MTR7R2N10D,MPR18N50CTF,MSR002N04TL,MSR1R5N04CTG,MTR5R8N06D,MTR007N15CTB,MTR4R6N10SD,MTR5R5N08SD,MTR010N10D,MTR4R6N08CTB,MCR65B600D,MSR015X06SD,MTR4R2N10CTB,MSR020N02S23,MSR2R5N06CT,MTR006N10CTB,MTR7R2N10SD,MTR007N15CT,MCR65B380D,MTR2R2N08CT,MTR017N10D

231207 - 沃尔德 - 快速参考指南代理服务技术支持采购服务

SW9N50M N沟道增强型TO-220F/TO-252 MOSFET

描述- 本资料介绍了Semipower Technology Co., Ltd.生产的SW9N50M型号的N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的SAMWIN技术，具有高速切换时间、低导通电阻、低栅极电荷和优异的雪崩特性。资料提供了详细的电气特性和热特性参数，并展示了其应用于LED、充电器和电脑电源等领域。

型号- SW9N50M

Nov. 2023 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.6 代理服务技术支持采购服务

【产品】低栅极电荷的N沟道MOSFET SLP840C/SLF840C，器件漏源电压高达500V

美浦森推出的SLP840C/SLF840C是两款漏源电压为500V的N沟道MOSFET。这种功率MOSFET采用了美浦森（Maplesemi）先进的平面条纹DMOS技术。该技术特别为最小化导通电阻，提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计。

2022-12-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

SW1N60M N沟道增强型TO-92/SOT-223 MOSFET

描述- 本资料介绍了Semipower Technology Co., Ltd.生产的SW1N60M N沟道增强型MOSFET。该器件采用先进的SAMWIN技术，具有高速切换时间、低导通电阻、低栅极电荷和优异的雪崩特性。

型号- SW SA1N60M,SW1N60M,SW C 1N60M

Aug. 2023 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.6 代理服务技术支持采购服务

SW9N25M N沟道增强型TO-252 MOSFET

描述- 本资料介绍了SW9N25M型号的N沟道增强型TO-252 MOSFET。该器件采用SAMWIN先进技术制造，具有高鲁棒性、低导通电阻（典型值为0.38Ω）、低栅极电荷（典型值为12nC）等特点。此外，它还具备良好的dv/dt能力，并通过了100%雪崩测试。适用于LED、充电器和PC电源等领域。

型号- SW9N25M

Sep. 2023 - 芯派科技 - 数据手册 - Rev. 0.5 代理服务技术支持采购服务