【产品】1200V/26A的ROHM SiC MOSFET SCT4062KE，TO-247N封装

时间： 2022-04-01 来源：ROHM

代理服务

技术支持

采购服务

SCT4062KE 是ROHM推出的第四代SiC MOSFET，采用TO-247N封装，其漏源电压为1200V，连续漏极电流为26A（Tc=25°C），可在 -40℃ 至 +175℃ 环境温度下储存。该器件具有低导通电阻特性，静态漏源导通典型值为62mΩ（VGS=18V, ID=12A，Tvj=25°C）；与传统产品相比，导通电阻降低约40%。该器件具有开关速度快、低功耗等特点，比传统MOSFET开关损耗降低约50%。

图1. 产品外形

图2. 内部电路结构

产品特点：

• 低导通电阻

• 开关速度快

• 快速反向恢复

• 易于并联使用

• 驱动简单

• 无铅电镀

• 符合RoHS标准

主要规格：

• 型号：SCT4062KEC11

• 封装：TO-247N

• 包装数量：450

• 最小独立包装数量： 30

• 包装形态：Tube

产品应用：

• 太阳能逆变器

• DC/DC转换器

• 开关电源

• 感应加热

• 马达驱动

绝对最大额定值：(Tamb=25℃，除非另有说明)

电气特性：(T_vj=25℃，除非另有说明)

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 2
| 转发至：

本文由ChangeArmy翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（2）

titan Lv8. 研究员 2022-04-12

学习
拾一 Lv7. 资深专家 2022-04-07

学习

没有更多评论了

【产品】1200V N沟道SiC功率MOSFET SCT4036KE，采用TO-247N封装，可用于太阳能逆变器等领域

最近罗姆（ROHM）公司最近推出了一款TO-247N封装的N沟道SiC功率MOSFET——SCT4036KE，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准。驱动电路简单，易于并联使用，可用于太阳能逆变器，DC/DC转换器，开关电源，感应加热和电机驱动。

2022-04-02 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】1200V/24A N沟道SiC功率MOSFET型号SCT3105KR，具有低导通电阻特性，可应用于太阳能逆变器

ROHM公司推出的N沟道SiC功率MOSFET SCT3105KR，其采用TO-247-4L封装，具有低导通电阻、开关速度快与快速反向恢复等特征，且易于驱动，符合RoHS标准，可应用于太阳能逆变器，DC / DC转换器、开关电源、感应加热、电机驱动等应用领域。

2019-08-26 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】ROHM新推第4代SiC MOSFET SCT4036KR，有助于应用实现小型化和低功耗

ROHM推出的SCT4036KR是有助于应用实现小型化和低功耗的第4代SiC MOSFET，可在不牺牲短路耐受时间的情况下实现行业领先的低导通电阻。它采用带驱动源端子的4引脚封装类型，可以最大限度地发挥SiC MOSFET的高速开关性能特点。

2022-03-25 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】国产自研SiC MOSFET ASC30N650MT4，适用于电动汽车充电、DC/DC转换器

本文主要介绍深圳爱仕特科技有限公司自主设计研发SiC MOS芯片。ASC60N650MT4是爱仕特推出的一款SiC MOSFET，它提供了优越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，确保了低电容和栅极电荷。

2022-01-20 - 产品代理服务技术支持采购服务

CRXQF40M120G1 SiC MOSFET 1200V，40mΩ，55A

本资料介绍了CRXQF40M120G1型碳化硅（SiC）MOSFET的特性、应用领域和电气参数。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器和电动汽车充电器等领域。

华润微电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,CRXQF40M120G1,高压DC/DC变换器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,EV CHARGE,太阳能逆变器,EV充电,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES

2022/8/24 - 数据手册 - Revison 1.0 代理服务技术支持采购服务

B2M040120T SiC MOSFET

本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。

基本半导体 - 半桥模块SIC 1200V MOSFET,HALF BRIDGE MODULE SIC 1200V MOSFET,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M040120T,开关模式电源,DC/DC变换器,微型逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,OBC,SOLAR INVERTER,MOTOR DRIVERS,MICRO INVERTER,电动机驱动器,太阳能逆变器,SMPS,DC/DC CONVERTER,模式电源开关

2024-10-25 - 数据手册 - Rev. 0.1 代理服务技术支持采购服务

【经验】LSIC1MO120E0160在感应加热应用中的逆变器电路设计和参数计算

本文选用Littelfuse公司生产的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160具有1200V的阻断电压，非常适合在感应加热逆变电路的设计使用。

2019-08-17 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

IV1Q12050T4–1200V 50mΩSiC MOSFET

本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T4型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV1Q12050T4,SOLAR INVERTERS,高压DC/DC变换器,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,不间断电源,电动机驱动器,UPS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,MOTOR DRIVERS

Sep. 2020 - 数据手册 - Rev1.0 代理服务技术支持采购服务

IV2Q171R0D7Z–1700V 1000mΩSiC MOSFET

该资料介绍了InventChip公司的IV2Q171R0D7Z型号1700V 1000mΩ碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用第二代SiC MOSFET技术，具有高压、低导通电阻和高可靠性等特点，适用于光伏、辅助电源、开关电源和智能电表等领域。

瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV2Q171R0D7Z,开关电源,光伏,辅助电源,智能电表

2023 年 12 月 - 数据手册 - 版本 1.2 代理服务技术支持采购服务

CRXQ40M120G1 SiC MOSFET 1200V，40mΩ，55A

本资料介绍了CRXQ40M120G1型碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高阻断电压、低导通电阻和高速开关特性，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器和电动汽车充电器等领域。

华润微电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,CRXQ40M120G1,高压DC/DC变换器,EV充电器,SOLAR INVERTERS,HIGH VOLTAGE DC/DC CONVERTERS,太阳能逆变器,EV CHARGER,模式电源开关,SWITCH MODE POWER SUPPLIES

2022/8/24 - 数据手册 - Revison 1.0 代理服务技术支持采购服务