【产品】1200V/26A的ROHM SiC MOSFET SCT4062KE，TO-247N封装
SCT4062KE 是ROHM推出的第四代SiC MOSFET，采用TO-247N封装，其漏源电压为1200V，连续漏极电流为26A（Tc=25°C），可在 -40℃ 至 +175℃ 环境温度下储存。该器件具有低导通电阻特性，静态漏源导通典型值为62mΩ（VGS=18V, ID=12A，Tvj=25°C）；与传统产品相比，导通电阻降低约40%。该器件具有开关速度快、低功耗等特点，比传统MOSFET开关损耗降低约50%。
图1. 产品外形
图2. 内部电路结构
产品特点：
• 低导通电阻
• 开关速度快
• 快速反向恢复
• 易于并联使用
• 驱动简单
• 无铅电镀
• 符合RoHS标准
主要规格：
• 型号：SCT4062KEC11
• 封装：TO-247N
• 包装数量：450
• 最小独立包装数量： 30
• 包装形态：Tube
产品应用：
• 太阳能逆变器
• DC/DC转换器
• 开关电源
• 感应加热
• 马达驱动
绝对最大额定值：(Tamb=25℃，除非另有说明)
电气特性：(Tvj=25℃，除非另有说明)
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【经验】LSIC1MO120E0160在感应加热应用中的逆变器电路设计和参数计算
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SiC MOSFET 的驱动功率一般为多大，比如科锐公司的C3M0065090D的驱动功率要求大吗？一般为多少？如果驱动电路的最大驱动功率为1w，可以成功驱动吗？
根据经验公式 P=f*Q*Uf为开关频率，Q为栅极总电荷，U为栅极开关态压差（如果+15v开通，-5V截止，则U=20V）根据规格书Q=30.4nC，假设f=600kHz，U=20V,则P=0.36W；但是，这只计算了电容效应的功耗，还有有栅极电阻方面的功耗和留有余量。在这种情况下建议选择5倍左右的驱动功率，大约2W较为保险。世强代理的产品中包含多种SiC-mos、MOSFET驱动和配套的电源产品，欢迎参考：【产品】同步整流降压MOSFET驱动器ISL6594A,ISL6594B，支持2MHz的高开关频率【选型】ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件选型指南Littelfuse SiC碳化硅MOSFET-交期短·可靠供应，替代替换C2M0080120D,SCT2080KE缺货
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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