【选型】国产低边4A双通道高速栅极驱动器IVCR2404DR替代UCC27524用于LLC全桥驱动,延时匹配低至1ns
随着国产器件的崛起,进口品牌器件的涨价和货期,国产器件越来越多的被用于客户端,替换进口品牌器件。在充电模块产品中,DCDC部分功率拓扑方案大部分为全桥LLC,针对该拓扑方案需要选型更大驱动能力的双通道高速低侧栅驱动器,以有效、安全地驱动MOSFET和IGBT;低传输延迟和失配使MOSFET能够在数百kHz的频率下开关。
图1 DCDC部分电路拓扑
如上图1,在20KW充电模块DCDC部分电路中使用全桥LLC拓扑,可以双向进行充放电,副边采用同步整流方案,市面上使用主流型号为TI的UCC23513双5A高低低侧驱动器。本文推荐国产瞻芯电子低边4A双通道高速栅极驱动器IVCR2404DR替代UCC27524用于LLC全桥驱动,两通道延时匹配低至1ns,非常适合于服务器和电信电源的同步整流驱动。该产品能够并联两个通道以增加输出驱动电流。输入阈值基于TTL,电压公差为-5V~20V。下表是双通道隔离驱动UCC27524与IVCR2404D典型电性参数对比。
图2 隔离驱动UCC27524与Si8261BCD-C-ISR典型参数对比
通过以上对比可知,IVCR2404DR应用于充电模块驱动电路中具有以下几点应用优势:
1、供电范围更宽,IVCR2404相比UCC27524有更宽的输入电压范围0-24V 。
2、提高系统效率,IVCR2404采用了更快速的输出驱动设计,使得上升下降沿速度更快,在驱动负载MOSFET时带来的开关损耗更低,可提高系统效率。
3、IVCR2404延迟匹配时间驱低至1ns,利于MOS并行驱动应用,更适合全桥LLC 电路驱动应用。
4、驱动器件数量少,优化PCB空间,降低成本。
5、环境温度适应性强,IVCR2404提供热阻更小的带热焊盘封装,可用于更高温度场景。
6、100% P2P替换,封装引脚定义P2P。
7、国产器件,价格优势明显,能够减少贸易战带来的涨价和供货问题,提高产品性价比。
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型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
Product Brochure SiC Power Semiconductor and IC Solution
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瞻芯电子通用栅极驱动芯片(Gate Driver)选型表
SiC 专用 ● 栅极驱动芯片:比邻驱动,瞻芯电子提供以下参数选型:Power Switch:Si/IGBT/GaN/SiC、Channels:1~2等
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
Power Switch
|
Channels
|
Vcc(V)
|
Iout(Source/Sink)
|
Prop. Delay(ns)
|
Package
|
IVCR2402DR
|
通用栅极驱动芯片
|
工业级
|
Si/IGBT
|
2
|
24
|
4 / 4
|
16
|
SOIC-8
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
【产品】IVCR2403/04/05/06 24V 4A 峰值拉、灌电流双通道驱动器,采用工业标准 SOIC-8 引脚
瞻芯电子IVCR240x 是双通道 4A 的高速低侧栅极驱动器,可以 高效安全地驱动 MOSFET 以及 IGBT。低传播延迟和 失配以及紧凑的 SOIC-8 封装等特点,使得 MOSFET 的开关频率可以达到数百 kHz。这款芯片非常适合用 于服务器和通讯电源的同步整流驱动,在这种场合中 同步管 MOSFET 的死区时间直接影响变换器的效率。 驱动器可以通过双通道的并联来增加输出驱动电流。
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IVCR2403/4/5 24V 4A Peak Source and Sink Dual-Channel Driver
型号- IVCR2405DR,IVCR2404DR,IVCR2405D,IVCR2404D,IVCR2403D,IVCR2403,IVCR2403DR,IVCR2405,IVCR2404
IVCR2403/4/5 24V 4A 拉、灌电流 双通道驱动器
型号- IVCR2405DR,IVCR2404DR,IVCR2405D,IVCR2404D,IVCR2403D,IVCR2403,IVCR2405,IVCR2403DR,IVCR2404
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推荐思瑞浦的LM2904A-TSR替代TI的LM2904PWR,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/2078919.html 推荐岭芯微的LC1117替代安森美的MC33269D,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/1963446.html 推荐瞻芯电子的IVCR2404DR替代TI的UCC27524DGNR,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/2227837.html 推荐紫光微的TMD9N20H替代Infineon的IRFR13N20D,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/1452154.html 推荐思瑞浦的LMV358B-SR替代Microchip的MCP6002T-I/SN,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/1516374.html推荐润石科技的LM2903XK替代TI的LM2903PWR,规格书链接为https://www.sekorm.com/doc/2355771.html
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可定制变压器支持60W-600W范围,额定电流最高10A,漏感稳定度最小3%;支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
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