【选型】导电高分子型钽电容器,电容量最高可达330μF,ESR最低仅35mΩ
ROHM(罗姆)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,创立于1958年,总部位于日本京都市。"品质第一"是罗姆的一贯方针,其产品涉及多个领域,其导电性高分子电容器产品线包括新背面电极结构(超大容量)型的TCSO系列、底面电极构造(大容量)型TCTO系列、标准构造TCO系列。该类型电容器属于钽电容器的一种,具有较低的ESR,安全可靠,且尺寸小、电容量大,可用于智能电话、PC、数码相机/摄像机等多个应用领域。
ROHM推出的导电性高分子电容器属于钽电容器的一种,但不同于一般钽电容器的阴极使用二氧化锰,导电高分子型钽电容器使用了有机物质代替二氧化锰,因此较一般的钽材料不易燃,具有自愈特性。而且,ESR(等效电阻)降至约1/10,其适合用于需要高频率和大电流的电路。该类型电容器共有三大结构系列,分别为新背面电极结构(超大容量)型的TCSO系列、底面电极构造(大容量)型TCTO系列、标准构造TCO系列。
图1 导电高分子型钽电容器(左)与一般钽电容器组成对比
新背面电极结构(超大容量)型的TCSO系列
新背面电极结构(超大容量)型的TCSO系列导电性高分子电容器结构紧凑,超薄型,具有超大电容量,有助于使小型、紧凑化设计具有更好的功能;其采用低ESR的导电性高分子作为阴极材料,能够实现超低ESR,比较适合用于去除噪音。此外,导电高分子还具有自愈功能,能够预防失效,提高安全可靠性。ROHM官网TCSO系列有M规格1608-09(0603)尺寸、PL规格2012-10(0805)薄型尺寸可提供。PS:部分产品还在开发中。
图2 TCSOM系列(左)、TCSOPL系列(右)新背面电极结构导电性高分子电容器外形尺寸
系列 | 子系列+规格 | 尺寸 | 高度(最大) | 电容量 | 电压 | ESR(@100kHz) | 温度 |
TCSO | TCSOM | 1608(0603) | 1.0mm | 22μF | 6.3V | 300mΩ | -55ºC~105ºC |
TCSOPL | 2012(0805) | 1.0mm | 47μF | 6.3V | 150mΩ | -55ºC~105ºC |
表1 TCSO系列新背面电极结构导电性高分子电容器不同规格基本参数
底面电极构造(大容量)型TCTO系列
TCTO系列底面电极构造导电性高分子电容器采用底面电极构造,用低ESR的导电性高分子作为阴极材料,同样具有小型、薄型和大容量、超低ESR、自愈功能等特点。TCTO系列根据采用规格尺寸又分为M规格1608-09(0603)尺寸、P规格2012-12(0805)尺寸、AS规格3216-10(1206)超薄型尺寸、AL规格3216-12(1206)薄型尺寸、A规格3216-18(1206)尺寸。PS:部分产品还在开发中。
图3 TCTO系列底面电极构造导电性高分子电容器外形尺寸
系列 | 子系列+规格 | 尺寸 | 高度 (最大) | 电容量 | 电压 | ESR(@100kHz) | 温度 |
TCTO | TCTOM | 1608(0603) | 0.9mm | 2.2μF/4.7μF | 10V | 500mΩ | -55ºC~105ºC |
TCTOP | 2012(0805) | 1.2mm | 10μF | 10V | 300mΩ | ||
TCTOAS | 3216(1206) | 1.0mm | 47μF | 6.3V | 200mΩ | ||
TCTOAL | 3216(1206) | 1.2mm | 22μF~100μF | 4V~10V | 70mΩ/200mΩ | ||
TCTOA | 3216(1206) | 1.8mm | 47μF~220μF | 2.5V~10V | 35mΩ~200mΩ |
表2 TCTO系列底面电极构造导电性高分子电容器不同规格基本参数
标准构造TCO系列
TCO系列标准型构造导电性高分子电容器使用导电性高分子材料作为阴极材料,具有较低的ESR以及自愈功能,且经过温度冲击试验筛选,目前可提供B规格3528-21(1411)尺寸子系列。PS:部分产品还在开发中。
图4 标准结构TCO系列B规格外形尺寸
系列 | 子系列+规格 | 尺寸 | 高度(最大) | 电容量 | 电压 | ESR(@100kHz) | 温度 |
TCO | TCOB | 3528(1411) | 2.1mm | 33μF~330μF | 2.5V~10V | 35mΩ~150mΩ | -55ºC~105ºC |
表3 标准结构TCO系列B规格基本参数
总结一下:ROHM导电性高分子型钽电容器产品线众多,可提供新背面电极结构、背面电极结构、标准构造三种结构类型,每种结构类型又有多个规格子系列可供选择(部分产品还在开发中),具有尺寸小、结构紧凑、电容量大、低ESR、自愈功能等特性,电容量最高可达330μF,ESR最低仅35mΩ。此外,ROHM导电性高分子电容器工作温度范围宽,最高支持105ºC,能够应对较为恶劣的温度环境,非常适合用于智能电话、PC、笔记本电脑、平板电脑、PC周边设备、数码相机/摄像机、车载AV、LCD-TV等多个应用领域。
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眼神与天空 Lv6. 高级专家 2018-11-14学习
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nancy51233 Lv3. 高级工程师 2018-11-08学习
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希望的风 Lv8. 研究员 2018-11-08学习
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Joyje Lv7. 资深专家 2018-11-05不错啊,还没用过罗姆的电容
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咿咿呀呀 Lv4. 资深工程师 2018-11-05学习了,不错
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我的名字 Lv7. 资深专家 2018-11-05学习
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刘伟 Lv7. 资深专家 2018-11-05不错,学习了!
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超ice Lv5. 技术专家 2018-11-03收藏备用
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lm11 Lv6. 高级专家 2018-11-03学习
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聆听者 Lv6. 高级专家 2018-11-03钽电容
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Rohm(罗姆)TCT系列芯片钽电容器官方数据手册
描述- TCT系列芯片钽电容器(Bottom surface electrode type : Large capacitance)
型号- TCT AL 0G 107 M8R,TCTAL0E337M8R,TCT AL 0J 107 M8R,TCT,TCT AL 1C 156 M8R,TCTAL1A336M8R,TCTAL1C156M8R,TCT AL 1A 476 M8R,TCT AL 0J 227 M8R,TCT AL 1D 106 M8R,TCT AL 1A 107 M8R,TCTAL1C226M8R,TCT AL 0E 227 M8R,TCTAL0G107M8R,TCT AL 1A 336 M8R,TCTAL0J157M8R,TCT AL 1E 475 M8R,TCT AL 0E 337 M8R,TCT AL 1C 226 M8R,TCT AL 1D 226 M8R,TCTAL0E227M8R,TCTAL0J107M8R,TCTAL1A107M8R,TCTAL1D106M8R,TCTAL0G227M8R,TCTAL0J227M8R,TCT AL 1C 336 M8R,TCT AL 0G 227 M8R,TCT AL 1V 335 M8R,TCT AL 0J 157 M8R,TCTAL1E475M8R,TCTAL1V335M8R,TCTAL1C336M8R,TCTAL1A476M8R,TCTAL1D226M8R
TC series P case Chip tantalum capacitors Datasheet
型号- TCP1A335M8R,TCP1E105M8R,TCP0G225M8R,TCP0J685M8R,TCP1A106M8R,TCP0J226M8R,TCP1C335M8R,TCP1A475M8R,TCP0J335M8R,TC□□P1A105M8R-□□,TCP0J155M8R,TCP1A225M8R,TC SERIES,TCP0J106M8R,TCP0G226M8R,TCP1A105M8R,TCP0G335M8R,TCP1A155M8R,TCP0J475M8R,TCP0G156M8R,TCP1C105M8R,TCP0G475M8R,TCP0J225M8R,TCP0G106M8R,TCP0J156M8R
TCT series U case Chip tantalum capacitors (Bottom surface electrode type: Large capacitance) Datasheet
型号- TCTU1D334M8R,TCT□U0G475M8R-□□,TCTU0J475M8R-02,TCT,TCTU0J225M8R,TCTU0J474K8R,TCTU0E156M8R-V1,TCTU0G475M8R,TCT SERIES,TCTU0J105K8R
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型号- TCTPL1C106M8R,TCTPL0J476M8R,TCT,TCTPL1A226M8R,TCTPL0G107M8R-V1,TCT□PL0J476M8R-□□,TCT SERIES
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TCT series P case Chip tantalum capacitors Datasheet
型号- TCTP1A226M8R,TCTP1A336M8R,TCT,TCTP1E225M8R,TCTP0G476M8R,TCTP1A476M8R-EV1,TCTP0J476M8R,TCTP1C106M8R,TCT SERIES,TCTP0G107M8R-EV1
TCS series M case Chip tantalum capacitors (New bottom surface electrode type : Extra large capacitance) Datasheet
型号- TCS□M0G107M8R-□□,TCSM0G107M8R-V1,TCS,TCSM0J476M8R-V1,TCSM1C106M8R,TCS SERIES,TCSM1A226M8R
TCS series M case Chip tantalum capacitors Datasheet
型号- TCSM0G107M8R-V1,TCS,TCSM0G107M8R,TCSM0J476M8R-V1,TCSM1C106M8R,TCS SERIES,TCSM1A226M8R
【产品】超小型的TCS钽电容器以M规格(1608尺寸)实现4V/100µF
半导体制造商ROHM株式会社(总部设在京都市)近日通过开发新封装结构,在业界首次开发了以M规格(1.6mm×0.8mm h=0.8mm)实现4V/100µF大容量的、小型、薄型、超大容量钽电容器“TCS系列“。产品线包括P规格20V 10µF to 2.5V 330µF等6个品种,M规格16V 10µF to 4V 100µF等4个品种,应用于手机、DSC/DVC、游戏机。
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加工尺寸范围2~15英寸,产品有效加工尺寸:半断加工:2MM*600MM*900MM;全断加工:30MM*1600MM*2500MM;
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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