提供功率半导体测试解决方案,并肩国际先进产品的供应商——博电(PONOVO)
产品亮点:
半导体测试系统(PST6747A)
●测量与分析所有类型的功率半导体器件静态参数专用仪器;
●具有快脉冲能力(10μs),μΩ级电阻测量分辨率、亚pA级电流检测能力;
●由3kV高压高精度源(可扩展为 10kV)、2200A大电流源等多个独立高精度源组成,每个功率源模块上配备两个独立的模数(A/D)转换器,支持 2μs 采样率,电流测量分辨率100fA、电压测量分辨率5μV,可进行宽范围10kV/2200A的IV测量;
●具备实时开尔文测试功能,实时监测测试过程中连接的可靠性。
动态测试平台(PST6747D)
●适用于焊接式IGBT、压接式IGBT(无FRD)、IGBT(含FRD)以及压接式FRD等各类型功率器件不同压力、不同结温条件下的动态参数的测试;
●由0~5000V/0~300mA电压源单元 、储能电容、负载电感、限流电感转换电路 、采集控制单元、数字控制单元、压接恒温系统、以及为满足不同测试项目的互锁电路等组成。采用ARM+DSP的高速数字处理单元及多通道高速达1GS/S的高精度AD,实现自动测试输出相关动静态参数测试和图表曲线;
●系统输入电压380V±10%,频率50Hz,输出电压200~5kV,短路电流可达15kA,输出电流0-3kA,脉宽0.1us~1000us。可进行Vce、Ic、Vge、Ig、Qg、tp、Rg、L、td(on)、td(off)、tr、tf、ton、toff、Eon、Eoff等功率半导体动态参数测试。
静态参数测试平台(PST6747Q)
●适用于焊接式IGBT、压接式IGBT(无FRD)、IGBT(含FRD)以及压接式FRD等各类型功率器件不同压力、不同结温条件下的静态参数的测试;
●由0~5kV/0~300mA电压源单元、0-5kV电流单元、采集控制电压、数字控制单元以及满足不同测试项目的互锁电路组成。可进行Vge(th)、Ices 、Vces、Iges、Vce(sat)、Vf等功率半导体静态参数测试;
●主控单元采用工控机+FPGA 处理器架构,通过多功能键盘实现人机交互,操作界面简单,信息全面,包含参数、波形、测试状态等。
功率循环测试台(PST6747P)
●功率循环测试台适用于二极管、功率MOSFET器件、IGBT器件等,可以进行结温系数测试,自由设置功率循环参数,实现不间断功率循环测试;
●具备秒级功率循环测试、分钟级功率循环测试、Zth/Rth测试、K曲线测试功能;
●恒温系统温控精度±0.5℃,导通压降测量分辨率≤±1mV,栅极电流检测测试噪声不超过50分贝,栅压源范围-10~20V,分辨率0.01V。
IGBT局放性能测试平台(PST6747C)
●系统适用于单一器件和器件串联而成的组件在直流电压、交流50Hz电压作用下的局部放电水平;
●可测量局部放电表征量,包括:视在电荷,平均放电电流,放电功率,脉冲重复率,局放脉冲的相角,局放脉冲的发生瞬时,重复出现的最大局放值,局部放电起始电压,局部放电熄灭电压等;
●高压电源电压有效可调范围0~30kV,局放检测输入阻抗达50Ω,带宽30kHz~1.5MHz,灵敏度<0.1pC,电压测量频率范围达20-400Hz,同步精度<5゜,局部放电测量阻抗最低频率≤20kHz最高频率≥8MHz。
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用户20865221 Lv5. 技术专家 2022-03-04学习
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WilberTse Lv6. 高级专家 2022-03-01学习学习!
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型号- R3500S-Y,R3500S009A,R3500S006A,R3500S005A,R3500S008A,R3500S007A,R3500S002A,R3500S001A,R3500S012A,R3500S004A,R3500S003A,R3500S011A,R3500S010A,R3500SXXXA-E2-YE,R3500S-Y SERIES
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实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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