UnitedSiC低导通电阻SiC FET荣获“第十八届TOP10电源产品奖”

时间： 2020-11-13 来源：UnitedSiC

UnitedSiC低R_DS(on) SiC FET--UF3SC065007K4S和UF3SC120009K4S，荣获“第十八届TOP10电源产品奖”。

两款产品采用Si-MOSFET和SiC JFET，并用共源共栅的方式将其烧结在一起，是UnitedSiC的最大设计特色。这种结构确保其产品可以保持与Si类功率器件保持一致的驱动电压，从而可以帮助可以直接在原有的Si基础的电路中进行直接的升级和替换。而此次最新推出的UF3SC系列SiC器件，更是以小于10mΩ的业界最低R_DS_（ON）将SiC器件的性能提升到了新的高度，面对电动汽车和5G等全新应用需求，UnitedSiC可以给客户提供集成度更高、更加高效、更为稳定可靠的解决方案。

UF3SC065007K4S的最大工作电压为650V，漏极电流高达120A，R_DS(ON)为6.7mΩ。UF3SC120009K4S的最大工作电压为1200V，漏极电流高达120A，R_DS_（ON）为8.6mΩ。两者均采用四引脚开尔文（Kelvin）封装，可实现更清洁的驱动特性。

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UnitedSiC FET用户指南

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September 2021 - UNITEDSIC - 用户指南查看更多版本

UnitedSiC FET用户指南

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September 2021 - UNITEDSIC - 用户指南

UnitedSiC FET用户指南

描述- 本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导原则。内容包括阻尼器设计指南、Snubber规则、BOM表格以及相关注意事项。指南通过实验验证了阻尼器的效果，并分析了硬开关和软开关应用中的有益影响。

型号- UJ3C065080T3S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,CRCW201010R0JNEFHP,UJ3C065080B3,UF3SC065030D8,UJ3C120040K3S,UF3C065030T3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UF3C065030K4S,CRCW25124R70JNEGHP,UJ3C065030B3,UF3CXXXYYYK3S,C1206C680JGGAC7800,UF3SC065007K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UF3C065040K4S,C1206C151JGGAC7800,UJ3C065030T3S,UF3C065030K3S,UJ3C120150K3S,CRCW20104R70JNEFHP,UF3C065080B7S,UF3CXXXYYYK4S,202R18N101JV4E,SR1206FR-7W4R7L,UF3SC120009K4S,UF3C120080B7S,KTR18EZPF10R0,UF3C065080T3S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S,KTR18EZPF4R70,UF3C120080K4S,CRCW251210R0JNEGHP,UF3SC065030B7S,C1206C221JGGAC7800,C1210C331JGGACTU,SR1206FR-7W10RL,UF3SC065040D8,UF3C120150K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC065040B7S,UF3SC120016K4S,UF3C065080K4S,202R18N470JV4E

December 2019 - UNITEDSIC - 用户指南

UnitedSiC FET用户指南

描述- 本指南提供了使用RC阻尼器与快速开关SiC器件的实际解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）结果验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬开关和软开关应用中的有益影响。附带的“使用阻尼器开关快速SiC FET”应用笔记可在https://unitedsic.com/wp-content/uploads/appnotes/Snubber%20AppNotes_V8.pdf找到。指南中包含了基本假设、阻尼器规则、BOM清单和注意事项。

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December 2018 - UNITEDSIC - 用户指南 - version 4.0

SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较

使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。

2022-06-21 - 原厂动态

【经验】适用于SiC FET的简单RC缓冲电路，可解决电压过冲和振铃等问题

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。UnitedSiC将在本文中进行详细的分析。

2022-01-27 - 设计经验

【经验】使用RC缓冲电路最小化SiC FET器件的EMI和开关损耗

本文中UnitedSiC介绍了采用简单RC缓冲电路最小化SiC FET器件EMI和开关损耗的办法，它减小了设计难度，释放了SiC器件的全部功能。该方法简单易行，能有效地控制VDS尖峰和振铃持续时间，在宽负载范围内和可忽略关断延迟内提高效率。

2020-10-27 - 设计经验

【产品】UnitedSiC推出新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET 非常适合主流的800V总线结构

UnitedSiC宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源等应用。

2022-05-21 - 新产品

【产品】1200V/80mΩ的SiC FET UF3C120080K3S，最高工作温度175℃

UnitedSiC的SiC FET（碳化硅场效应晶体管）采用了独特的共源共栅（cascode）电路配置，将常开型SiC JFET与Si MOSFET共同封装在一起，从而构建出常关型SiC FET器件。UF3C120080K3S是一款1200V的SiC FET。

2020-12-12 - 新产品

可直接替换IGBT和Si MOS的第三代SiC FET，提供革命性的功率转换性能

现在已经出现了第三代SiC FET，这是一种Si-MOSFET和SiC JFET的共源共栅布置，处于宽带隙技术的前沿。作为IGBT和Si-MOSFET的直接替代品，SiC FET用于升级电动机驱动、UPS逆变器、焊机、大功率交直流和直流转换器等。

2020-08-29 - 原厂动态

UJ3C065030B 3650V-27MW SiC FET规格书

描述- 本资料介绍了650V-27mW碳化硅场效应晶体管（SiC FET）的详细规格和应用信息。该器件采用独特的“级联”电路配置，结合了SiC JFET和Si MOSFET，实现低导通电阻、低栅极电荷和优异的反向恢复特性，适用于开关电感负载和标准栅极驱动应用。

型号- UJ3C065030B3

April 2022 - UNITEDSIC - 数据手册 - Rev. B

【经验】在高速开关碳化硅场效应管（SiC FET）中接入RC缓冲电路，能有效解决高速开关损耗以及振铃效应

基于半桥结构这一典型应用，本文介绍了在开关速度快的SiC器件的漏极和源极之间接入RC缓冲吸收电路的优势，解决了如何抑制过多的电压冲击和振铃噪声的问题。此外本文还介绍了一种将RC缓冲吸收电路使用在高速碳化硅开关器件的实用方案——UnitedSiC推出的UF3C系列SiC FET，该方案通过了双脉冲测试的结果验证。

2019-12-07 - 设计经验