【应用】耐压650V的国产氮化镓场效应管CGL65R260B助力开关电源PFC设计，导通电阻低至200mR

绿联160W 3C1A四口氮化镓快充充电器运用沃尔德整流桥WRLSB80M，选用LSB封装，拥有良好的散热特性

绿联新推出了一款总输出功率为160W的PD3.1充电器，两颗整流桥来自深圳市沃尔德实业有限公司，型号WRLSB80M；PFC整流管来自美浦森，型号为MSM06065G1；同步降压开关管来自锐骏半导体，型号RUH4040；用于USB-C3和USB-A口的VBUS开关管来自锐骏半导体，型号RU30D20。

森国科第五代TMPS碳化硅二极管KS06065D应用于讯天宏100W 3C1A氮化镓充电器设计

充电头网的拆解报告显示：东莞市讯天宏智能科技推出的一款氮化镓充电器的PFC升压整流管采用了森国科第五代TMPS碳化硅二极管：型号为KS06065D，耐压650V，正向电流6A，最高工作温度175℃，采用PDFN5*6封装。

【应用】聚能创芯增强型氮化镓开关管CGL65R260B助力米家120W磁吸轨道GaN电源设计，有效提升电源能效

米家磁吸轨道GaN电源采用PFC+反激开关电源设计，使用DIODES AL6562A PFC控制器搭配必易微 KP2206 反激控制器，使用两颗聚能创芯CGL65R260B增强型氮化镓开关管分别用于PFC和反激开关电源。输出采用肖特基二极管整流。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

必易微针对USB PD快充推出的两款合封氮化镓芯片，内置导阻氮化镓开关管，支持45W/100W功率输出

必易微副总裁、电源管理AC-DC产品线总经理张波先生发表了《必易微高性能、高可靠性氮化镓快充解决方案介绍》为主题的演讲，基于对氮化镓器件特性的分析，详细介绍了必易微在氮化镓直驱以及合封方案上的优势，着重突出了方案的可靠性。

亚成微高雪崩高可靠性超结MOSFET在DJI大疆100W双USB-C口氮化镓桌面充电器的应用

大疆这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+DC-DC的架构设计，PFC使用镓未来氮化镓功率芯片配合瑞能二极管整流，LLC采用亚成微RMD65R380SN MOS管组成半桥。滤波电容来自冠坤电子，输出使用两颗维安的低压MOS管用于同步整流，电源初级主控芯片和同步整流控制器均来自NXP恩智浦。

【应用】聚能创芯氮化镓开关管、奥伦德光耦及云矽半导体充电协议芯片成功导入睿量迷你33W氮化镓充电器

睿量迷你33W氮化镓充电器内置的氮化镓开关管来自聚能创芯CGK65R400B，是一颗增强型氮化镓开关管；奥伦德OR1009光耦用于输出电压反馈；输出协议芯片来自富满电子旗下云矽半导体，型号XPD738，用于1C1A双口控制。

聚能创芯参加2022慕尼黑华南电子展，展示6/8英寸硅基氮化镓外延片和氮化镓功率器件，解决PD快充问题

2022慕尼黑华南电子展在深圳成功举办。本次展会上，聚能创芯＆聚能晶源联合展示了6英寸、8英寸硅基氮化镓外延片和650V系列氮化镓功率器件产品。其中650V系列氮化镓功率器件均采用小体积PQFN封装。

亚成微MOS管获大疆100W双C口氮化镓桌充采用，导阻低至380mΩ，100%通过UIS测试

充电头网在拆解大疆推出的100W氮化镓桌面充电器时，发现其内置的两颗LLC开关管均来自亚成微电子，型号RMD65R380SN，NMOS，耐压650V，导阻380mΩ，采用PDFN5*6封装，两颗半桥连接，100%通过UIS测试。该器件具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率密度和高效率的应用场景。

【产品】耐压650V的增强型氮化镓开关管CGK65R190B，支持超快开关、超快交换，可用于PD快充领域

聚能创芯CGK65R190B是一颗耐压650V，导阻170mΩ的增强型氮化镓开关管，支持超快开关，允许高压击穿，开关频率极高，具有低栅极电荷和输出电荷，支持开尔文源极，与硅功率晶体管相比，具有更高的传输效率，符合JEDEC的标准级应用认证。

【产品】650V/10A聚能创芯增强型氮化镓功率晶体管CGL65R260B，效率高于硅功率晶体管

聚能创芯推出的CGL65R260B增强型氮化镓功率晶体管，高电压击穿和高开关频率。RDS(ON)和Qg的组合极低，导通和开关功率损耗均降至最低，提供比硅功率晶体管更高的效率。TC=25°C下漏源电压极限值650V，连续漏极电流极限值10A。

【应用】聚能创芯推出主动整流240W电源方案，尺寸71.1*60*24.1mm，板端功率密度达2.33W/cm³

聚能创芯推出了一款240W的氮化镓电源方案，整个电源中使用了8颗氮化镓器件，分别用于主动桥式整流，PFC升压和LLC开关电源。得益于使用氮化镓半导体和高性能电源架构，电源方案的尺寸仅为71.1*60*24.1mm，方案重量为144.3克，板端功率密度达到了2.33W/cm³。

聚能创芯推出LLC架构140W氮化镓电源方案，集成氮化镓开关与碳化硅二极管实现精简设计

针对日益壮大的百瓦快充市场，氮化镓器件原厂聚能创芯推出了一款LLC拓扑的140W开关电源，使用氮化镓开关管用于PFC升压和LLC谐振，并且使用碳化硅二极管作为PFC升压整流。

【产品】支持USB PD3.1快充的240W氮化镓电源方案，体积仅为传统同功率板砖电源的1/5

聚能创芯这款240W氮化镓电源方案体积仅为传统同功率板砖电源的1/5，体积优势十分明显。同时重量也仅为传统同功率板砖电源的1/5，无论是随身携带还是日常使用都非常方便。同时氮化镓带来的高效率，也降低了电源的发热，大大提升笔记本的使用体验。