【产品】N沟道超级结功率MOSFET CWS65R290A，最大漏源导通电阻仅290mΩ
SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术，由P&S根据超结原理设计而成。CWS65R290A是武汉芯源推出的一款N沟道超级结功率MOSFET。其漏源电压最大为650V（VGS=0V时），连续漏极电流为15A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为290mΩ（VGS=10V, ID=7.5A）。
该产品提供TO-252、TO-220、TO-220F、TO-263-2L多种封装。它具有高开关速度和低导通电阻，适用于更高效、更紧凑、LED照明、高性能适配器等应用。
特性
非常低的Rdson*Qg，损耗极低
出色的雪崩加固技术
快速开关能力
100%雪崩测试
无铅镀锡
符合ROHS
应用
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
高性能适配器
LED照明电源
订购信息
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【产品】武汉芯源推出的N沟道超级结功率MOSFET CWS11N65A，漏源电压可达650V
SJ MOSFET是P＆S根据超级结原理设计的一种先进的高压功率MOSFET技术。武汉芯源推出N沟道超级结功率MOSFET CWS11N65A，其漏源电压最大为650V（VGS=0V时），连续漏极电流为11A（TC=25℃时）。
武汉芯源功率MOSFET选型表
武汉芯源提供N沟道基于超级结技术的功率MOSFET以下参数选型，漏极电流ID Max（A）:5~75A，漏源耐压VDSS Min（V）:550~700V
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产品型号
|
品类
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漏极电流ID Max（A）
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漏源耐压 VDSS Min（V）
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导通电阻 RDS(on) Typ（Ω)
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导通电阻 RDS(on) Max（Ω)
|
栅极电阻 Rg（Ω)
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栅极电荷 Rg（nC）
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反向恢复时间 Trr（nS）
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封装
|
|
CWS50R580AF
|
MOSFET
|
8
|
550
|
0.53
|
0.58
|
11.7
|
8.9
|
215
|
TO-220F-3L
|
选型表 - 武汉芯源 立即选型
电子商城
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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