【产品】N沟道超级结功率MOSFET CWS65R290A，最大漏源导通电阻仅290mΩ
SJ MOSFET是一种先进的高压功率MOSFET技术，由P&S根据超结原理设计而成。CWS65R290A是武汉芯源推出的一款N沟道超级结功率MOSFET。其漏源电压最大为650V（VGS=0V时），连续漏极电流为15A（TC=25℃），最大漏源导通电阻为290mΩ（VGS=10V, ID=7.5A）。
该产品提供TO-252、TO-220、TO-220F、TO-263-2L多种封装。它具有高开关速度和低导通电阻，适用于更高效、更紧凑、LED照明、高性能适配器等应用。
特性
非常低的Rdson*Qg，损耗极低
出色的雪崩加固技术
快速开关能力
100%雪崩测试
无铅镀锡
符合ROHS
应用
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
高性能适配器
LED照明电源
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【产品】武汉芯源推出的N沟道超级结功率MOSFET CWS11N65A，漏源电压可达650V
SJ MOSFET是P＆S根据超级结原理设计的一种先进的高压功率MOSFET技术。武汉芯源推出N沟道超级结功率MOSFET CWS11N65A，其漏源电压最大为650V（VGS=0V时），连续漏极电流为11A（TC=25℃时）。
武汉芯源功率MOSFET选型表
武汉芯源提供N沟道基于超级结技术的功率MOSFET以下参数选型，漏极电流ID Max（A）:5~75A，漏源耐压VDSS Min（V）:550~700V
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产品型号
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品类
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漏极电流ID Max（A）
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漏源耐压 VDSS Min（V）
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导通电阻 RDS(on) Typ（Ω)
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导通电阻 RDS(on) Max（Ω)
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栅极电阻 Rg（Ω)
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栅极电荷 Rg（nC）
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反向恢复时间 Trr（nS）
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封装
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|
CWS50R580AF
|
MOSFET
|
8
|
550
|
0.53
|
0.58
|
11.7
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8.9
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215
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TO-220F-3L
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可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
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