【产品】450V/500mA PNP硅晶体管CMPTA96,采用SOT-23封装,设计用于极高电压应用

2019-02-03 Central Semiconductor
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Central Semiconductor (简称Central)公司是美国中央半导体公司,半导体产品处于世界领先水平,其运营团队提供最高水平的技术支持,出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的PNP硅晶体管——CMPTA96,采用SOT-23封装,环氧树脂模塑,表面贴装封装,设计用于极高电压应用。


图1 CMPTA96 PNP硅晶体管产品示意图


CMPTA96 PNP硅晶体管的集电极-基极电压VCBO和集电极-发射极电压VCEO都为450V,发射极-基极电压VEBO为6.0V。器件的集电极连续电流IC为500mA,较适合用在中小功率的电路中。另外,其工作和存储结温的范围为-65 °C~+150 °C,结壳热阻为357°C/W,具有耐高/低温的能力,适应性能强,在恶劣的环境条件下也可正常工作。


同时,该器件具有低反向漏电流,ICBO和ICEO的最大值均为100nA,证明两款器件的单向导通效果良好。另外,CMPTA96 PNP硅晶体管的特征频率最小值fT为20MHz,当IC=50mA,IB=5.0mA,TA = 25°C时,集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)典型值为0.15V,共基极输出电容Cob最大值为7.0pF。CMPTA96 PNP硅晶体管具有很好的频率特性,充放电时间短,开关损耗低。


CMPTA96 PNP硅晶体管产品特性:

• 集电极-基极电压VCBO和集电极-发射极电压VCEO都为450V

• 耗散功率PD为350mW(TA=25℃)

• 集电极连续电流IC为500mA

• 工作及存储结温范围为-65°C~+150°C

• 集电极-基极反向饱和电流ICBO的最大值为100nA

• 结壳热阻为357°C/W

• 采用SOT-23封装


CMPTA96 PNP硅晶体管应用领域:

•极高电压应用中

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