【选型】SIC二极管S4D20120H用于充电桩系统中PFC电路,提高开关频率同时反向恢复电流低至4μA

2022-03-23 世强
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充电桩基本电路拓扑一般为前级PFC电路加后级隔离型DC-DC变换电路;前级PFC部分主体实际上是一个BOOST电路,因PFC电路极高的开关频率,故一般在续流二极管的选择上有快恢复二极管以及SIC二极管两种方案,SIC二极管相比硅材质的快恢二极管拥有更优秀的反向恢复时间以及能提供更低的反向恢复电流,在大功率系统中具有更低的开关损耗。


本文将从SMC的SIC二极管S4D20120H的性能参数,封装大小方面进行分析,从而讨论其应用于充电桩系统中PFC部分的优势。

1. S4D20120H性能参数如下:

表1. S4D20120H的性能参数

由上表可知,S4D20120H反向耐压值高达1200V,完全满足充电桩PFC部分对功率二极管的耐压值要求;20A的平均正向电流,满足大功率设计要求;正向压降低至1.5V, 反向恢复电流低至4μA,有利于降低整机损耗;结电容仅721pF,有利于降低反向恢复时间,从而提高整个系统开关频率;工作温度范围-55℃~175℃,满足工业设计要求。


2. S4D20120H封装尺寸如下:

图1. S4D20120H封装尺寸


综上所述,SIC二极管S4D20120H用于充电桩PFC部分,在系统高频化设计以及系统效率的提高方面,优势十分明显。

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产品型号
品类
Package
VRWM(V)
IO (A)
IFSM Max.(A)
IR Max.@VWM (μA)
VF Max. (V)
CT Max. (pF)
Part Status
S3D03065A
碳化硅肖特基二极管
TO-220AC
650
3
27
5(0.001typical)
1.7(1.5typical)
-
Active

选型表  -  SMC 立即选型

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