【产品】100mA 50V罗姆数字晶体管DTC115EE3HZG，内置偏置电阻R1=R2=100kΩ

时间： 2022-08-09 来源：ROHM

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数字晶体管,偏置电阻内置晶体管,DTC115EE3HZG,DTA115EE3HZG

DTC115EE3HZG是ROHM推出的NPN型/PNP型数字晶体管（偏置电阻内置晶体管）。内置偏置电阻R₁=R₂=100kΩ，内置偏置电阻可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路。T_a=25℃条件下，该器件的电源电压最大为50V，输出电流最大为20mA，集电极电流最大为100mA（内置晶体管特性），耗散功率最大为150mW（每个端子安装在参考地上），结温最大为150℃。该器件采用SOT-416封装，符合AEC-Q101标准，适用于逆变器，接口，驱动器领域。

图1 产品外形

图2 内部电路

特点：

1) 内置偏置电阻， R₁=R₂=100kΩ

2) 内置偏置电阻可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路（见内部电路）

3) 只需要设置开/关条件即可操作，使电路设计简单

4) 互补类型：

a、NPN类型互补：DTA115EE3HZG

b、PNP类型互补: DTA115EE3HZG

应用：

• 逆变器，接口，驱动器

包装规格

绝对最大额定值 (T_a=25℃)

电气特性（T_a=25℃）

*1 内置晶体管特性

*2 每个端子安装在参考地上

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