【产品】100mA 50V罗姆数字晶体管DTC115EE3HZG,内置偏置电阻R1=R2=100kΩ

2022-08-09 ROHM
数字晶体管,偏置电阻内置晶体管,DTC115EE3HZG,DTA115EE3HZG 数字晶体管,偏置电阻内置晶体管,DTC115EE3HZG,DTA115EE3HZG 数字晶体管,偏置电阻内置晶体管,DTC115EE3HZG,DTA115EE3HZG 数字晶体管,偏置电阻内置晶体管,DTC115EE3HZG,DTA115EE3HZG

DTC115EE3HZGROHM推出的NPN型/PNP型数字晶体管偏置电阻内置晶体管)。内置偏置电阻R1=R2=100kΩ,内置偏置电阻可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路。Ta=25℃条件下,该器件的电源电压最大为50V,输出电流最大为20mA,集电极电流最大为100mA(内置晶体管特性),耗散功率最大为150mW(每个端子安装在参考地上),结温最大为150℃。该器件采用SOT-416封装,符合AEC-Q101标准,适用于逆变器,接口,驱动器领域。

 

 

图1 产品外形

 

 

图2 内部电路 

特点:                                                                       

1) 内置偏置电阻, R1=R2=100kΩ

2) 内置偏置电阻可以在不连接外部输入电阻的情况下配置逆变器电路(见内部电路)

3) 只需要设置开/关条件即可操作,使电路设计简单

4) 互补类型:

a、NPN类型互补:DTA115EE3HZG

b、PNP类型互补:  DTA115EE3HZG

应用:

• 逆变器,接口,驱动器

 

包装规格

绝对最大额定值 (Ta=25℃)

 电气特性(Ta=25℃)

*1 内置晶体管特性

*2 每个端子安装在参考地上

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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