【经验】高速电路设计难？模块化设计理念是好方法
许多人认为电力电子系统（通常工作在数十至数百kHz范围）的设计理念不同于高频电路（通常工作在数十至数百MHz范围）的设计，但是宽带隙器件（WBG）的出现或许会改写历史。
包括碳化硅MOSFET（SiC-MOSFET）和氮化镓晶体管（GaN HEMT）在内的宽带隙器件都可以做到极速开关，处理巨大的功率。举例来说，碳化硅MOSFET可以在几十纳秒里摆动数千伏的电压和数百安的电流，dv/dt和di/dt可以轻松超过100V/ns和10A/ns。因此，在一个如此高速的系统中，电路自然会对寄生分量和阻抗连续性更加敏感。如果设计师想要充分挖掘宽带隙器件的潜能，那么阻抗匹配和外围效应则是不能忽略的地方。
在处理大功率时，由于电路中的几何学问题，某些设计准则是很难实现的。为了缓解这些问题，分而治之是一个很好的策略。具体地说，可以将整个设计细节看做一个个子设计块，设计师可以在更少的几何条件限制下去改动外围器件，完成阻抗匹配。这些子块可以模块化，通过并行组装的方式来实现所需要的的输出功率。
这一理念已经被使用了多年，在使用宽带隙器件进行设计时将会更加值得重视。通过部署最优的设计模块，可以更加轻松地以低成本的方式快速实现健壮、可靠、紧凑和高效的电力系统。
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厂牌及品类 发布时间 : 2024-02-27
成都蓉矽半导体有限公司
型号- NE1D120C40GTD,NCD20S30SRD,NCD20S30TTD,NCD30S30TTD,NE1M120C40HT,NE1D120C20KT,NC1D120C30W,NCD30S20TTD,NC1D120C10W,NCD15S15W,NCD30S15W,NCD30S40TTD,NCD20S10DR,NC1M120C75GT,NC1M120C75W,NCD30S20TTDL,NE1D120C20GTD,NCD15S20TTDL,NE1M120C40W,NCD20S15W,NC1M120C75RR,NE1D120C60GTD,NC1D200C25W,NE1D120C10W,NCD30S20W,NE1D120C30W,NC1D120C60GTD,NE1M120C40GT,NE1M120C12W,NC1D120C20KT,NE1M120C12HT,NE1M120C75HT,NC1D120C20GTD,NE1M120C75W,NCD15S30TTD,NC1D120C20W,NCD15S20FTD,NC1M120C40HT,NE1D120C20AT,NC1D120C10AT,NCD20S20TTDL,NC1D120C30KT,NCD30S20DR,NE1M120C75GT,NC1D120C40GTD,NE1D120C30KT,NC1D200C25KT,NE1M120C75RR,NC1M120C75HT,NC1M120C40GT,NE1D120C10AT,NE1D120C20W,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NCD30S10W,NC1M120C40W,NC1D120C20AT
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满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
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