Littelfuse全新短交期、低成本SiC MOSFET，专为高品质高频应用

时间： 2018-06-05 来源：世强

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LITTELFUSE推出全新高性能碳化硅sic MOSFET，符合RoHS标准、无铅、不含卤素，非常适用于车载OBC、车载DC/DC，光伏逆变器等效率、体积及发热要求较高的应用。

产品的功能与特色

· 专为高频、高效应用优化

· 极低栅极电荷和输出电容

· 低栅极电阻，适用于高频开关

· 在各种温度条件下保持常闭状态

· 超低导通电阻

更低价格+更短交期替代同等性能产品

Littelfuse高性能的SiC MOSFET产品具有比同品质产品更低的价格、更好的货期。在市场上SiC器件普遍缺货的环境下，可做到更短的交期。LSIC1MO120E0160、LSIC1MO120E0080可对应替代CREE的C2MO160120D、C2MO080120D及ROHM的SCT2160KE、SCT2080KE。具体替换表见以下：

世强是获得Littelfuse“最佳市场开发代理商”的分销商，可供应Littelfuse旗下过流保护器件、过压保护器件、传感器件、碳化硅肖特基分立二极管、碳化硅MOSFET等全线产品，产品供货稳定，价格具有竞争力。世强与Littelfuse原厂一起，为大/小家电、车载设备、汽车安全系统、太阳能逆变器、不间断电源、EV充电站、充电桩、高压直流/直流转换器等领域提供最专业、最高效的技术支持及解决方案，帮助客户解决项目相关的技术问题。

应用领域

· 车载DC/DC

· 车载OBC

· 光伏能逆变器

· 大功率储能系统

· 开关模式电源设备和功率转换器

· UPS系统

· 电机驱动器

· 大功率高压直流/直流转换器

· 电池充电器和感应加热

· 充电桩等

Littelfuse LSIC1MO120E0160碳化硅MOSFET数据手册详情>>>

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全部评论（14）

HillGao Lv4. 资深工程师 2018-11-09

已读
小乐 Lv7. 资深专家 2018-09-29

学习了
醉卧美人膝 Lv8. 研究员 2018-09-17

支持
春天里 Lv7. 资深专家 2018-09-10

好品牌，好产品！
看不见的鱼 Lv6. 高级专家 2018-06-12

厉害了

zyl Lv8. 研究员 2018-06-11

已阅
Chase Lv7. 资深专家 2018-06-10

学习
TAO Lv7. 资深专家 2018-06-09

学习了
cynthia Lv3. 高级工程师 2018-06-08

学习了
小蛮大人 Lv9. 科学家 2018-06-08

价格不知道如何
- 世小强回复：您好，请查阅：https://www.sekorm.com/ecSupply/toPage?pn=LSIC1MO120E0080 谢谢！

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型号- SMFA1905CA,SMFA,SMFA1505CA,SMFA1805CA,SMFA系列,SMFA2005CA

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解析图腾柱无桥PFC中碳化硅器件的应用

图腾柱无桥PFC，具有元件数量少、共模噪声低等特点。而SiC器件具备反向恢复性能好、耐高温、开关速度快等优势，因此在车载OBC、通信电源、UPS及高频DC-DC等领域有大量项目采用图腾柱无桥PFC替代传统的PFC或交错并联PFC。

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用于SiC MOSFET栅极保护的SMFA系列非对称TVS二极管产品简介

描述- SMFA系列不对称TVS二极管专为SiC MOSFET栅极保护设计，提供单组件解决方案，有效降低寄生效应和PCB面积，适用于快速切换的SiC应用。

型号- SMFA,SMFA SERIES

2024/8/28 - LITTELFUSE - 数据手册代理服务技术支持批量订货

【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE

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2024-05-25 - 产品代理服务技术支持批量订货

蓉矽1200V 40mΩ碳化硅产品NC1M120C40HT用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。

2024-07-17 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【元件】瞻芯电子TC3Pak顶部散热封装SiC MOSFET，高频开关、低损耗，助力高效高密电源设计

为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。

2024-11-26 - 产品代理服务技术支持批量订货

【经验】基于栅极驱动器BM6104FV-C与IXDD609的SiC MOSFET驱动电路设计

SiC MOSFET对驱动要求高，主要体现在驱动电压和驱动速度。SiC MOSFET标称驱动电压范围一般为-6~22V，其开启电压一般很低，并随温度上升而降低，但只有达到18-20V时，才能完全开通。硅器件的驱动电压最高一般为15V，所以驱动不能直接用于驱动SiC MOSFET。笔者针对应用要求，在实际设计中选用ROHM BM6104FV-C栅极驱动器并在后级添加力特的IXDD609进行功率放大。

2019-11-05 - 设计经验