【产品】20V/4.5A的N沟道增强型MOSFET，最大漏源通态电阻49mΩ，采用SOT-23封装

时间： 2022-05-21 来源：安邦

技术问答

AS2300是安邦(ANBON)推出的一款N沟道增强型MOSFET，采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，具有超低导通电阻。AS2300的漏源击穿电压V_(BR)DSS的最小值为20V（@V_GS=0V，I_D=250μA），连续漏极电流I_D为4.5A，漏源通态电阻R_DS(on)的最大值分别为25mΩ（@V_GS =4.5V, I_D =4.5A）、32mΩ（@V_GS =2.5V, I_D =3.0A）和49mΩ（@V_GS =1.8V, I_D =2.7A）。AS2300采用SOT-23封装，可应用于便携式设备的负载开关，DC/DC转换器等。产品外形及引脚定义等如下图所示：

产品特点

采用先进的沟槽工艺技术

采用高密度单元设计，具有超低的导通电阻

最大额定值（Ta=25℃，除非另有说明）

电气特性（T_A=25℃，除非另有说明）

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