【产品】PANJIT推出P沟道增强型MOSFET PJQ4427DP，规格为-20V/-53A
强茂（PANJIT）推出一款采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFET—PJQ4427DP，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为-20V，连续漏极电流为-53A（TC=25℃）。
产品外观和示意图
特点：
漏源导通电阻RDS(ON)<7mΩ（VGS=-4.5V，ID=-8A）
漏源导通电阻RDS(ON)<10mΩ（VGS=-2.5V，ID=-5A）
漏源导通电阻RDS(ON)<15mΩ（VGS=-1.8V，ID=-3A）
低漏源导通电阻RDS(ON)
高电流额定值
无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
外壳：DFN3333-8L封装
端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
重量约为：0.001盎司，0.03克
最大额定参数和热特性(TA=25℃，除非另有说明)：
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由小背篓翻译自PANJIT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】漏源电压为-60V的P沟道增强型MOSFET PJQ1905，连续漏极电流为-500mA
强茂（PANJIT）推出一款采用DFN 3L封装的P沟道增强型MOSFET—PJQ1905，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为-60V，连续漏极电流为-500mA，采用先进的沟槽工艺技术，专为开关负载、PWM应用等设计。
【产品】强茂20V/-1.5A无铅P沟道增强型MOSFET PJA3431-AU ，ESD保护2KV HBM
PANJIT（强茂）P沟道增强型MOSFET PJA3431-AU，采用SOT-23封装，在TA=25℃条件下，漏源最大电压-20V，漏极直流电流最大-1.5A，在ESD保护方面，HBM保护2KV，专为开关负载、PWM应用等而设计，无铅。
【产品】采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET PJA3419-AU，规格为-20V/-4.0A
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的P沟道增强型MOSFET PJA3419-AU，在TA=25℃的条件下，漏源电压为-20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为-4.0A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
【产品】采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFETPJQ4407P，符合IEC 61249标准
PANJIT（强茂）推出了PJQ4407P为P沟道增强型MOSFET。采用DFN3333-8L封装，其中漏-源电压最大额定值为-30V，连续漏极电流最大额定值为-30A。
【产品】-40V/-3.1A SOT-23封装P沟道增强型MOSFET PJA3441-AU
PANJIT（强茂）推出的PJA3441-AU 为P沟道增强型MOSFET。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-3.1A。
PJQ4427DP 20V P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了Prelim|PJQ4427DP型号的20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET。资料涵盖了产品的电气特性、机械数据、最大额定值、热特性、典型特性曲线以及产品包装信息。
型号- PJQ4427DP
【产品】-40V/-14A P沟道增强型MOSFET PJQ4453P-AU，采用DFN3333-8L封装
PANJIT作为全球领先的半导体分离器件制造商，拥有半导体上下游整合与自有核心技术的优势，致力于整流二极管、功率半导体、突波抑制器等分离式组件产品的研发生产。PJQ4453P-AU是PANJIT公司推出的一款采用DFN3333-8L封装的P沟道增强型MOSFET（-40V/-14A）。
强茂（PANJIT）Low Voltage MOSFET选型表
强茂（PANJIT）提供以下参数选型：VDS(V)：-40~40,VGS(±V)：8-20,ID(A)：-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V)：1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品，适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品；采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Product Status
|
Replacement Part
|
AEC-Q101 Qualified
|
ESD
|
Polarity
|
Config.
|
VDS(V)
|
VGS(±V)
|
ID(A)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
|
Ciss Typ.(pF)
|
VGS(th) Max.(V)
|
Qg Typ. (nC)(10V)
|
Qg Typ. (nC)(4.5V)
|
|
PJQ5542V-AU
|
Low Voltage MOSFET
|
DFN5060-8L
|
New Product
|
-
|
AEC-Q101 Qualified
|
-
|
N
|
Single
|
40
|
20
|
136
|
3
|
-
|
-
|
-
|
-
|
-
|
3050
|
3.5
|
43
|
-
|
选型表 - PANJIT 立即选型
【产品】采用TO-252AA封装的-40V/-50A P沟道增强型MOSFET-PJD50P04，反向传输电容139pF
PANJIT（强茂）推出了PJD50P04为P沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为-40V，连续漏极电流最大额定值为-50A。具有开关速度快、栅极电荷低的特点，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
PJQ5839E-AU 30V双P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了型号为PJQ5839E-AU的双通道增强型N沟道MOSFET。文档涵盖了其电压、电流规格，特性（如低导通电阻、高可靠性），机械数据（封装类型、重量），最大额定值和热特性，电气特性（静态和动态参数），典型特性曲线，产品包装信息和免责声明。
型号- PJQ5839E-AU
PJQ4407P 30V P沟道增强型MOSFET
描述- 该资料详细介绍了型号为PJQ4407P的30V P-Channel增强型MOSFET。文档涵盖了其电压、电流规格，物理尺寸，电气特性，典型特性曲线，封装信息和包装代码等详细信息。
型号- PJQ4407P_R2_00001,PJQ4407P
PJQ5453E-Au 40V P沟道增强型MOSFET
描述- 本资料介绍了型号为PJQ5453E-AU的40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力、可靠性和符合欧盟RoHS 2.0标准等特点，适用于多种电子设备。
型号- PJQ5453E-AU_R2_002A1,PJQ5453E-AU
【经验】 P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU在电源开关中的设计使用
电源开关一般可分为机械式和电子，由于MOS FET可允许通过大电流，而且控制简单成本较低广泛应用于电子开关中。笔者公司开发的一款产品A在电源输入端的控制就选用了强茂PANJIT的P沟道增强型MOSFET PJD16P06A-AU。本文主要介绍一些在使用的过程中的设计使用经验。
【产品】-60V/-5A P沟道增强型MOSFET PJW5P06A，反向传输电容低至47pF
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了SOT-223封装的PJW5P06A（-60V/-5A）P沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
【选型】P沟道增强型MOSFET PJL9415可pin-to-pin替代ONSEMI FDS6675BZ
最近有客户选用ONSEMI的FDS6675BZ，因交期和价格问题需要一款国产的替代物料，本文主要介绍PANJIT的P沟道增强型MOSFET——PJL9415替代ONSEMI的FDS6675BZ。PJL9415的各参数都基本匹配FDS6675BZ的性能需求，同时功耗更低。
电子商城
品牌：PANJIT
品类：Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3210
现货： 5,965
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3324
现货： 2,980
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.9306
现货： 2,955
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3125
现货： 2,446
品牌：PANJIT
品类：ESD Protected P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.3191
现货： 1,950
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.8509
现货： 1,600
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.6913
现货： 188
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥1.0370
现货： 100
品牌：PANJIT
品类：P-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.6116
现货： 100
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论