【经验】基于二极管解析高温反向偏压实验

2022-10-13 Diodes钜兴电子公众号
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高温反向偏压试验(High TemperatureReverse Bias),简称HTRB:及在高温条件下(酸洗芯片,老化的环境温度为125℃;玻璃钝化芯片,环境温度为150℃;肖特基芯片环境温度为100℃),持续提供80%规格的反向电压。在长时间的(48/96/168小时)工作下,要求试验样品的反向漏电流能在范围值内保持稳定。(ps:二极管的其他老化项目可以参考“二极管的可靠性项目”)


下面以二极管“SF58G”为例,在150℃的老化环境温度下,持续提供420V的反向电压(规格书耐压为600V)

可见此样品,在1H内,温度升高,漏电流逐渐升高,在1H时稳定下来,说明此样品在高温下稳定工作(注:此实验只模拟高温和反向电压施压下的反向漏电流,没有通正向的电流)


下面以二极管“SF56G”为例,在150℃的老化环境温度下,持续提供320V的反向电压(规格书耐压为400V)

可见有二只样品的漏电流刹不住车,蹭蹭的往上升,说明此样品在高温高压下,比较不稳定,有可能使用一段时间后,有反向漏电流击穿的风险


HTRB实验在二极管老化项目的重点项目之一,它可以模拟终端应用中的高温高电压下的二极管状况,在批量生产前的小样可靠性实验中,也显得极其重要!

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