【经验】基于二极管解析高温反向偏压实验
高温反向偏压试验（High TemperatureReverse Bias），简称HTRB：及在高温条件下（酸洗芯片，老化的环境温度为125℃；玻璃钝化芯片，环境温度为150℃；肖特基芯片环境温度为100℃），持续提供80%规格的反向电压。在长时间的（48/96/168小时）工作下，要求试验样品的反向漏电流能在范围值内保持稳定。（ps：二极管的其他老化项目可以参考“二极管的可靠性项目”)
下面以二极管“SF58G”为例，在150℃的老化环境温度下，持续提供420V的反向电压（规格书耐压为600V）
可见此样品，在1H内，温度升高，漏电流逐渐升高，在1H时稳定下来，说明此样品在高温下稳定工作（注：此实验只模拟高温和反向电压施压下的反向漏电流，没有通正向的电流）
下面以二极管“SF56G”为例，在150℃的老化环境温度下，持续提供320V的反向电压（规格书耐压为400V）
可见有二只样品的漏电流刹不住车，蹭蹭的往上升，说明此样品在高温高压下，比较不稳定，有可能使用一段时间后，有反向漏电流击穿的风险
HTRB实验在二极管老化项目的重点项目之一，它可以模拟终端应用中的高温高电压下的二极管状况，在批量生产前的小样可靠性实验中，也显得极其重要！
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