【产品】超高密度单元设计的-20V/3.2A P沟道增强型MOSFET AM2301，采用SOT-23S封装
AM2301是采用高单元密度生产的P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。先进的沟槽技术可提供出色的RDS（ON）。该器件适用于负载开关或其它一般应用。
AIT推出的一款P沟道增强型MOSFET AM2301，该产品采用了SOT-23S封装。它的漏源极电压最大额定值为-20V，栅源极电压最大额定值为±12V，环境温度为 25℃时，连续漏极电流最大额定值为3.2A。其工作结温和存储温度范围为-55~150℃，较宽的温度范围使其在恶劣温度环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于笔记本电脑电源管理、便携式设备和联网DC-DC电源系统等领域。
图1 内部结构
图2 引脚配置
特征：
• -20V/-3.0A, RDS(ON) =80mΩ(typ.)@VGS =-4.5V
• -20V/-2.0A, RDS(ON) =105mΩ(typ.)@VGS =-2.5V
•可实现极低栅极电荷的超高密度单元设计
•出色的导通电阻和最大直流电流能力
•采用SOT-23S封装
应用：
•笔记本电脑电源管理
•便携式设备
•联网DC-DC电源系统
•负荷开关
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有规定）
主要电气特性（TA=25℃，除非另有规定）
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本文由李一涛翻译自AiT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
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