【选型】国产P沟道功率MOSFET YJL2305A可Pin-Pin替代IRLML6401,导通电阻低至36.4mΩ

2020-06-30 扬杰科技
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某客户在烟雾探测器产品设计中选用了IR公司的MOS管IRLML6401作为通风风扇的开关控制,不过因供货周期和价格压力,需要选择一款低成本、供货交期好的国产替代产品,本文重点说明扬杰科技P沟道功率MOSFET YJL2305A可Pin-Pin替代IRLML6401,典型电性参数对比参考如下图1所示。

图1  YJL2305A与IRLML6401典型电性参数对比


通过如上图示易知:   

1、YJL2305A相比IRLML6401,具有更高的漏源电压和栅源电压,更低的导通电阻及更小的总栅极电荷,有利于降低功率损耗和提高开关速度,且通流能力更大。

2、 至于栅极阈值电压、输入电容和工作结温范围,二者性能相当。

3、二者封装均为SOT-23,内部结构和引脚定义参考如下图2所示。



图2  YJL2305A与IRLML6401内部结构和引脚定义


通过如上图示易知:

二者内部结构和引脚定义完全一致,可实现兼容设计,无需更改任何外部电路。

 

另外,扬杰科技的MOS管YJL2305A具有更低的成本和更好的供货周期,可快速支持样品和后续量产服务,有需要的客户可以直接到世强电商平台咨询。

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  • ACE Lv8. 研究员 2020-06-30
    学习了
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扬杰科技  -  晶闸管/三相整流桥模块,小信号三极管 SMALL SIGNAL TRIODE,SMALL SIGNAL DIGITAL TRANSISTOR,瞬态抑制二极管,THYRISTOR,晶闸管,碳化硅肖特基模块,ZENER DIODE,小信号三极管,静电放电,中低压 TRENCH MOS,稳压二极管,IGBT MODULES,肖特基二极管,SGT MOS,ULTRA HIGH EFFICIENCY RECTIFIER DIODE,肖特基模块,TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR,快恢复二极管模块,整流桥,超快恢复二极管,小信号开关二极管,SIC SCHOTTKY MODULE,DISCHARGE TUBE,快恢复二极管,RECTIFIER BRIDGE,超高效整流二极管,光伏二极管,放电管,三相整流桥模块,THREE PHASE RECTIFIER MODULE,SCHOTTKY MODULES,FRD DIODE MODULES,SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODE,晶闸管模块,QUICK-RECOVERY DIODE,功率模块,小信号数字晶体管,ESD,整流二极管模块,整流二极管,中低压MOS管,SCHOTTKY DIODE,THREE PHASE RECTIFIE DIODE MODULE,小信号肖特基二极管,IGBT模块,三相整流桥模,MEDIUM AND LOW VOLTAGE MOS TUBE,PHOTOVOLTAIC DIODE,SMALL SIGNAL SWITCHING DIODE,RECTIFIER DIODE 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选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

YJL3401AL P沟道增强型场效应晶体管

该资料详细介绍了YJL3401AL型P沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品特性、电气参数、典型性能曲线和封装信息。该产品采用沟槽功率LV MOSFET技术,具有低RDS(ON)、高速开关等特点,适用于电池保护、电源管理和负载开关等应用。

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21-Oct-24  - 数据手册  - Rev.3.2 代理服务 技术支持 采购服务

【选型】扬杰科技(YANGJIE)MOSFET(中低压/高压)选型指南

产品特点与应用    中低压MOSFET    高压MOSFET    封装尺寸图与焊接尺寸图    包装形态与可靠性测试项目   

扬杰科技  -  低压MOSFET,MOSFET,中低压MOSFET,中压MOSFET,高压MOSFET,YJB70N10A,YJD80G06A,YJ4N70Z,2N7002A,YJ12N65Z,YJQ2012A,YJC2007A,YJD25N15B,YJD90N02A,YJS2301A,YJS4435A,YJ8N60Z,YJQ55P02A,YJS4407B,2N7002KW,YJQ3400A,YJQ40P03A,YJS4407A,YJ2N65Z,YJL02N10A,YJD20N06A,YJS12N03A,2N7002K,YJP70N10A,YJL2303A,YJS10N02A,BSS123W,YJS8205B,YJSD12N03A,YJS05N06A,YJG30N06A,YJL3404A,YJL3416A,YJG80G06A,YJQC602B,YJS03N10A,YJL2304A,2N7002,YJQ1216A,YJS18N03A,YJ4N80Z,YJP25N15B,YJQ30N03A,YJQ53G06A,YJL3415A,YJQ10N02A,YJS15G10B,YJL2301G,VJG50N03A,BSS84,YJL2301F,YJL2301C,YJL2301D,YJL3407AL,YJD40G10A,YJ4N65Z,YJ7N60Z,YJP150N06AC,YJQ4666B,YJ10N65Z,2N7002W,YJQD30P02A,YJS4606A,YJL2302B,YJL05N04A,YJL2302A,YJS12N10A,YJQ03P02A,BSS123,YJL3401A,YJS05N15B,YJS2305A,YJD60N04A,YJQ20N04A,YJL03N06B,YJ12N60Z,YJL03N06A,YJD15N10A,YJQ35N04A,YJB150N06C,BSS138,YJ2N60Z,YJ7N70Z,YJL3400A,YJQ3622A,YJS7328A,YJS2022A,YJS9435A,YJD40N04A,YJD45P03A,YJS4438A,YJ10N70Z,YJD30N02A,YJL2312A,YJG105N03A,YJ8N65Z,YJS3404A,YJD100G10A,YJ4N60Z,YJD60N02A,YJQ3415A,YJ7N80,YJ7N65Z,YJQ35G10A,YJS12G06A,2N7002KDW,YJG53G06A,YJG20N06A,YJS10N04A,YJ12N70Z,YJL3401AL,YJL2305A,YJL2305B,YJG15N15B,YJG18N10A,YJL03G10A,YJG130G04A,YJG85G06A,YJL07P03AL,VJL2300A,YJL3407A,YJS4953A,YJ10N60Z,YJQ2301A,YJD80N03A,YJD50N03A,YJD80N03B,YJQ50N03B,LED灯,安防,手机,路由器,消费类电子,液晶电视,工控,吹风机,太阳能电池,汽车电子,新能源

选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

YJS2305A P沟道增强型场效应晶体管

本资料详细介绍了YJS2305A型P沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品特性、电气特性、应用领域和封装信息。该产品采用 trench power LV MOSFET技术,具备高功率和电流处理能力,低栅极电荷,适用于电池保护、电源管理和负载开关等应用。

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21-Oct-24  - 数据手册  - Rev.3.2 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

YJG055P10A P沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG055P10A型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用沟槽功率MOSFET技术,具有低导通电阻、极低的开关损耗和高密度单元设计等特点。

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15-Mar-24  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务

【应用】国产PMOS用于400G光模块,低导通电阻36.4mΩ,门极漏电流仅为±100nA

在400G光模块中,一般需要通过缓启动电路抑制浪涌电流及尖峰电压,保护光模块电路及保障在瞬时通电情况下各器件的安全,即实现热插拔功能。采用PMOS自行搭建缓启动电路,可以有效节省成本。扬杰YJL2305A可以满足需求。

2023-01-11 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

YJP085P10A P沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJP085P10A型功率MOSFET的特性,包括其电气参数、热阻、封装尺寸和应用领域。该器件采用沟槽功率MOSFET技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于负载开关、电机驱动控制和直流-直流转换器等领域。

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28-Aug-24  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务

YJA3139KB P沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJA3139KB型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用沟槽功率LV MOSFET技术,具有低导通电阻和高速度开关等特点,适用于接口、逻辑开关和负载开关等应用。

扬杰科技  -  P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJA3139KB,接口,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOGIC SWITCH,LOAD SWITCH,负载开关,INTERFACING,逻辑开关

07-Jan-23  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务

YJL2305A P沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJL2305A型场效应晶体管(MOSFET)的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用沟槽功率LV MOSFET技术,具有低RDS(ON)、高速开关和高密度单元设计等特点,适用于电池保护、负载切换和电源管理等应用。

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2-Mar-22  - 数据手册  - Rev.3.1 代理服务 技术支持 采购服务

YJG085P10A P沟道增强型场效应晶体管

本资料详细介绍了YJG085P10A型P沟道增强型场效应晶体管(MOSFET)的产品特性、电气参数、热阻、封装信息等。该产品采用沟槽功率MOSFET技术,具有低RDS(ON)、高热散性、环保无卤等特点,适用于电源开关应用、不间断电源和DC-DC转换器等领域。

扬杰科技  -  P沟道增强型场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,YJG085P10A,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

15-Mar-24  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务
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品牌:扬杰科技

品类:贴片MOS管

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品牌:扬杰科技

品类:MOS

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品牌:扬杰科技

品类:二极管

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品牌:扬杰科技

品类:整流模块

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品牌:扬杰科技

品类:二极管

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笔电热管/高功率热管/平头热管定制

可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。

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ATP半导体冷板制冷器定制

可定制ATP TE Cooler的冷却功率:40~200W;运行电压:12/24/48V(DC);控温精度:≤±0.1℃; 尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400 (长*宽;单位mm)。

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