【技术】解析外接电容大小与晶振起振快慢关系

时间： 2023-04-18 来源：晶科鑫公众号

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首先说明的是：但凡需要外接电容的晶振均为无源晶振。另外，注意区分外接电容C1和C2（接地电容，对地电容）并不等同于晶振负载电容（CL）。C1和C2是电路板和包括IC和晶振在内的组件的总电容值。

PCBA图

一般情况下，增大无源晶振的外接电容将会使晶振振荡频率下降，即偏负向。举例，若无源晶振12MHz的外接电容为18PF，实际输出频率为12.002876MHz。更改外接电容为27PF之后，该晶振的实际输出频率会有所降低，如：11.9998923MHz。

晶振的外接电容越大，晶振的振荡越稳定，但是会增加起振时间，即晶振起振慢，其原理是外接电容会存储更多电荷，即降低电流强度，从而降低电路提供给晶振起振的激励功率。

当无源晶振的输出波形出现削峰、畸变时，这一般是由于电流过驱动（over drive）导致，可以尝试通过串联一颗电阻解决，电阻值一般在几十kΩ~几百kΩ。如果要稳定波形，则可尝试并联一颗1M反馈电阻。

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晶科鑫成立于1989年，是专注研发、生产和销售于一体的晶振工厂，独有品牌SJK，畅销国内外，是晶振行业的领军品牌。生产的晶振产品广泛应用于物联网、智慧城市、机器人、智能手机、手持通信设备、消费类电子、航空航海、蓝牙、无线通信、自动化设备、家庭影院、测量仪器、测试设备等电子领域。

晶科鑫晶振致力于现代化科技建设最佳应用，贴合中国智能制造业的需求特点，注重融合、创新和应用，专业提供包括咨询规划、制造执行、专属定制、测试与验证、交付与服务等智能数字化工厂一体化解决方案。

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