【应用】N沟道增强型功率MOSFET HM2318D可用于笔记本电脑的电源管理电路，漏源导通电阻典型值为32mΩ

时间： 2023-05-12 来源：世强

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传统的台式电脑比较笨重，移动起来十分困难，笔记本电脑因为小巧轻便，并且性能不断提升，所以很多人更加青睐笔记本电脑。由于笔记本电脑采用可充电锂电池供电，因此笔记本电脑的电源管理设计是非常重要的，好的电源管理设计可以帮助延长电池寿命，减少电能消耗，提高电脑的性能等等。

笔记本电脑需要高效的电源管理电路，因此选用的MOSFET需要具有低导通电阻和低开关损耗，以提高笔记本电脑的电源管理系统的效率和电池寿命。笔记本电脑电源电压一般为10.8V或14.4V，MOSFET需要承受高电压和高电流。因此，选用的MOSFET需要有足够的耐压能力和耐电流能力，以保证整个电源管理电路的安全稳定。笔记本电脑一般尺寸小巧，因此选用的MOSFET封装要小，可贴片，节省电路板空间。

笔者比较推荐虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2318D，结温25℃，VGS=10V, ID=6.0A，漏源导通电阻典型值为32mΩ，MOSFET导通时的耗散功率约为1.15W，当MOSFET进行开关操作时还存在开关损耗，开关损耗主要和MOSFET栅极电容，栅极驱动电压以及驱动频率有关，在其他两个条件不变的情况下，MOSFET栅极电容越小，开关损耗就越小，我们用总栅极电荷来表征栅极电容的影响，VDS=20V, VGS=4.5V, ID=6A时，总栅极电荷仅为8.2nC，对于1KHz的驱动频率，对应的开通损耗约为37μW，几乎可以忽略不计。因此HM2318D具有低导通电阻和低开关损耗，可以提高笔记本电脑的电源效率。

结温25℃，VGS=0V，ID=250μA，HM2318D的漏源击穿电压最小值为40V，远高于笔记本电脑电源电压。结温25℃，VGS=10V, ID=6.0A，漏源导通电阻典型值为32mΩ，内阻较小，通流能力更强。HM2318D可以满足笔记本电脑的电压电流需求，保障笔记本电脑工作稳定性。

HM2318D采用DFN2X2-6L贴片封装，相比插件封装，能提高线路板器件密度，节省线路板空间，降低笔记本电脑的物料成本又能满足小型化设计需求。

虹美功率半导体推出的N沟道增强型功率MOSFET HM2318D漏源导通电阻小，开关损耗低，漏源击穿电压高，采用DFN2X2-6L贴片封装，能提高笔记本电脑电源管理电路工作效率和电池寿命，保证笔记本电脑电源管理电路的安全稳定，能满足笔记本电脑小型化设计需求。

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虹美功率半导体N沟道低压MOS选型表

N沟道低压MOS，VDS(Max) (BVDSS(V))：15~200，ID(Max) (A)：0.17~37，IDM (A)：0.68~110，VTH (Typ) (V)：0.45~3.4，VGS (V)：6~30，RDS(ON) @10VTyp (mΩ)：2.9~5000，RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ)：3.9~3000，RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ)：5.5~370

产品型号	品类	沟道(Polarity)	VDS(Max) (BVDSS(V))	ID(Max) (A)	IDM (A)	VTH (Typ) (V)	VGS (V)	RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ)	RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ)
HM2302	N沟道低压MOS	N沟道	20V	3A	10A	0.7V	10V	30mΩ	37mΩ