【产品】-30V/-35A的P沟道功率MOSFET CJAB35P03，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
长晶科技推出一款采用PDFNWB3.3×3.3-8L封装的P沟道功率MOSFET——CJAB35P03，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，广泛适用于多种应用。
特点：
采用高密度单元设计，具有超低漏源导通电阻RDS(ON)
全表征雪崩电压和电流
具有良好的稳定性和均匀性，EAS高
采用出色的封装，具有良好的散热性能
采用特殊工艺技术，具有高ESD能力
应用：
电源和负载开关应用
绝对最大额定值参数（Ta=25℃，除非特别说明）:
电气参数(Ta=25℃，除非特别说明)
注：
1.TC=25℃，仅受允许的最高温度限制
2.PW≤10μs，占空比≤1%
3.EAS条件：起始Tj=25℃,VDD=-25V,VGS=-10V,L=0.5mH,Rg=25Ω
4.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
5.由设计保证，不受产品限制
6.在Ta=25℃的静止空气环境中，用安装在1平方英寸的带2盎司铜皮的FR-4板上的器件测量RθJA的值。
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD（Yes/No）
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VDS（V）
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ID（A）
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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