【产品】专为高压、高速开关应用而设的N沟道高压场效应晶体管CMD7-650，功率损耗仅140W
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国的分立半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的系列N沟道高压场效应晶体管（MOSFET）——CMD7-650系列，专为高压，高速开关应用而设计，如高压PFC，固态照明和功率逆变器。 该MOSFET结合了高电压能力，低导通电阻和低栅极电荷，是高压PFC电路的最佳选择。其具体实物图如图1所示。
图1.CMD7-650系列晶体管实物图
CMD7-650的N沟道功率MOSFET漏源电压VDS为650V，栅源电压VGS为30V，它们的导通电阻和总栅极电荷为1.35Ω、5.0nC ，导通损耗很低，栅极总电荷在同等电压、电流条件下，开关损耗最低，可以取得很高的效率。其操作和存储结温范围为-55℃～150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其产品设计的可靠性。另外，还可应用在高压PFC电路中，用于功率逆变器中，热阻（结到空气）为110°C/W，而热阻（结到外壳）为0.89 °C/W。其功率损耗PD为140W(TC=25°C)，最大脉冲漏电流IDM为28A（tp=10μs），最大脉冲源电流ISM为28A。其结构轮廓及管脚如图2所示。
图2. CMD7-650系列晶体管结构轮廓及管脚图
另外，其耗散功率与温度均具有负的温度系数，其耗散功率对环境温度较为敏感，功率损耗值随着温度的变化而变化。根据设计的需求，可参考频率温度曲线，通过相应的坐标值，方便控制器件功率的设计。具体功率降额曲线如图3所示。
图3. CMD7-650系列晶体管功率降额曲线
基于特定的条件下，其电气特性如下表所示：
表1. CMD7-650系列晶体管电气特性
CMD7-650系列晶体管的特性：
• 漏源电压VDS均为650V
• 栅源电压VGS为30V
• 导通电阻和总栅极电荷均为1.35Ω、5.0nC
• 功耗：PD=140W(TC=25°C)
• 热阻（结到外部环境）110°C/W，（结到外壳）0.89 °C/W
• 工作和存储结温范围均为：-55°C~+150°C
• 低导通电阻为1.35Ω
• 低栅极电荷（QGS = 5.0nC）
CMD7-650系列晶体管的应用领域：
•替代功率逆变器
•固态照明
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品牌：Central Semiconductor
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