【产品】60V/200mA双路硅开关二极管BAS56，反向恢复时间6ns、适于高速开关应用
CENTRAL的BAS56由两个电气隔离的超高速硅开关二极管组成，采用外延平面工艺制造，采用表面贴装型环氧树脂SOT-143封装。该器件专为高速开关应用而设计。该二极管最大功耗仅为350mW，在电路设计中可以减小系统负担，提高系统的安全性。工作和存储结温范围均为-65℃至150℃，符合军工级产品温度要求。
图1 BAS56硅开关二极管产品外观图
电气参数方面，BAS56硅开关二极管内置两个相同的二极管，电气原理图请参照图2。BAS56的连续反向电压和峰值重复反向电压最大值均为60V，连续正向电流最大值为200mA。可用于小信号开关场合；当连续反向电压VR=60V时，连续反向电流IR为100nA（最大值）；当连续反向电压VR=60V，TA=150°C 时，连续反向电流为IR为100μA（最大值）；当连续反向电压为VR=75V时，IR为10μA（最大值）。可见其反向漏电流很低，截止状态功耗较低。但是使用者须注意温升对IR的影响，以确保系统设计可靠性。
在正向电流IF=10mA时，正向压降最大值为VF仅为0.75V。导通状态电压损耗较低，易于驱动；另外，在IF=IR=400mA, Irr=40mA, RL=100Ω 时，反向恢复时间trr低至6ns，产品具有较快的开关速度，适用于高速开关场合。产品具体封装尺寸请参照图2。
图2 产品原理图及机械尺寸图
BAS56硅开关二极管产品特点：
·连续反向电压 VR：60 V
·峰值重复反向电压 VRRM：60 V
·连续正向电流 IF：200 mA
·峰值重复正向电流 IFRM：400 mA
·功耗PD：350 mW
·工作和存储结温TJ，Tstg：-65至+ 150°C
·热阻 ΘJA：357°C / W
BAS56硅开关二极管应用领域：
·高速开关
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吊个天 Lv7. 资深专家 2018-11-076ns，牛 -
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用户202716 Lv3. 高级工程师 2018-10-26赞 -
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镜子 Lv3. 高级工程师 2018-10-26不错
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