【产品】8管脚封装集成负压驱动并具备保护和通信功能的国产碳化硅MOSFET栅极驱动芯片
碳化硅MOSFET可以大幅提升大功率开关电源（SMPS）的开关性能，为系统提供更高的效率、更快的开关速度和更大的功率密度，同时对配套的栅极驱动芯片也提出了新的挑战。针对这一全新的课题，上海瞻芯电子科技有限公司（以下简称“上海瞻芯电子”）推出了已经通过JEDEC认证的碳化硅MOSFET栅极驱动芯片系列产品。
IVCR1401是上海瞻芯电子第一颗量产产品，也是世界上唯一一款在8管脚封装集成负压驱动，并提供所有必需的保护和通信功能的碳化硅MOSFET栅极驱动芯片，可以使系统设计更为精简、可靠，从而推动碳化硅功率器件的更快普及和广泛应用。
更快的开关速度带来了更严重的开关噪声，新型碳化硅MOSFET专用栅极驱动芯片内部集成了负压电路，在无需外加负压电源的情况下，可以完成输出负压驱动提供更多的噪声裕量，使系统更稳定运行于各种复杂的应用环境。
集成的过饱和/过流保护功能，响应时间仅有数百纳秒，可以更及时的保护碳化硅器件在各种干扰甚至短路情况下不损坏，同时将侦测到的错误信号向控制器汇报。新型碳化硅MOSFET栅极驱动芯片还内置了5V电源给隔离器供电，简化了配合隔离器芯片的电路设计。
IVCR2401是一颗通用型双通道低侧栅极驱动芯片，可以有效兼容替代国际上已量产商用的栅极驱动芯片。主要特点如下：
· 工业标准的SOIC8封装，可以选择带/不带热焊盘（Powerpad or Exposed pad）
· 25V、4A独立的栅极驱动双通道
· 两个通道之间延迟不超过1ns
· VDD欠压保护
· TTL和CMOS输入均可
· 工作温度范围-40℃~125℃
· 可以驱动碳化硅MOSFET的同时，也可以适用于硅MOSFET/IGBT驱动
主要应用场景
· 开关电源SMPS，包括ACDC和DCDC转换器
· 光伏逆变器系统
· 风能逆变器系统
· 服务器和通信电源
· 不间断电源UPS
· 电动汽车充电机OBC
· 电动汽车电机控制器
· 电动汽车用充电桩/充电站系统
典型应用电路
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用户83123110 Lv4. 资深工程师 2021-01-04学习 -
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titan Lv8. 研究员 2020-12-31学习 -
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luosai Lv8. 研究员 2020-12-31学习 -
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阿里扎扎 Lv4. 资深工程师 2020-12-30学习了 -
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棒棒猫 Lv6. 高级专家 2020-12-30学习 -
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titan Lv8. 研究员 2020-12-30学习 -
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意外之外 Lv7. 资深专家 2020-12-30学习
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Product Brochure SiC Power Semiconductor and IC Solution
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瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南
目录- 公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
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瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/栅极驱动芯片/模拟控制芯片选型指南
目录- 公司简介 产品应用 碳化硅产品概览 碳化硅（SiC）MOSFET 碳化硅（SiC）肖特基二极管 碳化硅功率模块 栅极驱动芯片 图腾柱 PFC 控制芯片 产品可靠性测试规范
型号- IV2Q12040BD,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV1Q12017T4ZG,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IVCO1412DDWQ,IVCO1A0XD,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV1D06020T2,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IVST12020DB1L,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV1Q06060T4ZG,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IV1Q07015T3G,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q07015T4G,IVCO1A0XDW,IV1Q12160T3,IVCO1411DDWQ,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IV2D12020T2,IV1Q07015BAG,IVCR2504,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IVCR1801,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IVCR1401,IVCR1402,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q07015BDG,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVCC1104D,IVSM12160HA2Z,IVCC1104F,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
【选型】国产低侧栅极驱动芯片IVCR2401可替换UCC27524用于空调
国产品牌瞻芯电子开发了一系列低侧栅极驱动芯片，可以Pin-to-Pin完全兼容替代国外已量产商用的栅极驱动芯片。IVCR2401已经替换UCC27524在麦格米特获得了大批量订单，并成功的在空调机上进行了应用。
【应用】采用开环LLC＋电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计
国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%，揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。
瞻芯电子通过IATF16949汽车质量管理体系认证，为持续、稳定量产高品质车规级产品提供坚实保障
2023年10月17日，瞻芯电子通过了第三方认证机构TUV的严格评审，正式获得IATF16949汽车质量管理体系认证，表明瞻芯电子碳化硅（SiC）晶圆厂的制造质量管理体系全面符合国际汽车行业质量管理标准，为持续、稳定量产高品质的车规级产品，提供了坚实保障。
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制变压器支持60W-600W范围，额定电流最高10A，漏感稳定度最小3%；支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
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