【产品】600V超结功率MOSFET TPW60R040MFD，采用TO-247封装
超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的一种用于高压功率MOSFET的革命性技术。Multi-EPI SJ MOSFET提供了一个非常快速和健壮的体二极管，还提供具有极高鲁棒性的极低开关，通信和传导损耗设备，尤其使谐振开关应用更可靠，更高效，更轻，也适合工业级应用，如PFC、交直流电源转换的交直流SMPS等。无锡紫光微推出的TPW60R040MFD是一款600V超结功率MOSFET，连续漏极电流72A，耗散功率500W，工作结温和储存温度范围-55~150℃，采用了TO-247封装。产品符合RoHS标准，经过100%雪崩测试，可应用于开关电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。
600V超结功率MOSFET特征:
超快体二极管
易于使用/驱动
超低FOM RDS（on）×Qg
100％雪崩测试
符合RoHS标准
600V超结功率MOSFET应用:
l 开关电源（SMPS）
l 不间断电源（UPS）
l 功率因数校正（PFC）
l LLC半桥
l 充电器
器件的封装和内部电路：
器件标记和封装信息：
绝对最大额定值TC =25ºC（除非另有说明）
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型号- 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
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无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表
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产品型号
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品类
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Product State
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封装形式
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Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ
|
Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max
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BVdss（V） min
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BVdss（V） typ
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ID（A）
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Vth（V）min
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Vth（V）max
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应用建议
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TPW120R800A
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SJ-MOSFET
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M
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TO-247
|
640
|
800
|
1200
|
1320
|
12
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2.5
|
4
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辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
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无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
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产品型号
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品类
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Package
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BVdss(V)
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ID(A)Tc=25℃
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Vth(V)min
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Vth(V)max
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Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
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Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
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TPW50R060C
|
Super Junction MOSFET
|
TO-247
|
500
|
47
|
2.5
|
4
|
0.043
|
0.06
|
选型表 - 无锡紫光微 立即选型
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