爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货，兼具超低导通和超快开关特性

时间： 2022-12-05 来源：爱仕特

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深圳爱仕特科技有限公司（以下简称“爱仕特”）自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户，填补了国内该系列产品研发及应用的空白，引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

爱仕特的12mΩ SiC MOSFET产品，据知是目前商用的最大电流产品。门极驱动电压由20V降至15V即可完全开启，降低了器件的开关损耗，实现了低导通电阻和高速开关性能的结合，有助于缩小车载逆变器和各种开关电源等众多应用的体积并进一步降低其功耗。

与以往产品相比，驱动电压降至15V，能更好兼容传统硅基IGBT的驱动电路，提升了器件的可靠性，并降低了驱动损耗。与此同时，国际主流厂商已开始大力推广15V驱动的SiC MOSFET，加快对传统硅基IGBT的替代。下表对比可以看出爱仕特产品的FOM品质因数（综合评估产品的导通损耗和开关性能）紧跟与国际产品的一线技术水平。

FOM品质因数评估的依据：Qg用于评估给定栅极驱动下的开关特性，Rdson是用来衡量直流导通损耗的重要参数。Qg越小，所需驱动的开关损耗越小；导通电阻越低，产生的导通损耗越小。但是这两个参数在器件设计方面是一个矛盾体。电源设计人员一般会采用FOM品质因数来评估MOS管或对之进行等级划分。FOM品质因数的值越小，意味着MOSFET产品导通损耗和开关损耗的综合性能越优异。

近年来，新能源汽车的高速发展，促进了更高效、更小型、更轻量的电动系统的开发，特别是发挥核心作用的主机逆变器。采用碳化硅功率器件可满足新能源汽车更高功率、更远续航、更小损耗和更低重量的要求，而且在800V电压平台下更能发挥它的性能优势。随着下游行业对半导体功率器件高转换效率、低发热特性需求的持续增加，碳化硅器件已实现从研发到规模化量产的跨越，进入产业化快速发展阶段，在应用方面具备出众的性能表征。

在这样的环境下，爱仕特不断实现SiC MOSFET产品研发及市场应用的突破，已经量产20多款650V~3300V的SiC MOSFET芯片和模块产品，在新能源汽车、光伏等领域累计出货3000K。爱仕特建有车规级模块工厂和完整的品质管理体系，通过IATF 16949、ISO 9001质量体系认证和第三方AEC-Q101车规级认证。公司研发团队进一步开发第3.5代工艺平台，在现有芯片面积基础上还可再缩小20%，为SiC MOSFET的大规模应用贡献力量。

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