Wolfspeed SiC二极管，SiC MOS管，SiC模块，SiC开发工具；82个型号，8万现货，低至3折，当日发货

时间： 2020-05-11 来源：世强

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1200V的碳化硅二极管和600V的碳化硅二极管相同容量40A,哪个发热量大?

1200V的SIC肖特基二极管发热会大些。因为更高耐压的SIC肖特二极管的正向导通压降VF相对更大，而反向恢复电流均为可忽略不计，在25℃条件下，1200V的SIC肖特基二极管VF一般为1.8V（如Wolfspeed的C4D40120D 1200V/40A），而600V的SIC肖特基二极管VF一般为1.35V（如ROHM的SCS240AE2 650V/40A），电流相同的条件下，前者发热更大（P=I2*R）。

2018-12-28 - 技术问答

【经验】1200V/75mΩ高性价比SIC MOSFET助力6.6KW车载OBC全桥逆变，较主流型号成本降低10%

为兼顾提升6.6KW车载OBC充电效率并降低系统设计成本，本文推荐选择Wolfspeed（科锐）推出的一款高性价比SIC MOSFET C3M0075120K，采用自带独立驱动源引脚的TO-247-4封装，导通阻抗低至75mΩ，兼容普通MOSFET栅源电压-4V和+15V的工作电压设计，单价成本相比1200V/80mΩ SIC MOSFET可降低10%，是实现低成本高性能的首选。

2018-11-10 - 设计经验

COMMERCIALLY AVAILABLE SIC POWER DEVICES

型号- C4D40120D,CPM2-1200-0080B,CPM2-1200-0040B,CPW3-1700-S025B,C2M0280120D,C3D10170H,C3D03065E,CRD-001,CPM3-0900-0065B,CPW2-0650-S016B,C3D02060A,CRD-06AD09N,CRD-5FF0912P,CRD15DD17P,CRD-50DD12N-2,CCS020M12CM2,CSD01060A,C3M0065100J,C3M0065100K,C3D08065A,C4D08120A,C3M0120090D,CPM2-1200-0025B,C3D08065E,C4D08120E,CSD01060E,CPW4-1200-S002B,C3D25170H,CPW5-0650-Z030B,C4D30120D,C3D20060D,C3M0120090J,C3D08065I,CGD15FB45P1,C2M0160120D,C3D02060E,C3D02060F,CPM2-1700-0045B,C4D10120D,C4D10120A,C4D02120E,CPM3-1000-0065B,C3D04060A,C4D02120A,C2M0045170P,C4D10120H,C4D10120E,CPW3-1700-S010B,CRD-200DA09E,C3D16065A,CPW3-0650-S004B,CPW5-1700-Z050B,C3D1P7060Q,C3D16065D,CPW3-0600-S004B,C3D04060E,C3D04060F,KIT8020-CRD-8FF0917P-2,CRD-8FF1217P-1,CPW2-0650-S006B,CPW3-0600-S002B,CPW2-0650-S010B,CPM2-1200-0160B,CRD-50DD12N,C3D10060A,C2M0045170D,C3D06060F,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,CRD-8DD12P,CRD-200DA12E,C2D05120A,CPW3-0600-S003B,CPM3-0900-0030A,CGD15HB62LP,C3D02065E,C3D10065A,C4D15120D,C3M0065090J,C4D15120A,C3M0065090D,CPWR-0600-S001B,CPW5-1200-Z050B,C3M0075120K,C3D10065I,C3M0030090K,C3D10065E,CGD15SG00D2,C3D08060A,CPW2-0600-S010B,C3D08060G,CPW4-1200-S005B,C3M0120100J,C3D20065D,C4D15120H,CPW4^1200-S015B,C3M0120100K,CPW2-0650-S012B,C3D12065A,C3D03060E,C3D30065D,C3D03060F,CPW2-1200-S050B,C3D16060D,CPW2-0600-S006B,C3D03060G,CPW2-0650-S008B,CRD-060DD17P-2,CPW4-1200-S010B,C3D03060A,CPW5-0650-Z050B,C2M0080120D,CRD-20AD10N,CAS300M17BM2,C2M1000170D,C3D06065A,C2M1000170J,C3D06065I,C4D20120H,C3D06065E,CAS325M12HM2,C3M0280090J,CRD-20DD09P-2,CPW4-1200-S003B,C3M0280090D,C5D50065D,C4D20120A,CGD15HB62P1,CVFD20065A,CRD-02AD09N,C4D20120D,KIT8020-,C3D04065A,CAS300M12BM2,CCS050M12CM2,CRD-060DD12P,C3D04065E,CPW2-0600-S008B,C2M0025120D,C2M0080170P,CPM2-1700-0080B,C2M0040120D,CPW4-1200-S020B,C4D05120A,C4D05120E,CPM3-0900-0010A,CAS120M12BM2

2018/07/11 - WOLFSPEED - 数据手册

RoHS符合性声明RS3031022016

型号- C3D10065A,C3D02060A,C2D10120A,C3D04065A,C4D10120A,C4D15120A,C3D04060A,C3D06065A,CSD01060A,C4D02120A,C3D08065A,C3D10060A,C4D08120A,CAC060A,C3D08060A,C3D16065A,C4D05120A,C3D03060A,C3D06060A,C4D20120A,C2D05120A,CAD060A,CVFD20065A,CAB060A

9/12/14 - WOLFSPEED - 技术文档 - Revision 2

Wolfspeed TO247-4封装SIC MOSFET在大功率直流充电桩上的应用

Wolfspeed公司生产的SiC-MOSFET功率管 C3M0075120K漏源阻断电压高达1200V，连续导通电流可达30A，导通电阻仅75mΩ，输出电容仅58pf，采用新型低阻抗封装TO247-4，适合应用在直流充电桩功率单元中。

2019-03-26 - 应用方案

【技术】Wolfspeed 采用独立Kelvin驱动源极引脚封装，降低SiC MOSFET 开关损耗3.5倍

Wolfspeed 开发了两种分立SiC MOSFET 封装TO-247-4L和TO-263-7，采用独立Kelvin驱动源极引脚。，应用于SiC MOSFET，突破了传统封装对di/dt的限制，能够发挥出SiC MOSFET开关速度快和开关损耗低的特点。

2019-04-09 - 新技术

REACh可报告物质声明RE3031062016

2017/08/28 - WOLFSPEED - 技术文档 - Rev. D

C3M0075120K碳化硅功率MOSFET C3MTM MOSFET技术

型号- C3M0075120K

02-2017 - WOLFSPEED - 数据手册 - Rev.A

碳化硅肖特基二极管的技术演变及选型方法

本文从技术演变的角度来讲述有关碳化硅肖特基二极管的演变特点，以及它们在性能、可靠性和坚固性上的不同之处，有助于在设计选型阶段考虑这些因素，合理选型。Cree提供商用JBS和MPS SiC二极管已有十余年，这些器件的现场使用时间累积约达1万亿小时。它们的总单位时间故障率(FIT)为0.095，还不到历史悠久的硅器件可比数值的二十分之一。

2016-06-03 - 技术探讨

市售SiC功率器件

型号- C4D40120D,CPM2-1200-0080B,C3M0120090K,CPM2-1200-0040B,CPW3-1700-S025B,C2M0280120D,C3D10170H,C3D03065E,CRD-001,CPM3-0900-0065B,CPW2-0650-S016B,C3D02060A,CRD-5FF0912P,CCS020M12CM2,CSD01060A,C3D08065A,C4D08120A,C3M0120090D,CPM2-1200-0025B,C3D08065E,C4D08120E,CSD01060E,CPW4-1200-S002B,C3D25170H,CPW5-0650-Z030B,C4D30120D,C3D20060D,C3M0120090J,C3D08065I,C2M0160120D,C3D02060E,C3D02060F,CPM2-1700-0045B,C4D10120D,C4D10120A,C4D02120E,CPM3-1000-0065B,C3D04060A,C4D02120A,C4D10120E,CPW3-1700-S010B,C3D16065A,CPW3-0650-S004B,CPW5-1700-Z050B,C3D1P7060Q,C3D16065D,CPW3-0600-S004B,C3D04060E,C3D04060F,CRD-8FF1217P-1,CPW2-0650-S006B,CPW3-0600-S002B,CPW2-0650-S010B,CPM2-1200-0160B,CRD-50DD12N,C3D10060A,C2M0045170D,C3D06060F,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,CRD-8DD12P,C2D05120A,CPW4-1200-S008B,CPW3-0600-S003B,C3D02065E,C3D10065A,C4D15120D,C3M0065090J,C4D15120A,C3M0065090D,CPWR-0600-S001B,CPW5-1200-Z050B,C3D10065I,C3D10065E,C3D08060A,CPW2-0600-S010B,C3D08060G,CPW4-1200-S005B,C3D20065D,CPW2-0650-S012B,C3D12065A,C3D03060E,C3D30065D,C3D03060F,CPW2-1200-S050B,C3D16060D,CPW2-0600-S006B,CPW2-0650-S008B,CRD-060DD17P-2,CPW4-1200-S010B,C3D03060A,CPW5-0650-Z050B,C3M0065090K,C2M0080120D,CAS300M17BM2,C2M1000170D,C3D06065A,C2M1000170J,C3D06065I,C3D06065E,CAS325M12HM2,C3M0280090J,CPW4-1200-S015B,CRD-20DD09P-2,C3M0280090D,C5D50065D,C4D20120A,CVFD20065A,C4D20120D,KIT8020-,C3D04065A,CAS300M12BM2,CCS050M12CM2,CRD-060DD12P,C3D04065E,CPW2-0600-S008B,C2M0025120D,C2M0040120D,CPW4-1200-S020B,C4D05120A,C4D05120E,CPM3-0900-0010A,CAS120M12BM2

2017/08/28 - WOLFSPEED - 技术文档 - Rev. -

【方案】30KW氢燃料电池车载DC-DC电源优选元器件方案

描述- 30KW车载DC-DC电源主拓扑包括LLC和输出整流，实现将氢燃料电池转化为高压，大直流电，为车载动力电池充电；该方案LLC采用Silicon Labs隔离单电源驱动芯片SI8281，简化了设计并且在信号输入侧不需要额外加隔离变压器或隔离芯片，降低设计成本；信号采样及主控芯片通讯采用Siliocn Labs SI86XX做隔离，降低设计体积，提升系统可靠性；满足小体积化的需求。

型号- C4D40120D,SPHV_C,SMBJ,TPSMA6L,SMDJ,SI8281,SI8921BD-IS4,TPSMF4L,ADP32F03A,R1244X,DCP4G056007GD2KSSD,SI86XX,SM24CANB-02HTG,R1240X,CC 系列,SM24-02HTG,SMAJ,SMCJ,TPSMC,TPSMB,TPSMD,SI8931D-IS4,SMF,TSX-3225,R1245X,TFLEX500,SI8281CD-IS,SM24CANA-02HTG

RICOH,EPSON,WOLFSPEED,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,WIMA - 优选器件方案 - V1.0

【应用】采用TO-247-4封装的SiC MOSFET评估板应用方法

wolfspeed推出可配置为同步升压，同步降压，逆变器和其他常见的电源转换拓扑的评估版KIT8020-CRD-5FF0917P-2。该评估版使用第三代（C3M）碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管，为栅极驱动信号提供了独立的开尔文源极引脚，可减少栅极振铃提供完整的栅极信号。

2019-04-30 - 应用方案

KIT-CRD-3DD065P KIT-CRD-3DD12P降压-升压评估套件应用说明

描述- Cree公司推出的KIT-CRD-3DD065P/CRD-3DD12P降压升压评估套件，旨在展示其第三代碳化硅MOSFET的高速开关性能。该套件支持TO-247-4L封装，并兼容TO-247-3L封装。套件包含半桥配置，支持同步降压、同步升压、异步降压和异步升压等常见拓扑结构。此外，套件采用低损耗“Sendust”材料电感，以降低功率损耗。

型号- C0603C103K5RACTU,S-12269,C0603C102K5RECTU,242102,C3M0075120K,DNP,8174,CRD-3DD12P-1,CRD-3DD12P-2,ERJ-8ENF1004V,KIT-CRD-3DD065P,92005A120,94812A300,CGA5L1X7R1V106K160AE,CWS-1SN-12877,C3M0060065K,92745A348,RC0805JR-075R1L,RC0805FR-079K1L,RMCF1206FT4R02,5-1814400-1,5-1634513-1,KIT-CRD-3DD12P,ACM4520V-901-2P-T00,GMK316AB7106KL-TR,C1210C223KDRAC7800,91202A222,MKP1848S61010JY2B,RC0603FR-0791RL,SI8261BCD-C-IS,LTST-C150KGKT,RC1206JR-070RL,MAX03-HNG,92510A031,C1608X5R1V475M080A,B32023A3154M,S-2246,MM035C104KCZ2A,MMSZ5251B-7-F,RC1206FR-078R2L,ZRB18AR6YA475KE05L,RC0603JR-070RL,1935161,UMK107AB7105KA-T,780603U04000G,R15P21503D,RC0603JR-075K1L,S-16677,S2751-46R,RHC2512FT10R0

04-2019 - WOLFSPEED - 应用笔记或设计指南 - Rev. B

CRD-60DD12N 60kW 交叉升压转换器

描述- 本资料介绍了Cree公司推出的60kW交叉升压转换器CRD-60DD12N。该转换器基于Cree的C3M 1200V、75mΩ SiC MOSFET，并采用CGD15SG00D2隔离栅极驱动板。资料详细描述了设计规格、电气操作、板子组装和测试程序，并提供了性能数据和原理图。

型号- CRD-60DD12N,C4D10120D,TL431AIDBZR,C3M0075120K,VS-60EPF12PBF,B32796E2226K,PPPC041LFBN-RC,PE-67200NL,CGD15SG00D2,PPPC021LFBN-RC,FBMJ1608HS220NTRTAIYO,B32674D6225K,68021-108HLF,68021-106HLF,BAV20W-7F,68683-303LF,68683-304LF,RC0603FR-071RL,LM358DR,BAS16LT1G,UCC28220D,T26586,MKP1848C71010JY,CRD015DD17P,CRD-15DD17P,DLA60I1200HA,UCC2822,BCS-102-L-D-TE,T46592,CB70-14-CY

06-2018 - WOLFSPEED - 应用笔记或设计指南 - Rev A

【选型】1200V 75mΩ SiC MOSFET C3M0075120K 高频应用需求首选，损耗降低3倍

工业产品技术发展越来越成熟，高频小型化成为新的发展趋势，随着sic产品技术额成熟以及普及，越来越多的产品中考虑使用sic mosfet来设计，Wolfspeed公司推出的第三代sic mos C3M0075120K，自带独立驱动源引脚（又称开尔文源极引脚）的TO-247-4封装、具有更低的导通阻抗，设计更简单，功率密度更高。

2019-01-02 - 器件选型