【应用】派恩杰N沟道碳化硅MOSFET用于车载充电机，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点

时间： 2022-12-09 来源：世强

技术问答

车载充电机（OBC）是安装在车辆里，用于停车时从交流电网为高压电池再充电的系统。目前功率范围从3kW到22kW左右。某客户在设计一款11KW的双向OBC。在该项目中需求一款N沟道碳化硅MOSFET。规格要求：电压1200V，内阻80ohm，封装：TO247-4；要求过车规认证。本文推荐派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4。

图一是P3M12080K4应用于车载充电机的典型应用原理路：

图一 P3M12080K4应用于车载充电机的典型应用原理路

11kW车载充电机可以满足快速充电的趋势，电动汽车系统电池电压逐渐提高到800V；SiC功率器件因其极小的开关损耗和优良的高温特性被广泛用于OBC（车载充电机）。

派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4封装图：

派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4应用于车载充电机的优势有以下几点：

1、派恩杰N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12080K4采用TO-247-4封装，漏源电压1200V，AEC-Q101认证合格。

2、P3M12080K4具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点，结壳热阻为0.68℃/W，散热较好。

3、P3M12080K4通过了100%UIS测试，符合RoHS标准，无卤素，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器。

4、P3M12080K4漏源导通电阻典型值80mΩ、最大仅96mΩ（@VGS=15V，ID=20A），导通损耗较低，提高系统效率和功率密度。

5、世强常备库存，性价比相对国外其他品牌更有优势。

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

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