【应用】派恩杰N沟道碳化硅MOSFET用于车载充电机，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点

时间： 2022-12-09 来源：世强

技术问答

车载充电机（OBC）是安装在车辆里，用于停车时从交流电网为高压电池再充电的系统。目前功率范围从3kW到22kW左右。某客户在设计一款11KW的双向OBC。在该项目中需求一款N沟道碳化硅MOSFET。规格要求：电压1200V，内阻80ohm，封装：TO247-4；要求过车规认证。本文推荐派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4。

图一是P3M12080K4应用于车载充电机的典型应用原理路：

图一 P3M12080K4应用于车载充电机的典型应用原理路

11kW车载充电机可以满足快速充电的趋势，电动汽车系统电池电压逐渐提高到800V；SiC功率器件因其极小的开关损耗和优良的高温特性被广泛用于OBC（车载充电机）。

派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4封装图：

派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4应用于车载充电机的优势有以下几点：

1、派恩杰N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12080K4采用TO-247-4封装，漏源电压1200V，AEC-Q101认证合格。

2、P3M12080K4具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点，结壳热阻为0.68℃/W，散热较好。

3、P3M12080K4通过了100%UIS测试，符合RoHS标准，无卤素，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器。

4、P3M12080K4漏源导通电阻典型值80mΩ、最大仅96mΩ（@VGS=15V，ID=20A），导通损耗较低，提高系统效率和功率密度。

5、世强常备库存，性价比相对国外其他品牌更有优势。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由杨敏提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【应用】国产车规级EEPROM用于车载充电机，支持100万次擦写，自定义写入周期最大5ms

给汽车慢充的车载充电机的功能越来越完善，比如双向的充电放电功能，功率调节等。本文介绍聚辰的车规级EEPROM GT25C256A-2GLA1-TR适合该应用。

应用方案发布时间 : 2023-03-02

蓉矽半导体1200V碳化硅产品用于车载充电机，整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上

蓉矽半导体自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。采用1200V SiC器件可以简化系统拓扑复杂度，总损耗可降低50%以上，磁性器件体积可降低70%以上。整体系统效率提升约为2%，峰值可达97%以上。

应用方案发布时间 : 2024-07-17

蓉矽半导体碳化硅产品在车载充电机中的应用：已通过AEC-Q101测试和HV-H3TRB考核

为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。

应用方案发布时间 : 2024-07-20

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南 - 派恩杰 PDF 中文下载

P3M12080K4 N-Channel Enhancement Mode SiC MOS

型号- P3M12080K4

数据手册 - 派恩杰 - Ver. C.0 - May. 2022 PDF 英文下载

国产派恩杰MOSFET经过大量TDDB实验，提供万年使用寿命级别器件

TDDB作为一种评测栅氧可靠性的实验方法，可以检测、评价MOSFET的栅氧质量，基于实验数据还可建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型。派恩杰作为国内前沿的SiC MOSFEET供应商，每一批量产MOSFET都经过了大量TDDB实验，建立了精确的寿命预测模型。

厂牌及品类发布时间 : 2021-03-05

派恩杰（PN Junction）公司简介

型号- P2D06006T2,P3D06010F2,P3M12025BD,P2D06004T2,P3D06016K3,P2D06010T2,P2D12010T2,P3D06008F2,P3D12010T2,P3M12120K3,P3M12080K4,P3D06010T2,P3M12080K3,P3M06040K3,P3D06006T2,P3D06020K3,P3M173K0K3,P3D06008T2,P3M12025K3

商品及供应商介绍 - 派恩杰 PDF 中文下载

派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势

2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC ＆ CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席，半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。

厂牌及品类发布时间 : 2023-11-15

【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3，导通电阻仅40 mΩ

派恩杰（PN Junction）推出的650V碳化硅MOSFET N沟道增强型P3M06040K3，符合ROHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，阻值仅为40 mΩ，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC / DC转换器等领域。

新产品发布时间 : 2020-06-26

【产品】1200V/80mΩ的N沟道增强型碳化硅MOSFET，AEC-Q101认证合格

P3M12080K4是派恩杰推出的采用TO-247-4封装的N沟道增强型碳化硅MOSFET，漏源电压1200V，AEC-Q101认证合格，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点，通过了100%UIS测试，符合RoHS标准，无卤素。

新产品发布时间 : 2020-11-24

P3M12080K4 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode

型号- P3M12080K4

数据手册 - 派恩杰 - Ver.1C.0 - Apr. 2022 PDF 英文下载查看更多版本

【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06025K3，通过AEC-Q101认证，具有高阻断电压等特性

派恩杰推出的P3M06025K3是一款采用TO-247-3封装的650V N沟道增强型碳化硅MOSFET，已通过AEC-Q101认证，100%经过UIS测试。该器件具有高阻断电压，低导通电阻，Qgd超小等特性，可适应高频工作。

产品发布时间 : 2023-03-02

【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3/080K3/120K3，导通电阻典型值最低仅为25mΩ

P3M12025K3、P3M12080K3、P3M12120K3是派恩杰（PN Junction）推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET，采用TO-247-3封装，具有高阻断电压，低导通电阻，P3M12025K3导通电阻典型值25mΩ，P3M12080K3导通电阻典型值80mΩ，P3M12120K3导通电阻典型值120mΩ。可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。

新产品发布时间 : 2020-07-03