【应用】派恩杰N沟道碳化硅MOSFET用于车载充电机,具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点
车载充电机(OBC)是安装在车辆里,用于停车时从交流电网为高压电池再充电的系统。目前功率范围从3kW到22kW左右。某客户在设计一款11KW的双向OBC。在该项目中需求一款N沟道碳化硅MOSFET。规格要求:电压1200V,内阻80ohm,封装:TO247-4;要求过车规认证。本文推荐派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4。
图一是P3M12080K4应用于车载充电机的典型应用原理路:
图一 P3M12080K4应用于车载充电机的典型应用原理路
11kW车载充电机可以满足快速充电的趋势,电动汽车系统电池电压逐渐提高到800V;SiC功率器件因其极小的开关损耗和优良的高温特性被广泛用于OBC(车载充电机)。
派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4封装图:
派恩杰N沟道碳化硅MOSFET P3M12080K4应用于车载充电机的优势有以下几点:
1、派恩杰N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12080K4采用TO-247-4封装,漏源电压1200V,AEC-Q101认证合格。
2、P3M12080K4具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点,结壳热阻为0.68℃/W,散热较好。
3、P3M12080K4通过了100%UIS测试,符合RoHS标准,无卤素,适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器。
4、P3M12080K4漏源导通电阻典型值80mΩ、最大仅96mΩ(@VGS=15V,ID=20A),导通损耗较低,提高系统效率和功率密度。
5、世强常备库存,性价比相对国外其他品牌更有优势。
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派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
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型号- P3M12080K4
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC&CPSSC 2023,分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势
2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会(CPEEC & CPSSC 2023)于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席,半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外,派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果,展位号:三楼 3-015。
【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06025K3,通过AEC-Q101认证,具有高阻断电压等特性
派恩杰推出的P3M06025K3是一款采用TO-247-3封装的650V N沟道增强型碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证,100%经过UIS测试。该器件具有高阻断电压,低导通电阻,Qgd超小等特性,可适应高频工作。
派恩杰(PN Junction)公司简介
型号- P2D06006T2,P3D06010F2,P3M12025BD,P2D06004T2,P3D06016K3,P2D06010T2,P2D12010T2,P3D06008F2,P3D12010T2,P3M12120K3,P3M12080K4,P3D06010T2,P3M12080K3,P3M06040K3,P3D06006T2,P3D06020K3,P3M173K0K3,P3D06008T2,P3M12025K3
【产品】1200V/80mΩ的N沟道增强型碳化硅MOSFET,AEC-Q101认证合格
P3M12080K4是派恩杰推出的采用TO-247-4封装的N沟道增强型碳化硅MOSFET,漏源电压1200V,AEC-Q101认证合格,具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点,通过了100%UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。
【选型】漏源电压最高1200V的车规级N沟道增强型碳化硅MOSFET用于汽车电驱电控系统设计,可节省系统成本
本文推荐派恩杰的车规级N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3可以用于汽车电驱电控系统设计选型。汽车电驱的电源模块电压直流最高到900V,1200V电压可以满足使用,175℃的温度也可以满足汽车系统的工作环境要求。整体参数优异,完美适配汽车电驱系统电源模块需求。
【产品】1700V的N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M173K0T3/P3M173K0F3
派恩杰推出的P3M173K0T3、P3M173K0F3是1700V N沟道增强型碳化硅MOSFET,P3M173K0T3采用TO-220-3封装,P3M173K0F3采用TO-220F-3封装,导通电阻低,可在高频下工作。具有超小的栅极到漏极电荷,通过100% UIS测试。
【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3/080K3/120K3,导通电阻典型值最低仅为25mΩ
P3M12025K3、P3M12080K3、P3M12120K3是派恩杰(PN Junction)推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET,采用TO-247-3封装,具有高阻断电压,低导通电阻,P3M12025K3导通电阻典型值25mΩ,P3M12080K3导通电阻典型值80mΩ,P3M12120K3导通电阻典型值120mΩ。可提高系统效率和功率密度,减少散热器需求,节省系统成本。
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派恩杰半导体在650V、1200V、1700V三个电压平台已发布100余款不同型号的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、碳化硅功率模块和GaN HEMT产品,能够为客户提供全方位的选择和技术支持。
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可定制内充多极外充多极,平面多极和内外螺旋型各类充磁产品,多级充磁最多可做256极,通过环氧树脂加入稀土,模具压制支持多尺寸定制,
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最小起订量: 1 提交需求>
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