【产品】100V/150A N沟道功率MOSFET RM150N100HD，导通电阻极小
丽正国际推出的RM150N100HD是一款N沟道功率MOSFET，该器件使用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能。同时该器件具有极低的RDS（ON）和Qg，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。在TC=25°C时，RM150N100HD可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为20/-12V，可以承受的极限漏极连续电流为150A（封装限制），结温和储存温度范围为-55~175℃，结壳热阻为0.7℃/W。RM150N100HD采用TO-263-2L封装，其产品图如图1所示。
图1 RM150N100HD 产品图
RM150N100HD产品特性
•VDS = 100V，ID = 150A
RDS（ON）<4.2mΩ@ VGS = 10V
•优秀的栅极电荷x RDS（on）产品
•低导通电阻RDS（on）
•175°C工作温度
•无铅电镀
•经过100％UIS测试
RM150N100HD应用领域
•DC / DC变换器
•高频开关和同步整流
•无卤素应用
RM150N100HD订购信息
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