【产品】100V/150A N沟道功率MOSFET RM150N100HD，导通电阻极小

时间： 2019-10-21 来源：丽正国际

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丽正国际推出的RM150N100HD是一款N沟道功率MOSFET，该器件使用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能。同时该器件具有极低的R_DS（ON）和Q_g，传导和开关功率损耗都被最小化，因此是高频开关和同步整流的理想选择。在T_C=25°C时，RM150N100HD可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为20/-12V，可以承受的极限漏极连续电流为150A（封装限制），结温和储存温度范围为-55~175℃，结壳热阻为0.7℃/W。RM150N100HD采用TO-263-2L封装，其产品图如图1所示。

图1 RM150N100HD 产品图

RM150N100HD产品特性

•V_DS = 100V，I_D = 150A

R_DS（ON）<4.2mΩ@ V_GS = 10V

•优秀的栅极电荷x R_DS（on）产品

•低导通电阻R_DS（on）

•175°C工作温度

•无铅电镀

•经过100％UIS测试

RM150N100HD应用领域

•DC / DC变换器

•高频开关和同步整流

•无卤素应用

RM150N100HD订购信息

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全部评论（2）

耕者 Lv6. 高级专家 2022-03-10

好东西值得学习！
冷若冰 Lv7. 资深专家 2019-10-22

好产品

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