【视频】VF低至1.23，新封装，减薄型SiC快速助力工业应用国产化|世强硬创新产品在线研讨会

泰科天润（GPT）SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南

目录- Company Profile    SiC Chip/SiC Devices   

型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U

泰科天润国内首家AEC-Q101认证的SiC器件，助力新能源汽车性能升级与器件国产化

描述- 作为第三代半导体的SiC材料拥有比Si材料更为优异的性能。以SiC为基础研发的新型半导体器件能更好的满足电动汽车，新能源等场合所面临的高效率和高功率的要求。基于该材料研发的碳化硅二极管可有效降低二极管的反向恢复损耗、对管开关管的开通损耗。

泰科天润(GPT)SiC器件产品介绍

描述- 泰科天润半导体科技（北京）有限公司（简称：GPT）是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一，提供SiC半导体工艺晶圆制造和应用解决方案。公司拥有4/6英寸SiC半导体工艺晶圆厂和碳化硅器件生产线，产品特点包括提升耐压、降低特征导通电阻、高频工作等。泰科天润在湖南浏阳建立6英寸SiC晶圆制造厂，员工209人，其中技术人员占比超过50%。公司提供多种封装尺寸的SiC二极管，并致力于打造碳化硅半导体行业产业链。

型号- G5S06510QT,G5S06508QT,G4S06515QT,G5S06504QT,G5S06506QT

国产碳化硅IDM厂家，拥有批量化4/6寸SiC生产线，1.3V低VF值，DFN新小封装 | 功率器件专场 世强硬创新产品研讨会

描述- 泰科天润半导体科技（北京）有限公司（GPT）是国内碳化硅（SiC）功率器件制造与应用解决方案提供商。公司拥有4/6英寸SiC生产线，提供650V/1200V/1700V/3300V SiC器件，涵盖SiC MOSFET和SiC BJT产品。产品应用领域包括新能源汽车、适配器、光伏逆变器MPPT、单相整流电源、服务器电源、LED电源、矿机电源等。泰科天润提供多种封装形式，如TO-220、TO-247、DFN等，并具备车规级认证。

型号- G5S06508QT,G4S06515QT,G4S06508QT,G5S06504QT,G5S06506QT,G5S06508ZT,G5S06510QT,G4S06510QT,G4S06508ZT,G5S06504ZT,G5S06506ZT,G4S06510ZT,G4S06515ZT,G5S06510ZT

IATF 16949+AEC-Q101认证的SiC器件介绍

描述- 泰科天润半导体科技（北京）有限公司（GPT）是国内领先的碳化硅（SiC）功率器件制造与应用解决方案提供商。公司拥有完整的SiC半导体工艺晶圆厂和批量化碳化硅器件生产线，产品特点包括提升耐压、降低特征导通电阻、高频工作等。泰科天润在湖南浏阳建立6英寸SiC晶圆制造厂，并拥有车规认证和乘用车主机厂测试情况。公司致力于打造碳化硅半导体行业完整产业链，提供丰富的样品支持、技术支持及解决方案。

SiC二极管在OBC上的应用: 国内首家AEC-Q101认证的SiC器件，助力新能源汽车性能升级与器件国产化

描述- 国内首款通过AEC-Q101认证的SiC器件发布，旨在提升新能源汽车性能并推动器件国产化进程。

DFN紧凑型表面贴装封装SiC器件介绍

描述- 泰科天润半导体科技（北京）有限公司（GPT）是国内领先的碳化硅（SiC）功率器件制造与应用解决方案提供商。公司拥有完整的SiC半导体工艺晶圆厂和批量化碳化硅器件生产线，产品特点包括提升耐压、降低特征导通电阻、高频工作等。泰科天润致力于为5G基站电源提供SiC应用解决方案，并与多家企业合作构建碳化硅产业链。

型号- G5S06510QT,G5S06508QT,G4S06515QT,G5S06504QT,G5S06506QT