本文由麟安转载自泰科天润,原文标题为:VF低至1.23,新封装,减薄型SiC快速助力工业应用国产化,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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【视频】国内首家AEC-Q101认证的SiC器件助力新能源汽车性能升级与器件国产化|世强硬创新产品在线研讨会
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【视频】新型DFN表贴封装SiC器件助力提升5G基站电源功率密度与器件国产化
在5G&下一代通信及新材料和连接器专场世强在线研讨会中,泰科天润技术专家为我们做了演讲。本视频泰科天润介绍新型DFN表贴封装SiC的产品特性和优势,详细阐述了应用于5G宏基站的优势,以及相应的应用方案。
【产品】国内首家AEC-Q101认证的SiC器件,助力新能源汽车性能升级与器件国产化 | 视频
本视频主要讲解了泰科天润车规级SiC二极管在车载OBC上面的多种应用方案,以及在高低温严格测试环境下的表现,主要产品涵盖650V 和1200V,10A到40A的产品,及不同的封装形态。
泰科天润(GPT)SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
目录- Company Profile SiC Chip/SiC Devices
型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U
【视频】2023年1月12日碳化硅&氮化镓新技术研讨会
EPC、英诺赛科、西南集成等顶尖厂商带来SiC MOS、GaN FET、车规级SiC二极管等全新产品和技术。
砥砺前行!一同回顾泰科天润的2023年新品发布、大事盘点、展会会议和荣誉奖项
本文中将为大家回顾2023年泰科天润大事记。2023年泰科天润自产自研SiC Mosfet抗冲击鲁棒性特点鲜明、经受市场考验;启动了北京总部基地6/8英寸生产线建设;助力消费类快充、PC电源性能提升;赢得《中国半导体企业创新榜 2023》“化合物半导体科技创新企业榜”上榜企业、2023行家极光奖“中国SiC器件IDM十强企业奖”等荣誉。
泰科天润国内首家AEC-Q101认证的SiC器件,助力新能源汽车性能升级与器件国产化
描述- 作为第三代半导体的SiC材料拥有比Si材料更为优异的性能。以SiC为基础研发的新型半导体器件能更好的满足电动汽车,新能源等场合所面临的高效率和高功率的要求。基于该材料研发的碳化硅二极管可有效降低二极管的反向恢复损耗、对管开关管的开通损耗。
【产品】泰科天润VF低至1.23,DFN新封装,减薄型SiC,完整批量化4/6寸生产线 | 视频
本视频主要讲解泰科天润SiC二极管在新能源汽车OBC上的应用,展示650V、1200V系列,10A-40A不同封装的产品,并阐述优势特点,其产线通过16949认证、AECQ101认证,也展示其在高低温苛刻测试条件下的优异表现。
SiC成为加速新能源汽车发展的重要助力,已进入普及阶段,有效替换Si产品
SiC器件可以使纯电动汽车、混合动力车的电机控制系统损失的功率降低到1/10,实现低功耗化;同时,能将新能源汽车的效率提高10%,使用SiC工艺生产的功率器件的导通电阻更低、芯片尺寸更小、工作频率更高,并可耐受更高的环境温度。
【应用】国产双芯SIC二极管G5S12030PPM用于光伏逆变器,采用高温高湿封装可抵抗恶劣环境影响
随着SIC器件的普及,越来越多的产品开始采用SIC器件来提升产品的工作效率,但有些产品例如光伏逆变器由于工作环境恶劣,产品除了注重效率之外,对器件在恶劣环境下稳定工作也有着严格的要求。针对上述问题,泰科天润的双芯SIC二极管G5S12030PPM非常适合此场景。
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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
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提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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