【产品】GaN射频晶体管GHPS060010AT，P3dB输出为10W，工作频率DC~6GHz
时代速信是中国领先的砷化镓、氮化镓功率放大器（GaAs/GaN PA)等芯片产品供应商之一。其推出的GHPS060010AT是一款3dB压缩输出功率(P3dB)为10W的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管,采用低热阻封装，工作电压为50V，工作频率范围为DC~6GHz，可在连续波和脉冲波输入下工作，在2.6GHz时其线性增益可达到21.5dB，典型漏级效率(DE P3dB)可达到79%。可应用于基站、无线电中继、军用雷达、民用雷达、测试仪器、宽带或窄带放大器、干扰器及微波炉等。
GHPS060010AT晶体管常温下栅漏击穿电压不超过150V，栅极电压工作范围为-10V~1.3V，漏极电流应不超过0.8A，2.6GHz时连续波输入功率不能超过+28dBm，超过上述条件则可能会损坏晶体管。建议在合适的温度环境下使用（-40℃~+85℃），建议漏极工作电压为+50V，静态偏置电流为15mA，栅极电压建议为-2.9V，可根据需要偏置电流的调整需要适当在-3.4V~-2.3V范围内进行调整。
图1 产品图示
产品特点
频率范围：DC~6GHz
输出功率(P3dB）：10W
线性增益：21.5 dB
典型DE(P3dB)：79%
工作电压：50 V
低热阻封装
可工作在连续波和脉冲波下
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