【产品】低功耗4 Mbit LPSRAM静态RAM，适用于助力备用电池系统

时间： 2019-01-15 来源：Renesas

瑞萨电子（RENESAS）是全球十大半导体芯片供应商之一，也是高级半导体解决方案的首选供应商。其推出的RMLV0414E系列是由Renesas的高性能先进的LPSRAM技术制作的4 Mbit静态RAM系列，由262,144-word × 16-bit组成。RMLV0414E系列实现了高密度、高性能、低功耗的功能。该系列还具有低待机功耗，可用于备用电池系统等领域。

图1 RMLV0414E系列静态RAM封装引脚图

RMLV0414E系列静态RAM采用44引脚的TSOP（II）封装，封装尺寸较小。该系列存储器的工作温度范围为-40°C~+85°C，储存温度范围为-65°C~+150°C，能满足工业上对温度的苛刻要求。

RMLV0414E系列存储器产品优势：

·3V单电源供电：2.7V~3.6V

·访问时间：最大45ns

·待机电流典型值0.4μA

·通用数据输入和输出──三态输出

·所有输入输出均可直接与TTL兼容

RMLV0414E系列存储器应用领域：

·备用电池系统

表1 RMLV0414E系列静态RAM订购信息

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型号- 70V9089/79,IDT70V9089/79,70V9079L7PFG,70V9089/79X9,70V9089/79X6,70V908S/L25,70V907S/L25,70V9089L12,70V9089/79X7,70V9079L7,IDT70V9079,70V9089/79L,70V9089/79S,70V9089/79X12,70V9079L,XXXXX A 99 A A A A,70V9079L7PFG8,70V9089L,70V9089/79X15,70V9089L12PFGI8,70V9089L12PFGI

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型号- 70V26S55G,70V26S35G,70V26L35G,70V26S/L,70V26L25G,XXXXX A 999 A A A A,70V26L,70V26L55G,70V26L25JG,70V26X55,70V26S,70V26L25JG8,IDT70V26,IDT70V26G,70V26X25,70V26,70V26X35

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【产品】高速4Kx8位双端口静态RAM IDT7134，设计用于不需要片上硬件端口仲裁的系统

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