【产品】SOT-883L贴片封装互补硅晶体管CET3904E和CET3906E，VCE（SAT）仅0.1V

时间： 2019-07-07 来源：Central

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互补硅晶体管,CET3904E,CET3906E,Central Semiconductor

CET3904E和CET3906E是Central Semi(美国中央半导体公司)推出的一对互补的硅晶体管，其中CET3904E为NPN型，标记代码为C；CET3906E为PNP型，标记为代码D，可用于DC-DC转换器、电池供电设备，包括手机和数码相机等场合。

图1 硅晶体管CET3904E和CET3906E实物图

硅晶体管CET3904E和CET3906E的封装尺寸大小和引脚定义如图2所示，其为SOT-883L贴片封装，其中1引脚为基极，2引脚为发射极，3引脚为集电极。硅晶体管CET3904E和CET3906E的集电极-基极电压最大为60V，集电极-发射极电压最大为40V，发射极-基极电压最大为6.0V；同时该器件集电极连续电流最大为200mA，最大耗散功率为250mW，热阻为500℃/W，工作和存储结温温度范围为-65℃~150℃，功耗小，工作温度范围广，能够满足恶劣的环境温度需求。

图2 硅晶体管CET3904E和CET3906E封装尺寸和引脚定义

另外硅晶体管CET3904E和CET3906E的集电极-发射极击穿电压BV_CEO典型值分别为60V 和55V；且当I_C=50mA, I_B=5mA时，CET3904E和CET3906E的集电极-发射极饱和压降V_CE(SAT)典型值都仅为0.1V；特征频率典型值f_T最小为300MHz，具有饱和压降低和切换速度快的优点。

硅晶体管CET3904E和CET3906E的产品特性及优势：

▪器件无卤素设计

•耗散功率250mW

•V_CE（SAT）低，仅0.1V（@50mA）

•尺寸小，TLP™1x0.4mm，SOT-883L无铅，薄型表面贴片封装

硅晶体管CET3904E和CET3906E的应用领域：

▪DC-DC转换器

▪电池供电设备（包括手机和数码相机）

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